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STD40NF10T4

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,45A,RDS(ON),18mΩ@10V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-STD40NF10T4 TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) STD40NF10T4

STD40NF10T4概述

    # STD40NF10T4-VB N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    STD40NF10T4-VB 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用 TO-252 封装形式。它由 VBsemi 公司设计制造,具有极低的导通电阻(RDS(on))和高击穿电压的特点,广泛应用于各种开关电源、隔离式 DC/DC 转换器和逆变器等领域。
    主要功能:
    - 高效率:适用于高频开关电路,显著降低功耗。
    - 高可靠性:通过了100%动态栅极电阻测试(Rg)和雪崩能量测试(UIS)。
    - 低导通电阻:典型值为0.0185 Ω @ VGS = 10 V,ID = 15 A。

    应用领域:
    - 隔离式 DC/DC 转换器
    - 通信电源模块
    - 绿色节能的服务器电源
    - 工业控制设备

    2. 技术参数


    以下是 STD40NF10T4-VB 的关键性能参数:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 击穿电压 | VDS | 100 | - | - | V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 0.0185 | - | Ω |
    | 持续漏极电流(TC = 25°C)| ID | - | 9.2b | - | A |
    | 最大单脉冲雪崩电流 | IA | - | 100 | - | A |
    | 最大雪崩能量 | EAS | - | 101 | - | mJ |
    | 热阻 | RthJA | 40 | 50 | - | °C/W |
    注:所有数值均在标准条件下测量(如无特别说明,温度为 25°C)。更多详细数据参见附录。

    3. 产品特点和优势


    STD40NF10T4-VB 以其优异的技术指标在市场上脱颖而出,具体特点如下:
    1. 高效率:低导通电阻 RDS(on),显著降低了功耗,提高了能源利用效率。
    2. 高可靠性:采用先进的沟槽工艺(TrenchFET®),增强了耐压能力和稳定性。
    3. 紧凑封装:TO-252 封装便于安装,适合现代小型化电子设计需求。
    4. 高能效比:优秀的开关性能和较低的热损耗使其成为绿色电源设计的理想选择。
    这些特点使得该产品在通信设备、服务器电源以及工业控制领域中拥有广泛的市场竞争力。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 隔离式 DC/DC 转换器:利用其高开关频率特性,有效减少转换器的体积和成本。
    2. 绿色服务器电源:低功耗设计有助于减少总能耗,符合环保要求。
    使用建议
    1. 散热管理:由于器件的功耗较高,在大电流情况下需要良好的散热措施,例如加装散热片或风冷装置。
    2. 驱动电路设计:确保驱动电压满足阈值要求(典型值为 2.5V 至 5V),以避免过早开启或无法正常关断。

    5. 兼容性和支持


    兼容性
    - STD40NF10T4-VB 可与大多数标准 N 沟道 MOSFET 兼容,可用于替换其他品牌器件。
    - 建议与 PCB 板材料 FR4 配合使用,以获得最佳性能。
    支持服务
    - 技术咨询:可通过 VBsemi 官方网站查询产品相关信息。
    - 售后服务:公司提供 24 小时服务热线(400-655-8788),随时解答客户疑问。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开机瞬间电流过大 | 检查输入电容容量是否合适,调整电路布局。 |
    | 温度过高 | 增加散热片或优化 PCB 设计,改善通风条件。 |
    | 高频振荡 | 添加滤波电路,减少寄生电感的影响。 |

    7. 总结和推荐


    综上所述,STD40NF10T4-VB N-Channel MOSFET 是一款高性能、高可靠性的电子元件,适用于多种电源管理和电力电子应用。其低导通电阻、高效率以及出色的开关性能使其成为电源设计的理想选择。
    推荐指数:
    - 优劣评分:9/10(仅需注意散热和驱动电路的设计)。
    - 适用场景:适合工业级、消费级以及通信领域的高效率开关电源。
    推荐理由:在追求高性能和低成本的电子设计中,STD40NF10T4-VB 是一款极具性价比的选择。
    最终结论:强烈推荐给寻求高性能 MOSFET 的工程师和设计师!
    联系方式:[www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com) 或拨打服务热线 400-655-8788。

STD40NF10T4参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 0.00185Ω@VGS = 10 V,ID = 15 A
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 136.4W
Vds-漏源极击穿电压 100V
Id-连续漏极电流 45A
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

STD40NF10T4厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

STD40NF10T4数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 STD40NF10T4 STD40NF10T4数据手册

STD40NF10T4封装设计

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