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VBZC8205B

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款共源极N+N MOSFET,适用于20V的最大漏极-源极电压和±20V的最大栅极-源极电压,特别适用于直流-直流转换器、电机控制系统和电源开关模块等需要高性能和稳定性能的应用场合。阈值电压为0.5~1.5V,漏极电流可达6.6A,采用Trench技术制造。封装为TSSOP8。
供应商型号: 14M-VBZC8205B TSSOP-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZC8205B

VBZC8205B概述

    VBZC8205B 双路N沟道25V(D-S)MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    VBZC8205B 是一款高性能的双路N沟道25V(D-S)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),适用于多种电子设备和系统。该器件采用了先进的TrenchFET®技术,具备低导通电阻(RDS(on))、高耐压及优异的动态性能,广泛应用于开关电源、电机驱动、电池管理等多个领域。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | 25 | - | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±12 | - | - | V |
    | 持续漏极电流 | ID | 5.2 | 6.6 | - | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | - | 30 | - | A |
    | 最大功率耗散 | PD | 1.0 | 1.5 | - | W |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 | 150 | - | °C |
    | 静态栅阈电压 | VGS(th) | 0.5 | 1.0 | - | V |
    | 零栅压漏极电流 | IDSS | - | 1 | - | µA |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 0.022 | - | Ω |
    | 前向跨导 | gfs | - | 30 | - | S |
    | 正向二极管压降 | VSD | 0.71 | 1.2 | - | V |

    3. 产品特点和优势


    VBZC8205B 具备以下特点和优势:
    - TrenchFET®技术:采用先进的沟槽栅技术,显著降低导通电阻和提高耐压能力。
    - 低导通电阻:在 VGS = 4.5V 时,导通电阻仅为 0.022Ω;在 VGS = 2.5V 时为 0.032Ω。
    - 高可靠性:具备较高的耐压能力和低功率耗散,能够在苛刻的工作环境中保持稳定性能。
    - 环保设计:提供无卤素选项,符合RoHS标准,绿色环保。

    4. 应用案例和使用建议


    - 开关电源:VBZC8205B 可用于各种开关电源电路中,其低导通电阻特性有助于减少功耗并提升效率。
    - 电机驱动:适合于电机控制电路,由于其快速开关速度和低导通损耗,可以提高系统整体性能。
    - 电池管理:可用于电池充电和放电电路,确保电池安全且高效地工作。
    使用建议:
    - 在设计电路时,应考虑散热问题,确保器件的热阻特性能够满足应用需求。
    - 确保栅极驱动信号的稳定性,以避免不必要的开关损耗。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:VBZC8205B 采用 TSSOP-8 封装,与市场上常见的双路N沟道MOSFET兼容,易于替换现有器件。
    - 支持:厂商提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的应用指南和技术文档。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:过热现象
    解决方案:增加散热片,确保良好的热传导和散热效果。
    - 问题2:栅极信号不稳定
    解决方案:使用合适的栅极驱动器,并保证电源稳定。

    7. 总结和推荐


    VBZC8205B 双路N沟道25V MOSFET是一款高性能的电子元器件,具备优秀的导通电阻和耐压性能。它的广泛应用和卓越的可靠性使其成为众多电子系统中的优选产品。我们强烈推荐此产品给需要高性能MOSFET的应用场合。

VBZC8205B参数

参数
Vgs-栅源极电压 15V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 4.8A,4.8A
Rds(On)-漏源导通电阻 20/22mΩ@4.5V,24/27mΩ@2.5V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 600mV~2V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
最大功率耗散 -
配置 -
通用封装 TSSOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBZC8205B厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZC8205B数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZC8205B VBZC8205B数据手册

VBZC8205B封装设计

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