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VBM1104N

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,100V,55A,RDS(ON),36mΩ@10V,38mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220\n具有高性能和可靠性,适用于各种功率电子应用。其特点包括高漏极-源极电压和漏极电流能力,以及低阈值电压和漏极-源极电阻,适合要求高效率和高功率的电源和驱动器应用。
供应商型号: 14M-VBM1104N TO-220AB
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBM1104N

VBM1104N概述

    # VBM1104N N-Channel 100-V MOSFET 技术概述

    产品简介


    VBM1104N 是一款高性能的N沟道增强型功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),隶属于VBsemi公司推出的产品线。这款产品以其卓越的热稳定性和低导通电阻而闻名,适用于高功率应用环境。它采用先进的TrenchFET®技术设计,能够在高达175℃的结温下正常工作。该器件广泛应用于电源管理、电机控制、电池充电电路及开关模式转换器等领域。

    技术参数


    以下是VBM1104N的主要技术规格:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | - | 100 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±10 | - | ±20 | V |
    | 连续漏极电流 | ID | - | 55 | - | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | - | 35 | - | A |
    | 击穿电压 | V(BR)DSS | - | 100 | - | V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | 0.036 | - | 0.050 | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | 4500 | - | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 270 | - | pF |
    | 温度范围 | TJ | -55 | - | 175 | ℃ |

    产品特点和优势


    VBM1104N 的核心优势体现在以下几个方面:
    - 高可靠性:即使在极端温度条件下也能保持稳定性能。
    - 低导通损耗:极低的导通电阻减少了能量损耗,提高了能效比。
    - 快速开关速度:优秀的动态特性使其适合高频工作环境。
    - 紧凑封装:符合行业标准的TO-220AB封装便于集成于各种电路板上。

    应用案例和使用建议


    VBM1104N 可用于多种工业级电子设备中,例如服务器电源供应器、逆变器以及汽车电子系统等。为了确保最佳性能,在使用时应注意以下几点:
    - 确保正确的驱动电路设计以避免过压或欠压情况发生。
    - 配备适当的散热措施以维持长时间运行下的良好状态。
    - 对于需要更高耐压能力的应用场合,则需根据实际情况选择合适的型号升级替代品。

    兼容性和支持


    VBM1104N 支持广泛的接口协议,并且与其他主流品牌产品具有良好的互换性。VBsemi公司为客户提供全面的技术支持和服务网络,包括但不限于样品申请、定制化开发以及售后维修服务。此外,所有产品均符合RoHS标准要求,符合环保法规。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开机瞬间出现异常高温 | 检查外围电路是否正确连接,并适当降低负载量。 |
    | 长时间使用后发现性能下降 | 定期检查并清理可能存在的灰尘污垢。 |
    | 测试过程中无法达到预期效率 | 确认所选工作电压是否匹配实际需求。 |

    总结和推荐


    总体而言,VBM1104N 是一款性价比极高的N沟道功率MOSFET器件,尤其适合对成本敏感但又追求高效能表现的应用场景。无论是从技术指标还是实用角度来看,都显示出了很强的竞争优势。因此,我们强烈推荐此款产品给需要高效能低成本解决方案的企业和个人用户。如果您有任何疑问或者需要进一步的帮助,请随时联系我们的客服团队。

VBM1104N参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 100V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 36mΩ@10V,38mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
配置 -
Id-连续漏极电流 55A
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBM1104N厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBM1104N数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBM1104N VBM1104N数据手册

VBM1104N封装设计

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