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IPP084N06L3 G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,44mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.6Vth(V) 封装:TO220
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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPP084N06L3 G

IPP084N06L3 G概述

    IPP084N06L3 G MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IPP084N06L3 G 是一款高性能的N沟道60V(D-S)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这款MOSFET采用了TrenchFET®技术,能够提供出色的开关性能和低导通电阻,适用于多种电力电子应用。它具有宽泛的工作温度范围和高可靠性,适合用于工业、消费电子和其他需要高效率和可靠性的应用领域。

    2. 技术参数


    - 额定电压:60V(D-S)
    - 连续漏极电流(TC=25°C):120A
    - 连续漏极电流(TC=100°C):90A
    - 脉冲漏极电流:350A
    - 最大功率耗散(TC=25°C):136W
    - 热阻抗(稳态):40°C/W
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压(VDS):60V
    - 栅阈电压(VGS(th)):2-4V
    - 零栅电压漏极电流(IDSS):1µA
    - 开启状态漏极电流(ID(on)):60A
    - 开启状态漏源电阻(RDS(on)):5mΩ(VGS=10V,ID=20A)
    - 动态参数
    - 输入电容(Ciss):6800pF
    - 输出电容(Coss):570pF
    - 反向传输电容(Crss):325pF
    - 总栅极电荷(Qg):47-70nC

    3. 产品特点和优势


    - 高耐温性:能够在高达175°C的结温下正常工作。
    - 高效能:采用TrenchFET®技术,提供低导通电阻和优秀的开关性能。
    - 高可靠性:具有高抗雪崩能力和强电介质强度。
    - 紧凑设计:TO-220AB封装,便于安装和散热。

    4. 应用案例和使用建议


    IPP084N06L3 G 广泛应用于各种电力电子应用,如开关电源、电机驱动和照明系统。例如,在开关电源中,它可以作为高效的开关元件,降低功耗并提高转换效率。在使用时,建议在高频开关应用中考虑其寄生电容的影响,以避免不必要的损耗。此外,为确保最佳性能,建议使用大尺寸散热片进行散热。

    5. 兼容性和支持


    IPP084N06L3 G 与其他常见的TO-220AB封装的元件兼容,可以方便地替换现有设计中的其他同类产品。制造商提供了详尽的技术支持文档和售后服务,帮助用户解决在使用过程中遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:如何选择合适的散热片?
    - 解答:根据器件的最大功率耗散和热阻抗计算所需的散热面积。一般情况下,可以选择面积大于50cm²的铝制散热片,并配合导热膏使用。
    - 问题:如何降低电磁干扰?
    - 解答:在电路设计中合理布局和选择滤波元件,如增加旁路电容,减少长引线的使用,可有效降低电磁干扰。

    7. 总结和推荐


    综上所述,IPP084N06L3 G 是一款具备高效率、高可靠性和广泛应用领域的MOSFET。它的主要优点包括宽泛的工作温度范围、高耐温性以及优良的开关性能。因此,我们强烈推荐在需要高效率和可靠性的电力电子应用中使用此产品。

IPP084N06L3 G参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 0.015Ω(typ) VGS = 10 V,ID = 20 A,TJ = 175 °C
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 120A
最大功率耗散 136W
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IPP084N06L3 G厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPP084N06L3 G数据手册

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