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IM2132

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V) 封装:SOT23-3
供应商型号: 14M-IM2132 SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IM2132

IM2132概述


    产品简介


    本产品是一款P沟道20V(D-S)MOSFET,属于MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别。该MOSFET主要应用于负载开关、功率放大器开关及直流/直流转换器等领域。它通过精确控制电流来实现高效率和低损耗的电路设计,适用于需要高性能和高可靠性的场合。

    技术参数


    以下是该MOSFET的主要技术参数:
    - 漏源电压 (VDS):最大值为20V。
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):
    - 在VGS = -10V时,为0.060Ω。
    - 在VGS = -4.5V时,为0.065Ω。
    - 在VGS = -2.5V时,为0.080Ω。
    - 栅极电荷 (Qg):典型值为10nC。
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):-10A。
    - 连续漏极电流 (ID):在环境温度25°C下,为-4A;在环境温度70°C下,为-3.2A。
    - 最高结温 (TJ):-55°C到150°C。
    - 热阻 (RthJA):最大值为100°C/W(结至环境);最大值为50°C/W(结至引脚)。

    产品特点和优势


    1. 无卤素:符合IEC 61249-2-21标准。
    2. TrenchFET®技术:采用先进的沟槽技术,提高电流处理能力和可靠性。
    3. 100% Rg测试:确保所有产品经过严格的栅极电阻测试。
    4. 符合RoHS指令:满足环保要求,符合欧洲市场准入条件。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 负载开关:可用于高效管理各种电子设备的电源。
    - PA开关:在功率放大器中,确保信号的高保真传输。
    - 直流/直流转换器:在电源管理系统中,用于调节电压和电流。
    使用建议
    - 散热设计:由于该MOSFET具有较高的热阻,应设计良好的散热机制以避免过热。
    - 驱动电路:确保驱动电路的输出电压满足MOSFET的门极驱动电压需求,以保证其正常工作。

    兼容性和支持


    该MOSFET采用SOT-23封装,具有较好的兼容性,可轻松集成到现有的电路板设计中。制造商提供了详尽的技术文档和支持服务,以帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过热 | 设计更高效的散热系统,如添加散热片或使用风扇冷却。 |
    | 开关速度慢 | 检查并优化驱动电路,确保门极驱动电压和频率满足要求。 |
    | 稳定性差 | 检查外围电路,确保接线无误且接地良好。 |

    总结和推荐


    该P沟道20V MOSFET具有出色的电气特性和可靠的设计,非常适合在负载开关、PA开关和直流/直流转换器等应用中使用。其先进的TrenchFET技术提供了优异的性能表现。尽管存在一定的热阻限制,但只要注意散热设计和合理驱动,该产品仍能在多种应用场景中表现出色。因此,我强烈推荐使用这款MOSFET。
    更多详细信息和技术支持,请访问官方网站:[www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com) 或拨打服务热线:400-655-8788。

IM2132参数

参数
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 5A
FET类型 1个P沟道
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 43mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
配置 -
栅极电荷 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IM2132厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IM2132数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IM2132 IM2132数据手册

IM2132封装设计

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