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VBM165R02

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 具有高漏源极电压和适中的栅源极电阻,适用于各种电源模块,包括开关电源、逆变器等。
供应商型号: 14M-VBM165R02
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBM165R02

VBM165R02概述

    # VBM165R02 N-Channel 650V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    VBM165R02 是一款高性能的N通道650V功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于电力电子系统中。其主要功能是作为开关器件,广泛应用于工业控制、电源转换、新能源汽车等领域。VBM165R02以其低导通电阻(RDS(on))和高雪崩能力,成为高效率和高可靠性电力管理的理想选择。

    技术参数


    以下是VBM165R02的主要技术规格:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅极-源极电压 | VGS | ±30 V |
    | 漏-源极击穿电压 | VDS 650 | V |
    | 栅极-源极阈值电压 | VGS(th) | 2.0 4.0 | V |
    | 漏极电流(连续) | ID 1.28 A |
    | 栅极电荷 | Qg 11 nC |
    | 导通电阻 | RDS(on) 4.0 Ω |
    工作环境方面,VBM165R02支持的温度范围为-55°C至+150°C,具有较强的耐高温和低温能力。此外,其最大功率耗散可达45W,适用于高功率应用场景。

    产品特点和优势


    独特功能和优势
    1. 低栅极电荷:Qg=11nC,显著降低驱动电路的复杂度和功耗。
    2. 增强的耐用性:具备优异的门极、雪崩和动态dv/dt抗冲击能力。
    3. 全面的参数测试:容性参数、雪崩电压及电流已全面标准化。
    4. 环保合规:完全符合RoHS指令2002/95/EC。
    市场竞争力
    VBM165R02凭借其卓越的性能,在中高压电力系统中表现突出,可替代传统的IGBT模块,具有更低的成本和更高的效率,非常适合需要高效能转换的应用场合。

    应用案例和使用建议


    实际应用场景
    VBM165R02广泛应用于工业级变频器、电机驱动控制器和光伏逆变器等领域。其高效的开关性能和强大的雪崩能力使其在高压直流断路器和储能系统中表现尤为出色。
    使用建议
    1. 在设计驱动电路时,应充分考虑其低栅极电荷特性以减少驱动功耗。
    2. 工作环境温度较高时,需确保散热良好,避免因过热而损坏。
    3. 雪崩保护电路的设计对长期可靠运行至关重要,建议增加吸收电路以应对瞬态高压。

    兼容性和支持


    VBM165R02支持标准的O-220AB封装,与其他主流厂商的同类产品具有良好的互换性。厂商提供详尽的技术支持,包括样品测试、应用指导和技术培训。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关过程中出现异常发热 | 检查电路板布局,优化散热设计 |
    | 栅极驱动电路不正常工作 | 确保驱动电压满足VBM165R02的VGS要求 |
    | 长时间工作后性能下降 | 定期检查并更换热管理材料 |

    总结和推荐


    综合评估
    VBM165R02凭借其低栅极电荷、高可靠性和高效率,在中高压电力电子领域展现出显著优势。其适用范围广泛,特别适合需要高效率和稳定性的应用场景。
    推荐结论
    强烈推荐VBM165R02用于工业和新能源领域的电力管理项目。其卓越的性能和广泛的适用性使其成为现代电力电子系统不可或缺的组件之一。

VBM165R02参数

参数
Id-连续漏极电流 2A
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3120mΩ@10V,3900mΩ@4.5V
栅极电荷 -
通道数量 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 650V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBM165R02厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBM165R02数据手册

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VBM165R02封装设计

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