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VBZL150N03

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,210A,RDS(ON),3.2mΩ@10V,12.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.9Vth(V) 封装:TO-263
供应商型号: 14M-VBZL150N03
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBZL150N03

VBZL150N03概述


    产品简介


    VBZL150N03 是一款 N 沟道 60 V MOSFET,采用 D2PAK (TO-263) 封装。这款 MOSFET 主要用于电源转换和其他高效率电力控制应用,如逆变器、DC-DC 转换器和电机驱动系统。它具备出色的开关特性和低导通电阻,使其成为高效能功率转换应用的理想选择。

    技术参数


    | 参数 | 描述 | 值 |
    |
    | VDS (Drain-Source电压) | 最大漏源电压 | 60 V |
    | RDS(on) (导通电阻) | 导通电阻(VGS=10 V) | 0.0028 Ω |
    | ID (连续漏电流) | 连续漏电流(TC=25°C) | 210 A |
    | IDM (脉冲漏电流) | 脉冲漏电流(持续时间≤300 μs,占空比≤2%) | 480 A |
    | PD (最大功耗) | 最大功耗(TC=25°C) | 375 W |
    | RthJA (热阻) | 结到环境的热阻(PCB安装) | 40 °C/W |
    | TJ (工作结温范围) | 工作结温范围 | -55 to +175 °C |

    产品特点和优势


    VBZL150N03 的独特之处在于其高效率和低功耗特性,特别是在高频开关应用中表现优异。其 RDS(on) 非常低,仅为 0.0028 Ω,这意味着在运行过程中几乎不会产生额外的热量。此外,这款 MOSFET 符合 RoHS 和无卤素标准,满足环保要求。其低热阻特性也确保了良好的散热效果,延长了使用寿命。

    应用案例和使用建议


    典型应用包括逆变器、DC-DC 转换器和电机驱动系统。在这些应用中,VBZL150N03 可以显著提高系统的效率和可靠性。为了最大限度地发挥其性能,建议使用大面积的散热片来提高散热效果,同时避免过高的电流密度。对于复杂的电路设计,最好参考制造商提供的电路图和应用指南进行布局。

    兼容性和支持


    VBZL150N03 与多种电子元器件兼容,特别适用于高效率的电力转换系统。制造商提供详尽的技术支持文档和客户服务热线(400-655-8788),可帮助解决任何设计或使用中的问题。如果需要进一步的技术支持,客户可以直接联系制造商的工程师团队。

    常见问题与解决方案


    1. Q:VBZL150N03 是否适合高频开关应用?
    - A:是的,该 MOSFET 在高频下具有良好的性能,特别是在 1 MHz 以上的频率下表现出色。
    2. Q:VBZL150N03 的最大允许电流是多少?
    - A:在脉冲条件下,最大允许电流为 480 A(脉冲宽度 ≤ 300 μs,占空比 ≤ 2%)。
    3. Q:VBZL150N03 是否支持 RoHS?
    - A:是的,该 MOSFET 完全符合 RoHS 和无卤素标准,适用于环保需求的应用场合。

    总结和推荐


    总体而言,VBZL150N03 是一款高性能、高可靠性的 N 沟道 60 V MOSFET。其低导通电阻、高电流能力和出色的热管理能力使其成为各种电力转换应用的理想选择。我们强烈推荐这款产品用于需要高效、可靠性能的高电流应用场合。对于需要更多技术支持或特定应用咨询的客户,制造商提供了详尽的支持服务。
    通过以上内容,可以全面了解 VBZL150N03 MOSFET 的特点、优势和适用场景,以便于在不同的应用中更好地利用这一高性能组件。

VBZL150N03参数

参数
通道数量 -
Id-连续漏极电流 210A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 3.2mΩ@10V,12.5mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.9V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 -
配置 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VBZL150N03厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBZL150N03数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBZL150N03 VBZL150N03数据手册

VBZL150N03封装设计

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