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IPD30N06S2L-23

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,45A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-IPD30N06S2L-23 TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPD30N06S2L-23

IPD30N06S2L-23概述

    IPD30N06S2L-23-VB MOSFET 技术手册

    产品简介


    IPD30N06S2L-23-VB 是一款 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于 TrenchFET® 系列。这款 MOSFET 主要用于功率转换、电机控制、电池管理和电源管理等领域。由于其高可靠性、低导通电阻和宽泛的工作温度范围,它在各种高功率应用中表现出色。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    | :: | :: | :: | :: | :: | :: |
    | 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | - | 60 | - | V |
    | 门限电压 | VGS(th) | 1.0 | 2.0 | 3.0 | V |
    | 门体泄漏电流 | IGSS | - | ±100 | - | nA |
    | 门源电荷 | Qg | - | 11 | 17 | nC |
    | 总栅极电荷 | Qgs | - | 3 | - | nC |
    | 栅极漏电荷 | Qgd | - | 3 | - | nC |
    | 导通状态电阻 | rDS(on) | - | 0.025 | - | Ω |
    | 动态输入电容 | Ciss | - | 150 | - | pF |
    | 动态输出电容 | Coss | - | 140 | - | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | - | 60 | - | pF |
    | 正向转导电导率 | gfs | - | 20 | - | S |
    | 单脉冲能量 | EAS | - | 20 | - | mJ |
    | 漏源连续电流 | ID | - | 25 | - | A |
    工作条件
    - 工作温度范围:-55°C 至 175°C
    - 绝对最大额定电压:VGS = ±20V
    - 最大脉冲漏电流:IDM = 100A
    - 最大连续漏电流:ID = 25A (TJ = 175°C)
    封装信息
    - 封装形式:TO-252
    - 封装尺寸(参考):
    - A: 2.18 - 2.38 mm
    - A1: - 0.127 mm
    - b: 0.64 - 0.88 mm
    - b2: 0.76 - 1.14 mm
    - b3: 4.95 - 5.46 mm
    - C: 0.46 - 0.61 mm
    - C2: 0.46 - 0.89 mm
    - D: 5.97 - 6.22 mm
    - D1: 5.21 mm
    - E: 6.35 - 6.73 mm
    - E1: 4.32 mm
    - H: 9.40 - 10.41 mm
    - e: 2.28 mm (BSC)
    - e1: 4.56 mm (BSC)
    - L: 1.40 - 1.78 mm
    - L3: 0.89 - 1.27 mm
    - L4: - 1.02 mm
    - L5: 1.14 - 1.52 mm

    产品特点和优势


    1. 高可靠性和耐用性:可承受高达 175°C 的结温。
    2. 低导通电阻:在 VGS = 10V 时,rDS(on) 仅为 0.025Ω。
    3. 宽广的工作温度范围:从 -55°C 到 175°C。
    4. 高效的门极驱动:快速开关时间和低反向恢复时间。

    应用案例和使用建议


    1. 应用案例:
    - 在工业电机控制中使用,以实现高效的电流控制和较低的功耗。
    - 在电动汽车的电池管理系统中,提供可靠的电源管理和保护。
    2. 使用建议:
    - 在使用过程中,确保散热系统能够有效地降低工作温度,特别是在高温环境下。
    - 使用合适的 PCB 布局以减少寄生电感,特别是在高频应用中。

    兼容性和支持


    - 兼容性:本产品采用 TO-252 封装,与市场上常见的 TO-252 系列器件兼容。
    - 技术支持:如果您需要更多技术文档或支持,请访问官网或联系 400-655-8788 获取帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:门极电荷过高导致驱动电路过载
    - 解决方案:增加外部电容来分担部分门极电荷。
    2. 问题:工作温度过高导致性能下降
    - 解决方案:确保良好的散热设计,必要时增加外部散热片或冷却装置。

    总结和推荐


    IPD30N06S2L-23-VB 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,适用于多种高功率应用场合。其高可靠性、低导通电阻和宽广的工作温度范围使其在市场上具有很强的竞争力。推荐在需要高效、可靠功率转换的应用中使用此产品。

IPD30N06S2L-23参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 11nC@ 10V
最大功率耗散 100W
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 0.069Ω@VGS = 10 V,ID = 15 A,TJ = 175 °C
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 35A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.5nF@ 25V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IPD30N06S2L-23厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPD30N06S2L-23数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPD30N06S2L-23 IPD30N06S2L-23数据手册

IPD30N06S2L-23封装设计

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