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UT3404L-AE3-R

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,6.5A,RDS(ON),30mΩ@10V,33mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.2~2.2Vth(V) 封装:SOT23-3
供应商型号: 14M-UT3404L-AE3-R SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT3404L-AE3-R

UT3404L-AE3-R概述

    UT3404L-AE3-R-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    UT3404L-AE3-R-VB 是一款高性能的N沟道30V(D-S)功率MOSFET。这种类型的MOSFET 主要用于DC/DC转换器等领域。它的核心特点是采用了TrenchFET®技术,使其具有优异的开关性能和低导通电阻。

    技术参数


    - 基本参数:
    - 漏源电压 \(V{DS}\): 30V
    - 栅源电压 \(V{GS}\): ±20V
    - 最大脉冲电流 \(I{DM}\): 25A
    - 最大耗散功率 \(PD\): 1.7W (TC = 70°C)
    - 最大结温 \(T{J}\): -55°C 至 150°C
    - 电气特性:
    - 导通电阻 \(R{DS(on)}\):
    - 在 \(V{GS} = 10V\), \(ID = 3.2A\) 时为 0.030Ω
    - 在 \(V{GS} = 4.5V\), \(ID = 2.8A\) 时为 0.033Ω
    - 总门电荷 \(Qg\):
    - 在 \(V{DS} = 15V\), \(V{GS} = 4.5V\), \(ID = 3.4A\) 时为 2.1~3.2nC
    - 热阻抗:
    - 结到环境热阻抗 \(R{thJA}\): 90°C/W (典型值), 115°C/W (最大值)
    - 结到脚(漏极)稳态热阻抗 \(R{thJF}\): 60°C/W (典型值), 75°C/W (最大值)

    产品特点和优势


    UT3404L-AE3-R-VB 的关键优势在于其低导通电阻 \(R{DS(on)}\) 和高脉冲电流能力。这些特性使其非常适合在高频开关电路中使用,如DC/DC转换器和电源管理应用。此外,它还符合RoHS和无卤素标准,确保环保合规。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - DC/DC转换器: 由于其低导通电阻和高脉冲电流能力,UT3404L-AE3-R-VB 在DC/DC转换器中表现出色。它能够有效地减少转换过程中的损耗,提高系统效率。
    使用建议:
    - 散热设计: 为了防止因过热而损坏,建议在外壳设计中加入散热片,尤其是在高负载情况下。
    - 保护电路: 在高压环境下使用时,建议加入保护电路以防止过压对MOSFET造成损害。

    兼容性和支持


    UT3404L-AE3-R-VB 采用TO-236 (SOT-23) 封装,可广泛应用于各种板载和离散设计。厂商提供了详尽的技术支持和咨询服务,包括样品请求、技术支持和售后服务。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 为何导通电阻随温度升高而增加?
    - 解答: 这是因为半导体材料的电阻特性受温度影响。为减少这一影响,可以考虑在设计中加入散热措施,例如散热片。

    - 问题: 如何避免因电压突变导致的损坏?
    - 解答: 建议在外围电路中添加缓冲电路或限流电阻,以减缓电压变化的速度并限制瞬间电流。

    总结和推荐


    UT3404L-AE3-R-VB 是一款适用于DC/DC转换器和其他电力电子应用的理想选择。其卓越的电气特性和可靠的设计使其成为许多高端应用中的首选组件。强烈推荐给需要高性能功率MOSFET的工程师和技术人员。

UT3404L-AE3-R参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT3404L-AE3-R厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT3404L-AE3-R数据手册

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