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VBP15R50S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,500V,50A,RDS(ON),90mΩ@10V,mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~4Vth(V) 封装:TO247\n凭借其高电压和高电流处理能力以及较低的导通电阻,适用于各种需要高效、高电压和高功率的应用,为电源管理、电机驱动和开关应用
供应商型号: VBP15R50S TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBP15R50S

VBP15R50S概述


    产品简介


    VBP15R50S 是一款高性能 N 沟道 500V 超结功率 MOSFET,专为开关模式电源(SMPS)、不间断电源(UPS)及高频硬开关电路设计。此款 MOSFET 器件以其卓越的动态特性和低导通电阻(RDS(on))成为高速功率开关的理想选择,广泛应用于现代电力电子系统中。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | - | 500 | V |
    | 栅极漏电流 | IGSS | - | - | ±100 | nA |
    | 栅极漏极电荷 | Qgd | - | - | 180 | nC |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | - | 350 | nC |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 0.080 | - | Ω |
    | 开关门限电压(典型值) | VGS(th) | 3.0 | - | 5.0 | V |
    | 硬开关最大能量 | EAS | - | - | 910 | mJ |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | 150 | °C |

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷(Qg):简化驱动要求,降低功耗和热耗散。
    2. 增强的耐用性:在高开关速率下表现出色,能够承受强烈的栅极、雪崩和动态 dv/dt 条件。
    3. 低导通电阻:RDS(on) = 0.080Ω,在 10V 驱动条件下实现高效的电流处理能力。
    4. 全面的电容和雪崩特性:完全标定的电容及雪崩电压和电流特性,确保可靠性能。
    5. RoHS 合规:符合环保标准,适用于全球市场。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关模式电源(SMPS):通过低导通电阻和高效电容特性提供更稳定的电源输出。
    - 不间断电源(UPS):利用快速开关和抗雪崩性能保障不间断供电。
    - 硬开关电路:出色的动态特性支持高频率和复杂电路。
    使用建议
    - 在硬开关电路中,选择合适的栅极驱动电阻以避免过高的 dv/dt。
    - 对于高频应用,优先考虑优化 PCB 布局,减少寄生电感以提升效率。
    - 确保操作温度不超过 150°C,延长器件寿命并避免热失效。

    兼容性和支持


    - 兼容性:VBP15R50S 可与主流的驱动器和控制器无缝配合,如 STMicroelectronics 的系列驱动 IC。
    - 支持服务:厂商提供详尽的技术文档、样品支持及售后维护服务,客户可联系官方客服 400-655-8788 获取更多技术支持。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关延迟时间过长 | 增加栅极驱动电阻至适当范围。 |
    | 功耗过高 | 优化散热设计,增加外接散热片。 |
    | 雪崩模式触发异常 | 检查负载回路是否存在过压现象。 |

    总结和推荐


    VBP15R50S 凭借其低栅极电荷、低导通电阻、强耐受性及广泛的温度适应范围,在众多电力电子应用中展现了卓越性能。对于需要高效率和可靠性的用户来说,这款产品是理想的选择。强烈推荐给需要高性能 N 沟道超结功率 MOSFET 的客户。
    最终推荐指数:★★★★★(5/5)

VBP15R50S参数

参数
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 50A
Rds(On)-漏源导通电阻 90mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~4V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 500V
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBP15R50S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBP15R50S数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBP15R50S VBP15R50S数据手册

VBP15R50S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 12.5967
500+ ¥ 11.589
900+ ¥ 11.0851
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