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SDM9435A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-6A,RDS(ON),40mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:SO-8
供应商型号: SDM9435A SO-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) SDM9435A

SDM9435A概述

    # SDM9435A-VB P-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    SDM9435A-VB 是一款采用 TrenchFET® 技术的 P 沟道 30V (D-S) 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这款产品符合无卤素要求,根据 IEC 61249-2-21 定义;同时,它也符合 RoHS 指令 2002/95/EC。SDM9435A-VB 主要应用于开关电源、电池管理和电源逆变等领域,能够有效提升系统的效率和可靠性。

    技术参数


    以下是 SDM9435A-VB 的关键技术和性能参数:
    - 静态参数:
    - 栅极阈值电压 (VGS(th)):-0.7 至 -2.0 V
    - 栅体漏电流 (IGSS):±100 nA
    - 零栅电压漏电流 (IDSS):≤ -1 µA
    - 开启状态漏电流 (ID(on)):-20 A(VDS ≤ -10 V,VGS = -10 V)
    - 开启状态源电流 (IS):-2.3 A(TJ = 70 °C)
    - 动态参数:
    - 总栅极电荷 (Qg):16 nC
    - 上升时间 (tr):14 ns
    - 下降时间 (tf):30 ns
    - 反向恢复时间 (trr):30 µs
    - 热阻参数:
    - 最大结到环境热阻 (RthJA):40-50 °C/W
    - 最大结到脚 (Drain) 热阻 (RthJF):24-30 °C/W
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (VDS):-30 V
    - 栅源电压 (VGS):±20 V
    - 持续漏电流 (ID):-5.8 A(TA = 25 °C),-4.1 A(TA = 70 °C)
    - 脉冲漏电流 (IDM):-30 A
    - 最大功率耗散 (PD):2.5 W(TA = 25 °C),1.3 W(TA = 70 °C)

    产品特点和优势


    SDM9435A-VB 采用先进的 TrenchFET® 技术,具备以下优势:
    - 低导通电阻 (RDS(on)):在不同栅源电压下的导通电阻仅为 0.033 Ω(VGS = -10 V)至 0.056 Ω(VGS = -4.5 V),确保高效率操作。
    - 出色的温度特性:在不同温度下表现出良好的稳定性和可靠性。
    - 高集成度和小型化设计:符合 SO-8 封装标准,适用于紧凑型设计。
    - 无卤素和 RoHS 合规:满足环保标准,适合广泛的应用场景。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    SDM9435A-VB 可用于多种应用场景,如开关电源中的同步整流、电池管理系统的保护电路以及工业控制设备中的信号调节。例如,在一个典型的开关电源应用中,SDM9435A-VB 可以有效地减少导通损耗,提高转换效率。
    使用建议
    - 在高电流应用中,应注意散热设计,以避免因温度过高导致性能下降。
    - 对于频繁开关的应用,建议采用优化的驱动电路来减少开关损耗。
    - 考虑到栅极电荷的影响,选择合适的驱动电阻可以改善整体性能。

    兼容性和支持


    SDM9435A-VB 具有标准的 SO-8 封装,易于与其他器件配合使用。厂商提供详尽的技术支持和售后维护,包括技术支持热线(400-655-8788)和官方网站(www.VBsemi.com)上的资源库,以帮助客户解决使用过程中可能遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案
    1. 问题:导通电阻异常升高。
    - 解决办法:检查工作温度是否超出正常范围,或重新校准栅极驱动电压。
    2. 问题:功率耗散过大。
    - 解决办法:增加散热措施,如使用散热片或散热器,或者优化电路布局。
    3. 问题:栅极泄露电流过大。
    - 解决办法:检查外部栅极电阻是否适当,必要时更换高质量的栅极电阻。

    总结和推荐


    SDM9435A-VB 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET,具有低导通电阻、良好的温度特性、无卤素和 RoHS 合规等特点,非常适合应用于电源管理和电池管理系统等领域。总体而言,强烈推荐使用此产品,尤其是对效率和可靠性有较高要求的应用场景。

SDM9435A参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 5.8A
最大功率耗散 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 42mΩ@10V
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
通道数量 -
FET类型 1个P沟道
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

SDM9435A厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

SDM9435A数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 SDM9435A SDM9435A数据手册

SDM9435A封装设计

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