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VBE2625

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-50A,RDS(ON),20mΩ@10V,25mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.76Vth(V) 封装:TO-252
供应商型号: 14M-VBE2625
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBE2625

VBE2625概述

    VBE2625 P-Channel 60V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    VBE2625 是一款P沟道60V(D-S)功率MOSFET,属于TrenchFET® 功率MOSFET类别。它主要用于负载开关应用。该器件采用TO-252封装,适用于多种电气和电子系统中,如电源管理和驱动电路。

    技术参数


    以下是根据技术手册提取的关键技术参数:
    - 最大额定值:
    - 漏源电压 \( V{DS} \): -60 V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ± 20 V
    - 连续漏电流 \( ID \)(\( TJ \) = 175 °C): -50 A
    - 脉冲漏电流 \( I{DM} \): -160 A
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 125 mJ
    - 静态参数:
    - 栅体泄漏 \( I{GSS} \)(\( V{DS} \) = 0 V, \( V{GS} \) = ± 20 V): ± 100 nA
    - 零栅电压漏电流 \( I{DSS} \)(\( V{DS} \) = -60 V, \( V{GS} \) = 0 V, \( TJ \) = 150 °C): -100 µA
    - 导通漏电流 \( I{D(on)} \)(\( V{DS} \) = -5 V, \( V{GS} \) = -10 V): -50 A
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \)(\( V{GS} \) = -10 V, \( ID \) = -17 A): 0.020 Ω
    - 前向跨导 \( g{fs} \)(\( V{DS} \) = -15 V, \( ID \) = -17 A): 61 S
    - 动态参数:
    - 输入电容 \( C{iss} \)(\( V{GS} \) = 0 V, \( V{DS} \) = -25 V, \( f \) = 1 MHz): 2950 pF
    - 输出电容 \( C{oss} \)(\( V{DS} \) = -25 V, \( f \) = 1 MHz): 380 pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \)(\( V{DS} \) = -25 V, \( f \) = 1 MHz): 305 pF
    - 总栅电荷 \( Qg \)(\( V{DS} \) = -30 V, \( V{GS} \) = -10 V, \( ID \) = -40 A): 110 nC ~ 165 nC
    - 热阻参数:
    - 结到环境热阻 \( R{thJA} \): 15°C/W(瞬态),18°C/W(稳态)
    - 结到外壳热阻 \( R{thJC} \): 0.82°C/W

    产品特点和优势


    - 高效能:低至0.020Ω的导通电阻,保证了低损耗和高效率。
    - 高可靠性:通过优化的设计和制造工艺,确保在高温和高压下的稳定性。
    - 宽温度范围:可在-55 °C到150 °C的温度范围内正常工作,适用于各种恶劣环境。
    - 快速开关特性:总栅电荷低,有助于实现快速的开关操作。

    应用案例和使用建议


    VBE2625适用于多种应用,特别是负载开关,比如电源管理、电机驱动等。使用建议包括:
    - 在高电流应用中注意散热设计,避免因过热导致器件损坏。
    - 在大电压波动的环境中使用时,需考虑适当的缓冲电路以保护MOSFET。
    - 根据具体的应用需求,选择合适的栅极驱动电压和电流,以确保最佳性能。

    兼容性和支持


    VBE2625 与大多数标准PCB兼容,可以通过TO-252封装轻松安装。制造商提供详细的技术文档和支持服务,包括数据手册、应用指南和技术支持热线,帮助用户进行正确的产品选型和应用设计。

    常见问题与解决方案


    - Q: VBE2625 的最大漏源电压是多少?
    - A: 最大漏源电压为-60V。

    - Q: 如何处理过高的温度?
    - A: 确保良好的散热设计,并根据热阻参数计算所需的散热器尺寸。
    - Q: 使用过程中是否会由于过高的电压而损坏?
    - A: 不会。但在使用过程中需要监控输入电压,确保不超过器件的最大额定值。

    总结和推荐


    VBE2625 P-Channel 60V MOSFET 在负载开关应用中表现优异,具有低导通电阻、高可靠性和广泛的温度适应能力。适用于多种电子系统,尤其是需要高性能和高可靠性的应用场景。强烈推荐给寻求高效能和稳定性的工程师和技术人员。

VBE2625参数

参数
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 113W
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个P沟道
Id-连续漏极电流 50A
Rds(On)-漏源导通电阻 20mΩ@10V,25mΩ@4.5V
栅极电荷 165NV
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.76V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.95nF@ 25V
通道数量 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

VBE2625厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBE2625数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBE2625 VBE2625数据手册

VBE2625封装设计

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