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Si1553CDL-T1-GE3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N+P—Channel沟道,±20V,2.5/-1.5A,RDS(ON),130/230mΩ@4.5V,160/280mΩ@2.5V,20Vgs(±V);±0.6~2Vth(V) 封装:SC70-6
供应商型号: 14M--SI1553CDL-T1-GE3 SC70-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) Si1553CDL-T1-GE3

Si1553CDL-T1-GE3概述

    Si1553CDL-T1-GE3 N-Channel and P-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    Si1553CDL-T1-GE3 是一款适用于便携式设备的低电压(20 V)N-Channel 和 P-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款MOSFET采用沟槽式TrenchFET技术制造,具备快速开关性能,并且符合RoHS和卤素自由标准。它们特别适用于负载开关等应用。

    2. 技术参数


    - 电压参数
    - 漏源击穿电压(VDS):20 V(对于N-Channel和P-Channel)

    - 电流参数
    - 连续漏极电流(TA = 25°C):N-Channel 3.28 A,P-Channel 2.80 A
    - 脉冲漏极电流(IDM):N-Channel 9.5 A,P-Channel 8.5 A

    - 电阻参数
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):
    - N-Channel:
    - 在VGS = 4.5 V时:0.090 Ω
    - 在VGS = 2.5 V时:0.110 Ω
    - 在VGS = 1.8 V时:0.130 Ω
    - P-Channel:
    - 在VGS = -4.5 V时:0.155 Ω
    - 在VGS = -2.5 V时:0.190 Ω
    - 在VGS = -1.8 V时:0.220 Ω
    - 工作温度范围
    - 运行结温(TJ)和存储温度范围(Tstg):-55°C 到 150°C
    - 热阻抗
    - 最大结至环境热阻(RthJA):130°C/W(单脉冲),170°C/W(稳态)
    - 最大结至脚(漏极)热阻(RthJF):80°C/W(稳态)

    3. 产品特点和优势


    - 快开关速度:这款MOSFET具有快速开关能力,非常适合高频操作,有助于提高系统效率。
    - 耐温性能:-55°C 到 150°C 的宽工作温度范围使其适用于各种严苛的环境条件。
    - 小封装尺寸:采用SC-70 封装,适合空间受限的应用。
    - RoHS和卤素自由:符合环保标准,适用于现代电子产品设计。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:作为便携式设备中的负载开关使用,能够有效控制电路中的电流。
    - 使用建议:
    - 在选择VGS时,确保其在合适的范围内以达到最佳的RDS(on)性能。
    - 注意散热管理,尤其是在高功率操作时。

    5. 兼容性和支持


    - 与其他器件或设备的兼容性信息未在手册中明确提及,但这些MOSFET通常与常见的数字逻辑电平兼容。
    - 厂商提供相应的技术支持和服务,以帮助客户解决问题和优化使用。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:在高温环境下使用时,器件性能下降。
    - 解决方案:增加散热措施,如添加散热片或散热器。
    - 问题:脉冲操作时器件过热。
    - 解决方案:限制脉冲频率和持续时间,并确保良好的散热环境。

    7. 总结和推荐


    Si1553CDL-T1-GE3 在便携式设备应用中表现出色,具有出色的开关速度和宽工作温度范围,尤其适合需要高性能和小型化的场合。尽管某些细节如具体兼容性信息未详细说明,但从技术参数来看,这是一款值得推荐的产品。用户在使用前需根据具体需求评估并采取适当的散热措施。

Si1553CDL-T1-GE3参数

参数
配置 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 90mΩ@ 4.5V,155mΩ@ 4.5V
栅极电荷 0.95nC@ 4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V
最大功率耗散 1.17W;0.97W
FET类型 N+P沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 20V
Id-连续漏极电流 3.28A,2.8A
通用封装 SC-70-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

Si1553CDL-T1-GE3厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

Si1553CDL-T1-GE3数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 Si1553CDL-T1-GE3 Si1553CDL-T1-GE3数据手册

Si1553CDL-T1-GE3封装设计

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