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KD2310

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,4A,RDS(ON),85mΩ@10V,96mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOT23-3
供应商型号: 14M-KD2310 SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) KD2310

KD2310概述

    KD2310-VB N-Channel 60-V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    KD2310-VB 是一款由台湾VBsemi公司生产的N沟道60V(漏源)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这款MOSFET采用先进的TrenchFET技术制造,广泛应用于电池开关和DC/DC转换器等领域。它具有低导通电阻(RDS(on))和高可靠性,适用于需要高效能和可靠性的电路设计。

    技术参数


    - 漏源电压 (VDS): 最大为60V
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 连续漏电流 (ID):
    - 在TC = 25°C时,ID = 4.0A
    - 在TC = 70°C时,ID = 3.4A
    - 最大脉冲漏电流 (IDM): 12A
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS): 1.8mJ
    - 最大连续源漏二极管电流 (IS): 1.39A
    - 最大雪崩电流 (IL): 6A
    - 最大连续功耗 (PD):
    - 在TC = 25°C时,PD = 1.66W
    - 在TC = 70°C时,PD = 1.06W
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 至 150°C

    产品特点和优势


    - 无卤素材料: 符合IEC 61249-2-21标准。
    - 全栅电阻测试: 所有产品都进行了100%栅电阻测试。
    - 全雪崩测试: 所有产品都经过了100%雪崩测试,确保了可靠性。
    - 超低导通电阻: 在10V栅源电压下,导通电阻仅为0.075Ω。
    - 优越的热阻特性: 最大结点到环境热阻为115°C/W,保证了良好的散热性能。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电池开关: 用于控制电池的接通和断开。
    - DC/DC转换器: 提供高效的电源转换能力。
    使用建议:
    - 在使用KD2310-VB时,建议确保栅源电压不超过±20V,以避免损坏。
    - 在高电流应用中,需注意散热问题,可使用散热片或散热风扇来降低温升。
    - 建议在电池开关和DC/DC转换器应用中,使用相应的PCB布局设计,以减少寄生电容和电感。

    兼容性和支持


    KD2310-VB与市场上常见的SOT-23封装兼容。VBsemi公司提供全面的技术支持,包括样品申请、技术咨询和售后服务。如果您在使用过程中遇到任何问题,可以通过公司服务热线400-655-8788联系技术支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 漏电流过高。
    - 解决方案: 确认电路板设计是否合理,检查是否有短路现象。
    - 问题2: 功耗过大导致过热。
    - 解决方案: 使用散热片或其他散热措施,改善散热条件。
    - 问题3: 开关速度慢。
    - 解决方案: 检查栅极驱动电路,确认驱动电压是否足够,或者考虑使用更低门限电压的MOSFET。

    总结和推荐


    KD2310-VB是一款高性能的N沟道60V MOSFET,适用于电池开关和DC/DC转换器等多种应用场景。其低导通电阻、高可靠性以及无卤素材料使其成为许多电子应用的理想选择。通过适当的电路设计和散热措施,可以充分发挥其性能优势。强烈推荐在需要高效率和可靠性的电路设计中使用KD2310-VB。

KD2310参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 4A
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 85mΩ@ 10V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

KD2310厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

KD2310数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 KD2310 KD2310数据手册

KD2310封装设计

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