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VBZFB30N06

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,25A,RDS(ON),32mΩ@10V,36mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.4Vth(V) 封装:TO251 适用于需要中大功率场效应管的应用场景,例如电源模块、电机驱动模块、工业控制模块和电源管理模块等领域。
供应商型号: 14M-VBZFB30N06 TO-251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZFB30N06

VBZFB30N06概述

    N-Channel 60V (D-S) MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    产品类型与基本功能:
    VBZFB30N06是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用TrenchFET®技术制造。这种MOSFET具备低导通电阻和高电流处理能力,广泛应用于电源管理和电力转换领域。
    主要功能:
    - 高效电力开关
    - 集成保护功能,如UIS测试和浪涌电流承受能力
    - 低功耗设计
    应用领域:
    - 同步整流(Secondary Synchronous Rectification)
    - 直流/直流转换器(DC/DC Converter)
    - 适配器与开关电源的设计

    2. 技术参数


    以下是VBZFB30N06的关键技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极击穿电压 | VDS | 60 | — | — | V |
    | 栅极-源极阈值电压 | VGS(th) | 2 | 3.5 | — | V |
    | 漏极连续电流(TJ = 150°C)| ID | — | — | 5 A | A |
    | 导通电阻 | RDS(on) | — | 0.03 | — | Ω |
    | 输出电容 | Coss | 281 | — | — | pF |
    | 总栅极电荷 | Qg | 28 | 46 | — | nC |
    其他关键指标:
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 热阻抗(结点到环境):46°C/W
    - 安全操作区域(SOA):详见图表

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻(RDS(on)):典型值仅为0.03Ω,有效降低功耗,提升能效。
    - 快速开关性能:适合高频开关应用。
    - 可靠性认证:符合RoHS指令及无卤素标准(IEC 61249-2-21)。
    - 高电流处理能力:最大漏极电流为5A,适用于高负载场景。
    - TrenchFET®技术:提供更高的效率和更紧凑的设计。

    4. 应用案例和使用建议


    典型应用:
    - 同步整流电路中用于替代肖特基二极管。
    - 高频DC/DC转换器中作为主控开关管。
    使用建议:
    - 为确保最佳性能,建议将MOSFET安装在散热良好的PCB上。
    - 谨慎设置驱动电阻,避免过大的栅极振铃。
    - 在高温环境下使用时,需注意热管理,保证外壳温度不超过限制值。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与主流的电源管理芯片兼容,可轻松集成至现有系统。
    - 技术支持:VBsemi提供详尽的技术文档和支持服务,包括在线知识库、电话客服(400-655-8788)以及现场技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | MOSFET发热严重 | 加装散热片并优化布板设计。 |
    | 开关损耗过高 | 选择更低导通电阻的型号或调整驱动电压。 |
    | 开关速度不足 | 减少栅极串联电阻以加快响应时间。 |

    7. 总结和推荐


    VBZFB30N06以其卓越的性能和可靠性,在电源管理领域表现出色。其核心优势在于低导通电阻和快速开关性能,使其成为高频开关电源和同步整流的理想选择。对于需要高效能且紧凑设计的应用场景,强烈推荐此产品。
    推荐指数:★★★★★

VBZFB30N06参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.4V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 32mΩ@10V,36mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 25A
通道数量 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBZFB30N06厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZFB30N06数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZFB30N06 VBZFB30N06数据手册

VBZFB30N06封装设计

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