处理中...

首页  >  产品百科  >  MDD1903RH

MDD1903RH

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,18A,RDS(ON),115mΩ@10V,121mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-MDD1903RH TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) MDD1903RH

MDD1903RH概述

    MDD1903RH-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    MDD1903RH-VB 是一款由台湾VBsemi Electronics Co., Ltd. 生产的N沟道MOSFET。该产品主要用于电力转换和开关应用,能够提供高效的开关性能。MDD1903RH-VB 的主要应用领域包括电源管理、电机驱动、以及通用开关应用。

    2. 技术参数


    以下是 MDD1903RH-VB 的关键技术参数:
    - 额定电压 (VDS):100 V
    - 漏极连续电流 (ID):13 A(TJ = 25 °C)
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):40 A
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 到 150°C
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(on)):在 VGS = 10 V, ID = 3 A 时为 0.120Ω
    - 输入电容 (Ciss):950 pF
    - 输出电容 (Coss):120 pF
    - 反向传输电容 (Crss):60 pF
    - 总栅极电荷 (Qg):24 nC(VDS = 50 V, VGS = 10 V, ID = 3 A)

    3. 产品特点和优势


    - TrenchFET® 技术:提供更高的效率和更低的导通电阻,适合PWM操作。
    - 高耐热性:能够在高达150°C的结温下正常工作。
    - 全面测试:100%的栅极电阻测试确保可靠性。
    - 环保认证:符合RoHS指令2002/95/EC要求。

    4. 应用案例和使用建议


    MDD1903RH-VB 可用于多种开关应用,如电源转换器中的初级侧开关。实际使用中,建议进行充分的热设计以应对较高的功率损耗。对于大功率应用,应特别注意散热设计,以避免过热导致的性能下降。

    5. 兼容性和支持


    MDD1903RH-VB 采用 TO-252 封装,易于焊接和安装。与市面上常见的 DPAK 封装兼容。制造商提供详细的资料和应用指南,并通过服务热线 400-655-8788 提供技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:如何判断器件是否损坏?
    解答:检查器件的绝对最大额定值(例如,漏源电压 VDS 和栅源电压 VGS),确保没有超过这些限制。
    - 问题:如何优化热管理?
    解答:选择合适的散热器和良好的PCB布局,确保足够的空气流通和散热路径。

    7. 总结和推荐


    MDD1903RH-VB 以其高效能和可靠性的特点,在电力转换和开关应用中表现出色。其独特的 TrenchFET® 技术使其在高温环境下仍能保持稳定的性能。强烈推荐在需要高性能 MOSFET 的应用场景中使用该产品。

MDD1903RH参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 100V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 0.140Ω@VGS = 10 V,ID = 3 A
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 96W
配置 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 15A
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

MDD1903RH厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

MDD1903RH数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 MDD1903RH MDD1903RH数据手册

MDD1903RH封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.0733
库存: 200
起订量: 5 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 5.36
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504