处理中...

首页  >  产品百科  >  RFP12N10L

RFP12N10L

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,18A,RDS(ON),127mΩ@10V,132mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: 14M-RFP12N10L TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) RFP12N10L

RFP12N10L概述

    RFP12N10L-VB N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    RFP12N10L-VB 是一款由VBsemi公司生产的N沟道100V(D-S)功率MOSFET。这款MOSFET采用先进的TrenchFET技术,具有低导通电阻和高热稳定性等特点,广泛应用于隔离式直流/直流转换器等领域。其主要功能是控制和开关电源,适合各种需要高效电能管理的应用场景。

    2. 技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源击穿电压 V(BR)DSS | 100 V |
    | 源漏导通电阻 rDS(on) | 0.127 | 0.130 | 0.170 | Ω |
    | 门限电压 VGS(th) | 2 | 3 | 4 | V |
    | 栅漏泄漏电流 IGSS | -100 100 | nA |
    | 持续栅极电压 VGS | ±20 V |
    | 持续漏极电流 ID | 18 A |
    | 脉冲漏极电流 IDM | 68 A |
    | 单脉冲雪崩能量 EAS | 200 mJ |

    3. 产品特点和优势


    - 高耐温性:可承受高达175°C的结温,适用于高温环境下的应用。
    - 低热阻封装:提供优异的散热性能,确保长期稳定运行。
    - 低导通电阻:低至0.127Ω的导通电阻使得功耗更低,效率更高。
    - 100% RG测试:所有产品都经过严格的栅极电阻测试,确保可靠性。
    - 先进工艺:采用TrenchFET技术,具有更高的性能和可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    RFP12N10L-VB常用于隔离式直流/直流转换器。这类转换器广泛应用于通信、工业控制及电源管理系统中,以实现高效的电源管理和转换。
    使用建议:
    1. 在高温环境下使用时,应注意散热措施,避免温度过高导致损坏。
    2. 在设计电路时,需考虑栅极驱动信号的强度,以确保MOSFET的正常工作。
    3. 高频应用时,应注意MOSFET的开关速度和损耗,以优化系统性能。

    5. 兼容性和支持


    RFP12N10L-VB 与标准的TO-220封装相兼容,适用于多种电路板布局。制造商提供了详尽的技术文档和支持服务,包括在线帮助、电话咨询等,帮助用户更好地了解和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    1. 问题:产品工作温度范围
    - 解决方案:确保产品工作温度在-55°C到175°C之间,超出此范围可能导致性能下降或损坏。

    2. 问题:产品过热
    - 解决方案:增加散热措施,如加装散热片或使用水冷系统。
    3. 问题:栅极驱动信号不足
    - 解决方案:检查并调整栅极驱动电路,确保提供足够的驱动信号。

    7. 总结和推荐


    总体来看,RFP12N10L-VB 是一款高性能的N沟道100V MOSFET,具备高耐温性、低热阻、低导通电阻等优点,特别适合于隔离式直流/直流转换器的应用。建议在类似应用中优先选择该产品。同时,制造商提供了良好的技术支持和服务,确保用户能够顺利使用该产品。
    以上为RFP12N10L-VB N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 的详细技术手册内容,希望对您有所帮助。

RFP12N10L参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Id-连续漏极电流 18A
Rds(On)-漏源导通电阻 0.127Ω(typ) VGS = 10 V,ID = 20 A
最大功率耗散 105W
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

RFP12N10L厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

RFP12N10L数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 RFP12N10L RFP12N10L数据手册

RFP12N10L封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.1918
库存: 890
起订量: 5 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 5.95
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504