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VBK162K

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,0.35A,RDS(ON),1800mΩ@10V,2160mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~2.5Vth(V) 封装:SC-70-3
供应商型号: 14M-VBK162K SC-70-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBK162K

VBK162K概述


    产品简介


    N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
    该产品是一款N沟道MOSFET(场效应晶体管),额定电压为60伏特。它具有低导通电阻(RDS(on))、低门限电压和快速开关速度,适用于多种电子电路的应用场景。其独特之处在于采用了TrenchFET®技术,这使得其性能更加优越,同时符合RoHS标准。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | 60 | - | V |
    | 门限电压 | VGS(th) | 1 | 2.5 | - | V |
    | 门极泄露电流 | IGSS | -10 | - | +10 | µA |
    | 零门电压漏电流 | IDSS | -1 | - | 500 | µA |
    | 导通状态漏电流 | ID(on) | 500 | - | - | mA |
    | 导通状态电阻 | RDS(on) | - | 2 | - | Ω |
    | 转导电导率 | gfs | - | 100 | - | mS |
    | 开关时间 | td(on)/td(off)| 25 | - | 35 | ns |

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:典型值仅为2Ω,有助于减少功率损耗,提高效率。
    - 低门限电压:门限电压低至1V(典型值),易于驱动且无需缓冲电路。
    - 快速开关速度:开关时间为25ns(典型值),适合高速电路设计。
    - 兼容性强:符合RoHS指令,无卤素设计,满足环保要求。
    - 高可靠性:采用TrenchFET®技术,保证了产品的长期稳定性和可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 逻辑电平接口:可以直接与TTL/CMOS接口连接,适用于各种数字电路。
    2. 驱动电路:可用于控制继电器、电磁阀、灯泡、锤子、显示器、存储器等设备。
    3. 电池供电系统:由于其低功耗特性,非常适合便携式设备和电池供电的应用场景。
    使用建议
    - 在选择驱动电路时,确保驱动电压不超过门限电压。
    - 注意散热设计,特别是在高电流工作条件下,以避免过热损坏。
    - 对于高速开关应用,应考虑寄生电容的影响,适当增加滤波措施。

    兼容性和支持


    该MOSFET与大多数标准电路板兼容,支持表面贴装技术(SMT)。VBsemi公司提供全面的技术支持和服务,包括产品文档、样品请求和技术咨询。如有需要,客户可以通过服务热线400-655-8788联系公司获取更多帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 检查门极电阻值,适当减小电阻值。 |
    | 热稳定性差 | 改善散热设计,增加散热片或风扇。 |
    | 工作温度异常 | 检查环境温度是否超出正常范围。 |

    总结和推荐


    总体而言,这款N-Channel 60-V MOSFET凭借其卓越的性能参数、广泛的应用场景以及良好的市场竞争力,是一个值得推荐的选择。无论是对于初学者还是专业工程师来说,这款产品都能够满足大部分基本需求,并且在成本效益方面表现优异。因此,强烈建议在相关项目中优先考虑使用此款产品。

VBK162K参数

参数
Id-连续漏极电流 350mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1800mΩ@10V,2160mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~2.5V
配置 -
通用封装 SC-70-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBK162K厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

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