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VBZMB15N80S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,800V,15A,RDS(ON),380mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: VBZMB15N80S TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZMB15N80S

VBZMB15N80S概述

    VBZMB15N80S N-Channel 800V Super Junction Power MOSFET

    产品简介


    VBZMB15N80S是一款高性能N沟道超级结功率MOSFET,适用于多种电力电子应用。其独特的设计使该产品具有极低的导通电阻(RDS(on))和总栅极电荷(Qg),从而实现卓越的开关效率和低损耗表现。产品的主要功能和应用领域包括:
    - 主要功能:
    - 超低栅极电荷(Qg)和导通电阻(RDS(on))。
    - 优异的开关性能,支持快速开关切换。
    - 高耐压等级(800V),适用于高压电力系统。
    - 应用领域:
    - 服务器和电信电源供应。
    - 开关模式电源(SMPS)。
    - 功率因数校正电源(PFC)。
    - 高强度放电(HID)照明和荧光灯电子镇流器。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | - | 800 | V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 0.38 | - | Ω |
    | 栅极总电荷 | Qg | - | 48 | 96 | nC |
    | 栅源电荷 | Qgs | - | 11 | - | nC |
    | 栅漏电荷 | Qgd | - | 21 | - | nC |
    | 反向恢复电荷 | Qrr | - | 4.6 | - | μC |
    | 源漏体二极管最大电流 | IS | - | - | 15 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | - | 297 | - | mJ |

    产品特点和优势


    - 超低FOM(Ron x Qg):极低的RDS(on)和Qg组合使得器件具备高效率,适合高频开关应用。
    - 快速开关性能:极低的栅极电荷减少了开关损耗,延长了器件寿命。
    - 增强的可靠性:具备雪崩能力,能够承受高能冲击。
    - 适用广泛:从低频到高频的应用都能发挥出色性能。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源供应:VBZMB15N80S能够在这些应用中显著降低能耗,提高能源效率。
    - HID和荧光灯电子镇流器:在这些高频环境中,该器件能够减少热管理需求并提升性能。
    - SMPS和PFC电路:利用其快速开关特性,在设计时可以考虑增加缓冲电路以优化整体性能。
    使用建议:
    - 在设计高速开关电路时,注意控制驱动电压的上升时间以避免过高的dV/dt。
    - 使用良好的散热设计以维持高效率和稳定运行。

    兼容性和支持


    - 封装:支持TO-220AB、TO-247AC等多种封装形式,满足不同应用需求。
    - 技术支持:提供详细的规格书和技术文档,并可通过400-655-8788联系技术服务团队获取帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:开关过程中出现过大的导通损耗。
    解决方案:检查栅极驱动电阻(Rg)的阻值是否合适,适当减小Rg可以提高开关速度。

    2. 问题:雪崩能量不足导致损坏。
    解决方案:确保在应用中加入合适的保护电路,比如吸收电容或TVS二极管。

    总结和推荐


    VBZMB15N80S以其出色的开关性能、低功耗和高可靠性成为众多应用的理想选择。它在服务器电源、照明和功率因数校正等领域表现出色,特别是在需要高频率和高效能的场合中具有明显优势。因此,我们强烈推荐此款产品用于相关电力电子设计中。如果您正在寻找一款高效且可靠的MOSFET器件,这款产品将是您的不二之选。
    服务热线:400-655-8788
    官网:[www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)

VBZMB15N80S参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 800V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 380mΩ@ 10V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 15A
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 30V
配置 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBZMB15N80S厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZMB15N80S数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZMB15N80S VBZMB15N80S数据手册

VBZMB15N80S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 11.6609
100+ ¥ 10.7972
500+ ¥ 9.9334
1000+ ¥ 9.5015
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