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ME20P06

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-38A,RDS(ON),61mΩ@10V,72mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-ME20P06 TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) ME20P06

ME20P06概述

    ME20P06-VB P-Channel 60-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    ME20P06-VB 是一款由台湾 VBsemi 公司生产的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(P-Channel MOSFET)。该产品主要用于负载开关应用中,具有低导通电阻(RDS(on)),并且采用了先进的 TrenchFET® 技术。ME20P06-VB 的主要功能是用于控制电路中的电流流动,并能在高压环境下提供可靠的开关性能。

    2. 技术参数


    - 静态参数:
    - 导通电阻 RDS(on):0.061Ω (VGS=-10V, ID=-10A)
    - 零栅电压漏极电流 IDSS:-1µA (VDS=-60V, VGS=0V, TJ=125°C)
    - 反向转移电容 Crss:100pF
    - 栅源电荷 Qgs:2.1nC
    - 门极电阻 Rg:8.0Ω
    - 动态参数:
    - 开启延迟时间 td(on):6ns (VDD=-30V, RL=3.57Ω, ID≈-8.4A, VGEN=-10V, RG=2.5Ω)
    - 上升时间 tr:15ns
    - 关闭延迟时间 td(off):16ns
    - 下降时间 tf:8ns
    - 绝对最大额定值:
    - 栅源电压 VGS:±20V
    - 持续漏极电流 ID:-30A
    - 脉冲漏极电流 IDM:-20A
    - 单脉冲雪崩能量 EAS:7.2mJ
    - 热阻率:
    - 结点至空气热阻 RthJA:25°C时为20°C/W
    - 结点至外壳热阻 RthJC:5°C/W

    3. 产品特点和优势


    ME20P06-VB 的主要特点如下:
    - 采用 TrenchFET® 技术,提供极低的导通电阻(RDS(on))
    - 100%通过 UIS 测试,确保可靠性能
    - 支持高击穿电压,适用于高压环境
    这些特点使得 ME20P06-VB 在工业和汽车电子等领域中具有显著的竞争优势。

    4. 应用案例和使用建议


    ME20P06-VB 主要应用于负载开关领域,例如电源管理模块、马达驱动、汽车电子控制系统等。具体使用场景如下:
    - 在电源管理模块中,作为高效率的开关器件
    - 在马达驱动系统中,用于电机的快速启动和停止控制
    使用建议:
    - 在设计电路时,需注意器件的工作温度范围,避免过高的温升导致器件损坏
    - 确保足够的栅极驱动电压,以达到最佳的开关性能

    5. 兼容性和支持


    ME20P06-VB 支持标准 TO-252 封装,与多数电子设备具备良好的兼容性。同时,VBsemi 提供详尽的技术支持,包括产品文档、在线论坛及客户服务热线(400-655-8788)。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:在高功率运行下,器件出现过热现象
    - 解决方案:增加散热片或优化散热结构,确保器件在安全工作温度范围内运行
    - 问题2:在高压环境下工作,发现导通电阻异常增大
    - 解决方案:检查电路连接,确保正确的驱动电压和信号波形,必要时调整栅极电阻

    7. 总结和推荐


    ME20P06-VB 是一款性能卓越的 P 沟道 MOSFET,特别适合于需要高效开关性能的应用场合。其低导通电阻、高可靠性以及出色的动态特性使其成为众多领域的理想选择。强烈推荐使用 ME20P06-VB 产品,以满足各种严苛的工作环境需求。

ME20P06参数

参数
Id-连续漏极电流 30A
Rds(On)-漏源导通电阻 61mΩ@10V
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
FET类型 1个P沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

ME20P06厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

ME20P06数据手册

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ME20P06封装设计

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