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P3056LSG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,70A,RDS(ON),12mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.2Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: 14M-P3056LSG TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) P3056LSG

P3056LSG概述

    # P3056LSG-VB N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    P3056LSG-VB 是一款由VBsemi公司生产的N-Channel 30-V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。其采用TrenchFET®技术,适用于OR-ing、服务器及直流/直流转换等多种应用场合。P3056LSG-VB 具备出色的电气特性和稳定的热管理能力,确保在高功率和高温环境下仍能可靠运行。

    技术参数


    静态参数
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 30 V
    - 门源阈值电压 \( V{GS(th)} \): 1.0 V ~ 3.0 V
    - 门源漏极反向电流 \( I{DSS} \): 1 μA @ \( V{DS} = 30 \) V, \( V{GS} = 0 \) V, TJ = 55 °C
    - 开启状态下的漏极电流 \( I{D(on)} \): 90 A @ \( V{DS} \geq 5 \) V, \( V{GS} = 10 \) V
    - 漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \): 0.012 Ω @ \( V{GS} = 10 \) V, \( ID = 2 \) A
    动态参数
    - 输入电容 \( C{iss} \): 1201 pF @ \( V{DS} = 15 \) V, \( V{GS} = 0 \) V, f = 1 MHz
    - 输出电容 \( C{oss} \): 255 pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): 170 pF @ \( V{DS} = 15 \) V, \( V{GS} = 10 \) V, \( ID = 2 \) A
    - 总门极电荷 \( Qg \): 25 nC @ \( V{DS} = 15 \) V, \( V{GS} = 4.5 \) V, \( ID = 28.8 \) A
    绝对最大额定值
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 30 V
    - 门源电压 \( V{GS} \): ±20 V
    - 连续漏极电流 \( ID \) (TA = 25 °C): 21 A
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 94.8 mJ

    产品特点和优势


    P3056LSG-VB MOSFET 具备以下显著特点和优势:
    - TrenchFET®技术:先进的沟槽栅极技术提升了产品的电气性能和可靠性。
    - 100% Rg和UIS测试:保证了产品质量的高可靠性。
    - 符合RoHS标准:满足环保要求,适合广泛应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - OR-ing电路:适用于电源冗余设计,提高系统可靠性。
    - 服务器:可用于服务器电源管理系统,提升系统效率。
    - 直流/直流转换器:适用于需要高功率密度和高效率的电力转换场景。
    使用建议
    - 在使用过程中,应注意控制温度以避免过热。
    - 针对高电流应用,需注意散热设计以防止温升过高导致性能下降。
    - 根据具体应用场景选择合适的驱动电压,以实现最佳性能。

    兼容性和支持


    P3056LSG-VB MOSFET 与多种标准封装兼容,适用于各种印刷电路板布局。制造商提供详尽的技术支持,包括产品咨询、技术支持及售后服务,确保客户能够顺利使用该产品。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 散热不良导致温度过高 | 增加散热片或改进散热设计 |
    | 驱动电压不正确 | 确认驱动电压符合要求并调整 |
    | 性能不稳定 | 检查连接线是否牢固,并确保工作环境条件符合规格 |

    总结和推荐


    P3056LSG-VB N-Channel MOSFET 以其卓越的电气性能和可靠性,在各种高功率应用中表现出色。其独特的TrenchFET®技术使其成为高可靠性应用的理想选择。强烈推荐用于OR-ing、服务器和直流/直流转换等应用场合。
    通过本文的技术手册内容,我们全面了解了P3056LSG-VB N-Channel 30-V MOSFET 的基本特性、应用场景及其优势。希望这些信息能帮助您更好地选择和使用这一高性能产品。

P3056LSG参数

参数
配置 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 120W
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 50A
Rds(On)-漏源导通电阻 0.018Ω@VGS = 4.5 V,ID = 37 A
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

P3056LSG厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

P3056LSG数据手册

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P3056LSG封装设计

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