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VBFB165R04

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款 Single N MOSFET,采用 SJ_Deep-Trench 技术,封装为 TO251。具有高性能和稳定性,适用于各种功率控制和开关应用。\n650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: 14M-VBFB165R04
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBFB165R04

VBFB165R04概述

    # VBFB165R04 N-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    基本介绍
    VBFB165R04 是一款高性能的 N-Channel MOSFET(功率场效应晶体管),专为高效率和低损耗设计。该产品属于 TO-251 封装形式,具有出色的击穿电压(VDS)和极低的导通电阻(RDS(on)),广泛应用于开关电源、逆变器、电机驱动和其他功率电子领域。
    主要功能与应用领域
    - 主要功能:VBFB165R04 具备高耐压能力(650V),能够承受短时高压脉冲,同时提供较低的导通电阻,减少功耗。其低门极电荷(Qg)特性简化了驱动电路的设计要求。
    - 应用领域:
    - 开关电源
    - 高频逆变器
    - 工业电机驱动
    - 不间断电源系统(UPS)
    - 汽车电子(如车载充电器)

    技术参数


    以下是 VBFB165R04 的关键技术参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 击穿电压 | VDS | - | 650 | - | V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 2.1 | - | Ω |
    | 门极电荷 | Qg | - | 48 | - | nC |
    | 输入电容 | Ciss | - | 1417 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 177 | - | pF |
    | 动态漏极电流(单脉冲) | IDM | - | 18 | - | A |
    | 最大结温 | TJ, Tstg | -55 | 150 | - | °C |
    其他关键参数:
    - 工作温度范围:-55 至 +150°C
    - 最大功率耗散:60W(@25°C)
    - 封装:TO-251

    产品特点和优势


    独特功能
    1. 低门极电荷:门极电荷低至 48nC,显著降低了驱动电路的复杂度和功耗。
    2. 增强耐用性:具有卓越的门极、雪崩和动态 dV/dt 耐久性,可应对极端的工作环境。
    3. 全参数化测试:器件的各项参数(如输出电容、雪崩电压和电流)均经过全面测试和验证。
    市场竞争力
    - 极低的导通电阻(2.1Ω),适用于高频高效开关应用。
    - 符合 RoHS 和无卤素标准,满足环保要求。
    - 在高温环境下依然保持稳定的性能表现,适合恶劣环境下的工业和汽车应用。

    应用案例和使用建议


    实际应用场景
    VBFB165R04 可用于多种典型电路,例如:
    - 开关电源:实现高频率的 DC-DC 转换,提升转换效率。
    - 逆变器:通过低导通电阻和快速开关特性减少损耗。
    - 电机驱动:适用于需要快速响应和高效能的场合。
    使用建议
    1. 散热管理:由于器件的最大功率耗散为 60W,在设计时需确保良好的热管理,避免过热导致性能下降。
    2. 驱动电路设计:利用低门极电荷特性,可以减少门极驱动芯片的需求,降低整体成本。
    3. 选择合适的输入电压:确保 VGS 电压不超过额定值(±30V),以防止器件损坏。

    兼容性和支持


    兼容性
    VBFB165R04 与其他主流 MOSFET 驱动芯片和控制器兼容,适配广泛的应用需求。
    厂商支持
    制造商提供全面的技术支持和售后服务,包括样品申请、定制化服务和技术文档下载。客户可通过服务热线(400-655-8788)联系获得帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 温度过高导致器件失效 | 检查散热设计是否充分;增加散热片。 |
    | 开关速度慢 | 优化门极驱动电路,提高驱动信号强度。 |
    | 雪崩能量不足 | 确保使用正确的驱动条件并遵循推荐值。 |

    总结和推荐


    综合评估
    VBFB165R04 是一款面向高效率和低损耗需求的高性能 N-Channel MOSFET,具备优异的电气特性和可靠性。其低门极电荷、低导通电阻和出色的耐久性使其成为工业和汽车电子领域的理想选择。
    推荐意见
    强烈推荐在高频开关电源、电机驱动和逆变器等应用中使用 VBFB165R04。其高性价比和高可靠性使它在市场上具有较强的竞争力。
    最终评分:★★★★★(满分五星)
    如有更多疑问,请联系技术服务团队:400-655-8788。

VBFB165R04参数

参数
Id-连续漏极电流 4A
通道数量 -
最大功率耗散 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 2.2Ω@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

VBFB165R04厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VBFB165R04数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 VBFB165R04 VBFB165R04数据手册

VBFB165R04封装设计

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