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KD2305

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V) 封装:SOT23-3
供应商型号: 14M-KD2305 SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) KD2305

KD2305概述

    KD2305-VB P-Channel 20-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    KD2305-VB 是一款P沟道20V(漏源)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这款MOSFET主要应用于负载开关、功率放大器开关和直流/直流转换器等领域。由于其低导通电阻和高电流承载能力,它能够有效提升电路的效率和可靠性。

    2. 技术参数


    - 电压参数
    - 漏源电压 \(V{DS}\): -20V
    - 源漏体二极管电压 \(V{SD}\): -1.2V 至 -0.8V
    - 漏源击穿电压 \(V{DS(breakdown)}\): -20V
    - 电流参数
    - 持续漏极电流 \(ID\): -3.5A (在 25°C 下)
    - 脉冲漏极电流 \(I{DM}\): -10A
    - 源漏体二极管持续电流 \(IS\): -2.1A (在 25°C 下)
    - 电阻参数
    - 导通电阻 \(R{DS(on)}\):
    - 在 \(V{GS} = -10V\), \(ID = -3A\) 下为 0.060Ω
    - 在 \(V{GS} = -4.5V\), \(ID = -2.5A\) 下为 0.065Ω
    - 在 \(V{GS} = -2.5V\), \(ID = -2A\) 下为 0.080Ω
    - 电容参数
    - 输入电容 \(C{iss}\): 835pF (在 \(V{DS} = -10V\), \(V{GS} = 0V\) 下)
    - 输出电容 \(C{oss}\): 180pF
    - 反向转移电容 \(C{rss}\): 155pF
    - 开关特性
    - 总栅极电荷 \(Qg\): 10nC (在 \(V{DS} = -10V\), \(V{GS} = -4.5V\), \(ID = -3.1A\) 下)
    - 门极电阻 \(Rg\): 0.9Ω (在 \(f = 1MHz\) 下)

    3. 产品特点和优势


    - 无卤素材料: 符合IEC 61249-2-21标准。
    - TrenchFET® 技术: 高效能的电源MOSFET。
    - 100% Rg 测试: 确保产品质量。
    - RoHS合规: 符合欧盟RoHS指令。

    4. 应用案例和使用建议


    - 负载开关: 适用于需要高效切换的负载管理。
    - PA开关: 在功率放大器中提供高效的开关操作。
    - DC/DC转换器: 用于需要低损耗转换的应用场景。
    使用建议:
    - 确保在使用时保持适当的散热,避免过热损坏。
    - 根据具体应用场景调整栅极驱动电压,以获得最佳的开关性能。
    - 注意选择合适的电路布局,以减少寄生电感和电容的影响。

    5. 兼容性和支持


    - 封装类型: TO-236 (SOT-23),便于表面贴装。
    - 兼容性: 适用于多种标准PCB设计,易于集成到现有系统中。
    - 支持和服务: 提供技术文档和技术支持,客户可以联系服务热线400-655-8788获取更多信息。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 过热损坏。
    - 解决方案: 添加外部散热片或使用更大尺寸的散热器。
    - 问题: 开关频率过高导致损耗增加。
    - 解决方案: 减少开关频率,优化驱动电路的设计。
    - 问题: 无法达到预期的开关速度。
    - 解决方案: 优化栅极电阻值,降低开关时间。

    7. 总结和推荐


    KD2305-VB 是一款高性能的P沟道MOSFET,具备出色的导通电阻和低损耗特性。适用于多种高要求的电子应用。其无卤素、RoHS合规和高可靠性使其成为市场上颇具竞争力的产品。强烈推荐在负载开关、PA开关和DC/DC转换器中使用此产品。

KD2305参数

参数
通道数量 -
FET类型 1个P沟道
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 2.5W
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 5A
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 0.061Ω@VGS = - 2.5 V,ID = - 3.7 A
Vds-漏源极击穿电压 20V
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

KD2305厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

KD2305数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 KD2305 KD2305数据手册

KD2305封装设计

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