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STN4102

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-STN4102 TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) STN4102

STN4102概述

    STN4102-VB N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    STN4102-VB 是一款由台湾VBsemi Electronics Co., Ltd.生产的N沟道增强型30V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品具有TrenchFET®技术,适用于电源管理和开关应用。它可用于OR-ing、服务器和DC/DC转换等多种场合。

    2. 技术参数


    以下是STN4102-VB的技术规格和性能参数:
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (VDS): 30 V
    - 栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 持续漏电流 (TJ = 175 °C): 90 A
    - 脉冲漏电流 (IDM): 200 A
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS): 9 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 94.8 mJ
    - 连续源漏二极管电流 (IS): 50 A
    - 最大功率耗散 (TA = 25 °C): 100 W
    - 热阻 (RthJA): 32°C/W(最大)
    - 静态特性:
    - 漏源击穿电压 (VDS): 30 V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)): 1.5 V ~ 2.0 V
    - 门极-源极泄漏电流 (IGSS): ±100 nA
    - 正向导通电阻 (RDS(on)): 0.007 Ω(VGS = 10 V)
    - 输入电容 (Ciss): 2201 pF
    - 输出电容 (Coss): 525 pF
    - 传输电容 (Crss): 370 pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 25 nC ~ 45 nC
    - 动态特性:
    - 开启延迟时间 (td(on)): 18 ns ~ 27 ns
    - 上升时间 (tr): 11 ns ~ 17 ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)): 70 ns ~ 105 ns
    - 下降时间 (tf): 10 ns ~ 15 ns

    3. 产品特点和优势


    - 高效能:采用TrenchFET®技术,确保低导通电阻和高电流能力。
    - 可靠性:100% Rg和UIS测试保证了产品的稳定性和可靠性。
    - 环保认证:符合RoHS标准,适用于各种环保要求高的应用场景。
    - 广泛应用:适合于多种电力管理应用,如OR-ing、服务器、DC/DC转换等。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:STN4102-VB常用于电源管理系统,例如在服务器中作为高性能开关元件。在DC/DC转换器中,它可以用作高效的电源控制元件。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,注意散热设计,以保持器件的正常工作温度范围。
    - 确保驱动电路的设计能够提供足够的栅极电压,以避免过载或失效。
    - 在实际应用中,应根据具体的应用需求选择合适的外部电路元件,以实现最佳性能。

    5. 兼容性和支持


    STN4102-VB采用标准的TO-252封装,与同类封装的产品具有良好的兼容性。VBsemi公司提供了详尽的技术文档和专业的技术支持,帮助客户进行产品选型和应用设计。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:在高温环境下工作时,器件容易发热。
    - 解决方案:增加外部散热措施,如散热片或风扇,以保持器件温度在安全范围内。
    - 问题:驱动电路设计不当导致器件损坏。
    - 解决方案:仔细校准驱动电路,确保驱动电压和电流在安全范围内。
    - 问题:器件在开关过程中出现噪声。
    - 解决方案:优化PCB布局,减少寄生电感和电容的影响。

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    - 高效能:导通电阻低,支持高电流。
    - 高可靠性:通过严格测试,保证长期稳定运行。
    - 广泛应用:适用于多种电力管理场景。
    - 环保认证:符合RoHS标准,绿色环保。
    推荐:
    - STN4102-VB是一款高效可靠的MOSFET,非常适合用于电力管理和开关应用。强烈推荐在电源管理和相关领域进行应用。
    服务热线:400-655-8788
    官方网站:[www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)

STN4102参数

参数
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 50A
Vds-漏源极击穿电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@ 10V
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

STN4102厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

STN4102数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 STN4102 STN4102数据手册

STN4102封装设计

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