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MTP75N05HD

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,44mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.6Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: 14M-MTP75N05HD TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) MTP75N05HD

MTP75N05HD概述

    MTP75N05HD-VB N-Channel 60V MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    MTP75N05HD-VB 是一款由 VBsemi 生产的 N-Channel 60V(漏极到源极)功率 MOSFET。这款 MOSFET 适用于多种应用,包括电源转换、电机驱动和通信设备等。其主要功能是作为开关元件,在高电流和电压条件下提供低电阻通路,从而实现高效的电能转换和控制。

    技术参数


    以下是 MTP75N05HD-VB 的关键技术规格和性能参数:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 60 V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 2 | 4 V |
    | 栅体泄漏电流 | IGSS | ±100 nA |
    | 零栅电压漏极电流 | IDSS | 1 50 | µA |
    | 导通电阻(10V) | RDS(on) | 5 15 | mΩ |
    | 动态输入电容 | Ciss | 680 pF |
    | 动态输出电容 | Coss | 570 pF |
    | 反向转移电容 | Crss | 325 pF |
    | 重复雪崩能量(≤1%占空比) | EAS | 125 mJ |
    | 最大连续功率耗散(TJ = 25°C) | PD | 136 W |
    此外,该 MOSFET 具有高达 175°C 的工作温度范围和卓越的可靠性,能够承受高温环境下的运行。

    产品特点和优势


    1. TrenchFET® 技术:这种先进的沟槽场效应晶体管技术显著降低了导通电阻,从而提高了效率。
    2. 宽泛的工作温度范围:MTP75N05HD-VB 能够在 -55°C 到 175°C 的极端温度下稳定工作。
    3. 高可靠性:出色的耐热性和强大的电流处理能力确保了其在恶劣环境中的可靠运行。
    这些特点使得 MTP75N05HD-VB 成为高性能电力管理和转换应用的理想选择,尤其适合需要高电流和高温环境的应用场合。

    应用案例和使用建议


    MTP75N05HD-VB 可广泛应用于多种领域,例如:
    - 电源转换:由于其高效率和低导通电阻,非常适合于 DC-DC 转换器。
    - 电机驱动:在需要精确控制和高效驱动的电机应用中表现出色。
    - 通信设备:适用于需要高功率密度和紧凑设计的通信基础设施。
    使用建议:
    1. 散热管理:为了确保长期稳定性,建议在高电流和高频操作时进行适当的散热处理。
    2. 匹配电路设计:合理设计驱动电路和负载匹配以充分发挥其性能。

    兼容性和支持


    MTP75N05HD-VB 与标准 TO-220AB 封装兼容,易于安装和更换。VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,帮助客户解决在使用过程中可能遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 什么是绝对最大额定值?
    A: 绝对最大额定值是产品能够安全承受的最大物理和电气条件,超出此范围可能导致设备损坏。
    2. Q: 如何计算 MTP75N05HD-VB 的功率损耗?
    A: 功率损耗可由公式 PD = VDS ID 计算得出,其中 VDS 为漏源电压,ID 为漏极电流。

    总结和推荐


    MTP75N05HD-VB 以其优异的电气特性和宽泛的工作温度范围,在电力管理和转换应用中展现出强大的性能。它的耐用性和高效率使其成为电力系统中不可或缺的一部分。强烈推荐用于要求高可靠性和高效能的应用场合。

MTP75N05HD参数

参数
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 136W
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 120A
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 0.015Ω@VGS = 10 V,ID = 20 A
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

MTP75N05HD厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

MTP75N05HD数据手册

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