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VBQF2120

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-12V,-14.5A,RDS(ON),15mΩ@4.5V,19mΩ@2.5V,8Vgs(±V);-0.9Vth(V) 封装:QFN8(3X3)
供应商型号: 14M-VBQF2120
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBQF2120

VBQF2120概述

    P-Channel 12 V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    P-Channel 12 V (G-S) MOSFET 是一种高压功率场效应晶体管(Power MOSFET),具有多个独特特性,适合应用于各种场合。这类器件主要作为PA开关、电池开关和负载开关使用。它的特点包括采用TrenchFET技术、小型化设计和符合RoHS标准。

    技术参数


    绝对最大额定值:
    - 漏源电压 \( V{DS} \): \(-12\) V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): \(\pm 8\) V
    - 连续漏极电流 \( I{D} \):
    - \( T{A} = 25 ^{\circ}\text{C} \): 无限制
    - \( T{A} = 70 ^{\circ}\text{C} \): \( 3.5 \text{A} \)
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): \( 80 \text{A} \)
    - 最大功率耗散 \( P{D} \):
    - \( T{C} = 25 ^{\circ}\text{C} \): \( 37 \text{W} \)
    - \( T{A} = 70 ^{\circ}\text{C} \): \( 1.96 \text{W} \)
    - 工作结温和存储温度范围 \( T{J}, T{STG} \): \(-55\) 至 \( 150 ^{\circ}\text{C} \)
    电气特性:
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \): \(-12\) V
    - 栅源阈值电压 \( V{GS(th)} \): \(-0.5\) 至 \(-1.5 \text{V} \)
    - 开启状态漏极电流 \( I{D(on)} \): \(-20 \text{A} \)
    - 开启状态电阻 \( R{DS(on)} \):
    - \( V{GS} = -4.5 \text{V} \): \( 0.015 \Omega \)
    - \( V{GS} = -2.5 \text{V} \): \( 0.021 \Omega \)
    - \( V{GS} = -1.8 \text{V} \): \( 0.023 \Omega \)
    - 总栅电荷 \( Qg \):
    - \( V{GS} = -5 \text{V} \): \( 38 \text{nC} \)
    - \( V{GS} = -4.5 \text{V} \): \( 35 \text{nC} \)
    热阻率:
    - 最大结到环境热阻 \( R{thJA} \): \( 31 \) 至 \( 42 \Omega/\text{W} \)
    - 最大结到脚(漏)稳态热阻 \( R{thJF} \): \( 13 \) 至 \( 16 \Omega/\text{W} \)

    产品特点和优势


    P-Channel 12 V MOSFET 的主要优势在于其采用了先进的TrenchFET技术,使其在小型化设计方面表现出色。它具有非常低的导通电阻和高可靠性,能够有效降低电路的整体功耗和发热,非常适合需要高效率和紧凑设计的应用场合。此外,该器件还符合RoHS和Halogen-Free标准,确保在环保方面的表现。

    应用案例和使用建议


    该器件主要应用于以下几个方面:
    - PA开关:用于通信设备中的功率放大模块。
    - 电池开关:用于便携式电子设备的电源管理。
    - 负载开关:用于实现负载控制和保护。
    在实际应用中,用户应考虑环境温度的影响,合理选择散热方式以确保器件安全运行。例如,在高温环境下,需要增加散热措施以保证设备正常工作。

    兼容性和支持


    该器件具有良好的兼容性,可以与各种主流的电子设备和电路板配合使用。厂商提供详细的使用说明和技术支持,确保用户在使用过程中能够得到必要的帮助。同时,制造商还提供相关的保修服务和返修政策,为用户提供全方位的支持。

    常见问题与解决方案


    在使用过程中,用户可能会遇到一些常见的问题,如过热、电流不稳定等。以下是一些可能的解决方案:
    - 过热问题:确保电路设计合理,合理布置散热片,加强散热。
    - 电流不稳定:检查电路连接是否正确,确保输入电压和电流符合要求。
    - 器件损坏:如果发现器件损坏,应及时联系供应商进行更换。

    总结和推荐


    总体而言,P-Channel 12 V MOSFET 是一款性能优异、用途广泛的电子元器件,特别适用于需要高可靠性和紧凑设计的应用场合。它的高效能和高稳定性使其成为市场上颇具竞争力的产品。对于那些注重性能和可靠性的应用来说,这款MOSFET是一个理想的选择。
    推荐使用:强烈推荐在对效率和可靠性有较高要求的应用中使用该产品。

VBQF2120参数

参数
Vgs-栅源极电压 8V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 900mV
最大功率耗散 -
FET类型 1个P沟道
Id-连续漏极电流 14.5A
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 12V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 15mΩ@4.5V,19mΩ@2.5V
通用封装 QFN-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBQF2120厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBQF2120数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBQF2120 VBQF2120数据手册

VBQF2120封装设计

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