处理中...

首页  >  产品百科  >  ZXMN6A07FTA

ZXMN6A07FTA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,4A,RDS(ON),85mΩ@10V,96mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SOT23-3
供应商型号: 14M--ZXMN6A07FTA SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) ZXMN6A07FTA

ZXMN6A07FTA概述

    ZXMN6A07FTA-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    ZXMN6A07FTA-VB 是一款由VBsemi公司生产的N沟道增强型功率MOSFET。它适用于电池开关和DC/DC转换器等领域,具有高可靠性及高效的电流控制能力。其独特的设计使其在高温环境下仍能保持良好的性能。

    技术参数


    - 主要参数
    - 漏源电压(VDS):60V
    - 额定连续漏极电流(ID):4A(TC = 25°C),在最大工作温度下为2.5A
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):12A
    - 最大源漏二极管电流(IS):1.39A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):1.8mJ
    - 最大功率耗散(PD):1.66W(TC = 25°C)
    - 电气特性
    - 开启状态下的漏源电阻(RDS(on)):0.075Ω(VGS = 10V时)
    - 输入电容(Ciss):18pF(VDS = 30V时)
    - 输出电容(Coss):2pF(VDS = 30V时)
    - 反向传输电容(Crss):13pF(VDS = 30V时)
    - 总栅极电荷(Qg):2.1nC(VGS = 10V时)

    - 工作环境
    - 工作温度范围:-55°C 到 150°C
    - 存储温度范围:-55°C 到 150°C
    - 热阻抗(RthJA):≤ 115°C/W
    - 最大接点到外壳热阻(RthJF):≤ 75°C/W

    产品特点和优势


    - 卤素无铅:符合IEC 61249-2-21标准,环保无害。
    - 内建栅极电阻:提供1Ω的栅极电阻,有助于减少寄生效应。
    - 可靠性测试:所有产品都经过100%栅极电阻和雪崩耐受力测试,确保在极端条件下的稳定性。
    - 低栅极电荷:总栅极电荷仅为2.1nC,有助于降低开关损耗。
    - 高精度阈值电压:具有良好的阈值电压温度系数,保证在不同温度下的性能一致性。

    应用案例和使用建议


    - 电池开关:适合于需要频繁开关的电路,例如锂离子电池的充放电控制。
    - DC/DC转换器:适用于需要高效功率转换的应用场合,例如便携式电源设备。
    - 建议:在高功率应用中,建议采用散热片以提高散热效率,降低温升。

    兼容性和支持


    - 封装形式:SOT-23 (TO-236),适用于表面贴装。
    - 支持与维护:VBsemi提供详细的技术文档和客户支持,可以通过服务热线400-655-8788联系。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:栅极电荷过高
    - 解决办法:检查电路设计是否合理,考虑增加外部栅极电阻。
    - 问题2:热失控
    - 解决办法:增加散热措施,如安装散热片或散热器。
    - 问题3:电流异常
    - 解决办法:检查电路连接是否正确,测量VGS和ID是否符合规格。

    总结和推荐


    ZXMN6A07FTA-VB是一款优秀的N沟道MOSFET,具备出色的性能和可靠性。它的低栅极电荷和卤素无铅设计使其非常适合现代电子产品的需求。对于需要高频开关和高效功率转换的应用场合,强烈推荐使用此产品。总的来说,这是一款值得信赖的产品,建议在相关项目中使用。

ZXMN6A07FTA参数

参数
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 3.2nC
通道数量 -
Id-连续漏极电流 4A
最大功率耗散 1.66W
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 18mΩ@ 500mA,10V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

ZXMN6A07FTA厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

ZXMN6A07FTA数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 ZXMN6A07FTA ZXMN6A07FTA数据手册

ZXMN6A07FTA封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.4682
库存: 848
起订量: 5 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 2.34
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0