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VB562K

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N+P—Channel沟道,±60V,0.8/-0.55A,RDS(ON),700/2060mΩ@10V,850/2410mΩ@4.5V,20Vgs(±V);±1~3Vth(V) 封装:TSOP-6
供应商型号: 14M-VB562K
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VB562K

VB562K概述


    产品简介


    产品名称:VB562K N-Channel 和 P-Channel TrenchFET® Power MOSFET
    产品类型:功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
    主要功能:VB562K 是一款高性能的 N-Channel 和 P-Channel 功率 MOSFET,适用于高效率的开关电源、电机控制、负载驱动和其他电力电子应用。此 MOSFET 具备低导通电阻(RDS(on)),能够有效降低损耗,提升系统整体效率。
    应用领域:通信设备、工业自动化、电动汽车、太阳能逆变器等。

    技术参数


    电气特性:
    - 电压等级:60V
    - 导通电阻:
    - N-Channel:0.7Ω @ VGS = 10V, 0.75Ω @ VGS = 4.5V
    - P-Channel:2.6Ω @ VGS = -10V, 2.41Ω @ VGS = -4.5V
    - 连续漏极电流:
    - N-Channel:0.8A @ TJ = 150°C, TA = 25°C; 0.7A @ TJ = 150°C, TA = 70°C
    - P-Channel:0.5A @ TJ = 150°C, TA = 25°C; 0.45A @ TJ = 150°C, TA = 70°C
    - 栅极-源极电压:±20V
    - 最大脉冲漏极电流:N-Channel 0.75W @ TA = 25°C; 0.43W @ TA = 70°C
    - 最大功率耗散:N-Channel 0.75W @ TA = 25°C; 0.43W @ TA = 70°C
    - 热阻:
    - 最大结至环境热阻:93°C/W(暂态);110°C/W(稳态)
    - 最大结至引脚热阻:75°C/W(稳态)

    产品特点和优势


    优势:
    - 环保材料:符合IEC 61249-2-21标准,无卤素。
    - 100% Rg 测试:确保产品质量。
    - 符合RoHS指令:不含铅和其他有害物质,适用于多种现代电子产品。
    - 低导通电阻:提供更低损耗,提升能效。
    - 高温稳定性:可在-55°C到150°C的工作温度范围内正常工作,适合严苛环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电动汽车:用于车载充电器和DC-DC转换器。
    - 工业自动化:用于电机驱动器和伺服控制系统。
    - 太阳能逆变器:高效地进行能量转换。
    使用建议:
    - 在选择具体型号时,需考虑实际应用的电压和电流需求。
    - 建议使用散热片以提升散热效果,特别是在高电流运行环境下。
    - 为避免瞬态过压损坏器件,在设计电路时考虑添加适当的保护措施。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - VB562K MOSFET 具有标准化的 TSOP-6 封装,可以轻松与其他通用电路板和工具兼容。
    - 其与现有设备的连接非常便捷,适配广泛的应用场景。
    支持:
    - 技术服务:提供详细的安装和调试指导,确保产品最佳性能。
    - 售后保障:设有完善的售后服务体系,解决客户使用过程中遇到的技术问题。

    常见问题与解决方案


    问题:导通电阻过高,影响效率。
    - 解决方法:检查连接是否良好,确保焊点无虚焊现象;若仍存在问题,可能需要重新调整电压设置。
    问题:长时间运行温度过高。
    - 解决方法:确保电路板周围有足够的散热空间,可考虑增加散热片或风扇辅助散热。

    总结和推荐


    综合评估:
    - VB562K N-Channel 和 P-Channel TrenchFET® Power MOSFET 的主要优点在于其高效率、稳定性和环保特性。
    - 非常适合应用于高可靠性要求的环境中,如电动汽车、太阳能逆变器等。
    推荐:
    - 强烈推荐给需要高效能、低损耗且具有高可靠性的电力电子设备制造商和设计师使用。
    通过详细的技术手册,我们可以看出 VB562K MOSFET 在电力电子领域有着卓越的表现,无论是在技术参数还是实际应用方面,都是一个值得信赖的选择。

VB562K参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 ±1V~3V
Rds(On)-漏源导通电阻 700/2060mΩ@10V,850/2410mΩ@4.5V
FET类型 N+P沟道
配置 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 ±60V
Id-连续漏极电流 800mA,550mA
通用封装 TSOP-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VB562K厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VB562K数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VB562K VB562K数据手册

VB562K封装设计

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