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VBZM120N15

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,150V,100A,RDS(ON),9.8mΩ@10V,11.76mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO-220AB
供应商型号: 14M-VBZM120N15 TO-220AB
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZM120N15

VBZM120N15概述


    产品简介


    VBZM120N15是一款由VBsemi公司推出的N沟道增强型功率MOSFET,采用ThunderFET®技术设计。它具有出色的热稳定性和耐用性,能够在-55℃至+175℃的极端温度范围内正常工作。这种MOSFET广泛应用于电源管理、电机驱动、照明控制、太阳能微逆变器等领域,能够有效提高系统的效率和可靠性。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 150 | - | - | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | - | - | V |
    | 持续漏极电流(TJ=150℃) | ID | 100 | - | - | A |
    | 冲击漏极电流(td=100μs) | IDM | 320 | - | - | A |
    | 击穿能量 | EAS | - | 180 | - | mJ |
    | 最大功耗 | PD | 375 | - | - | W |
    | 热阻抗(PCB安装) | RthJA | 40 | - | - | °C/W |
    | 开启电阻 | RDS(on) | 0.0085 | - | - | Ω |

    产品特点和优势


    VBZM120N15的ThunderFET®技术显著提高了其性能,特别是在高温度环境下表现卓越。该产品具备以下特点:
    - 超宽的工作温度范围(-55℃至+175℃),适合恶劣环境下的应用。
    - 高效的开关性能,适用于高频应用。
    - 优秀的热管理和低导通电阻,降低了功耗并提升了整体效率。
    - 支持多种应用场景,包括不间断电源、AC/DC转换器、同步整流及电机驱动等。

    应用案例和使用建议


    VBZM120N15非常适合用于需要高效能和可靠性的电力系统。例如,在不间断电源(UPS)中可以作为主开关器件,提供稳定的输出;在太阳能微逆变器中,则可实现高效的能量转换。为了更好地利用该器件,建议在设计时考虑散热措施,确保长期稳定运行。同时,根据具体的应用需求选择合适的驱动电路以优化性能。

    兼容性和支持


    该产品与标准的T0-220封装兼容,便于集成到现有的电路板设计中。VBsemi公司为客户提供全面的技术支持和服务,包括详细的用户手册和技术文档下载链接http://www.VBsemi.com。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 检查驱动电路的设计,确保足够高的栅极驱动电压 |
    | 导通电阻偏高 | 确认工作温度是否超出额定范围 |
    | 温度过高 | 增加外部散热片或改善通风条件 |

    总结和推荐


    总体而言,VBZM120N15是一款高性能且多功能的N沟道MOSFET,特别适合于需要高性能和高可靠性的各种电力电子应用场合。其卓越的热管理和广泛的温度适应性使其成为同类产品中的佼佼者。强烈推荐给希望提升系统效率并保证稳定性的工程师们使用。如果您有任何疑问或需要进一步的帮助,请随时联系我们的客服团队:400-655-8788。

VBZM120N15参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 9.8mΩ@10V,11.76mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 100A
Vds-漏源极击穿电压 150V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBZM120N15厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZM120N15数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZM120N15 VBZM120N15数据手册

VBZM120N15封装设计

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