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ME4626

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,20A,RDS(ON),4mΩ@10V,4.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.78Vth(V) 封装:SOP-8
供应商型号: 14M-ME4626 SOP-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) ME4626

ME4626概述

    # ME4626-VB N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    ME4626-VB 是一款N沟道30V(D-S)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),专为同步降压转换器低侧和同步整流POL应用设计。此产品适用于笔记本电脑、服务器和工作站等领域。

    技术参数


    绝对最大额定值
    | 参数 | 符号 | 单位 | 额定值 |
    ||
    | 漏源电压 | VDS | V | 30 |
    | 栅源电压 | VGS | V | ±20 |
    | 连续漏极电流(TJ = 150°C)| ID | A | 25 (TJ = 25°C), 17 (TJ = 70°C) |
    | 脉冲漏极电流(10 µs脉宽)| DM | A | 70 |
    | 连续源电流(二极管导通)| S | A | 2.9 (TJ = 25°C), 1.3 (TJ = 70°C) |
    | 最大功率耗散(TJ = 25°C)| PD | W | 3.5 (TJ = 25°C), 2.2 (TJ = 70°C) |
    | 工作结温和存储温度范围 | TJ | °C | -55 to 150 |
    热阻率
    | 参数 | 符号 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 最大结到环境热阻 | RthJA | °C/W | 29 (10秒), 67 (稳态) |
    | 最大结到引脚(漏极)热阻 | RthJF | °C/W | 13 (稳态) |
    静态特性
    | 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 栅阈值电压 | VGS(th) | VDS = VGS, ID = 250 µA | 1.0 | 3.0 | V |
    | 栅体泄漏电流 | IGSS | VDS = 0 V, VGS = ±20 V | ±100 | nA |
    | 开启状态漏源电阻 | RDS(on) | VGS = 10 V, ID = 25 A | 0.003 | Ω |
    动态特性
    | 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 输入电容 | Ciss | VDS = 15 V, VGS = 4.5 V, ID = 20 A | 6500 | pF |
    | 输出电容 | Coss | VDS = 15 V, VGS = 4.5 V, ID = 20 A | 930 | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | VDS = 15 V, VGS = 4.5 V, ID = 20 A | 610 | pF |

    产品特点和优势


    ME4626-VB 采用先进的 TrenchFET® Gen II 技术,提供超低的开启电阻(RDS(on)),使其成为高效能应用的理想选择。此产品具有环保特性,符合 IEC 61249-2-21 的无卤素标准。其出色的性能参数使其在高性能、低功耗的应用中表现出色。

    应用案例和使用建议


    ME4626-VB 适用于多种应用场景,例如笔记本电脑、服务器和工作站中的同步降压转换器低侧和同步整流POL。在设计过程中,应考虑其热管理策略,确保散热良好,避免长时间高负载运行导致过热问题。建议在具体应用中进行详细的热仿真和测试验证。

    兼容性和支持


    ME4626-VB 与多种电路板设计兼容,其尺寸符合 SO-8 封装标准,便于集成到现有设计中。VBsemi 提供技术支持,帮助客户解决使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 漏电流过高 | 检查栅源电压是否稳定,确保在规定范围内。 |
    | 开启电阻过大 | 确认栅源电压是否达到门限值,必要时增加驱动电压。 |
    | 热管理不佳 | 使用散热片或其他冷却措施,确保良好的热传导路径。 |

    总结和推荐


    综上所述,ME4626-VB N-Channel 30-V MOSFET 在高性能、低功耗应用中表现优异,特别是在笔记本电脑、服务器和工作站中的同步降压转换器低侧和同步整流POL应用中。其出色的性能参数和环保特性使其在市场上具备显著的竞争优势。强烈推荐在相关应用场景中使用此产品。
    如需更多技术资料或支持,请联系我们的服务热线:400-655-8788 或访问官网:www.VBsemi.com。

ME4626参数

参数
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 25A
Vds-漏源极击穿电压 30V
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

ME4626厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

ME4626数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 ME4626 ME4626数据手册

ME4626封装设计

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