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SI3443BDV-T1-E3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-4.8A,RDS(ON),49mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:SOT23-6
供应商型号: 14M-SI3443BDV-T1-E3 SOT23-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) SI3443BDV-T1-E3

SI3443BDV-T1-E3概述

    SI3443BDV-T1-E3-VB P-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    SI3443BDV-T1-E3-VB 是一款P沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于负载开关应用。该产品采用了创新的TrenchFET技术,能够实现低导通电阻(RDS(on)),并具有良好的电气特性和可靠性。适用于各种电力管理和控制电路。

    2. 技术参数


    - 基本规格
    - 漏源电压(VDS):30V
    - 最大漏电流(ID):-4.8A (TC = 25°C)
    - 最大脉冲漏电流(IDM):-20A
    - 最大源漏二极管电流(IS):-2.5A
    - 最大功耗(PD):3.0W (TC = 25°C)
    - 导电特性
    - 导通电阻(RDS(on)):
    - VGS = -10V时:0.049Ω
    - VGS = -4.5V时:0.054Ω
    - 开启状态下的漏电流(ID(on)):-20A
    - 电气特性
    - 阈值电压(VGS(th)):-0.5V至-2.0V
    - 输入电容(Ciss):450pF (VDS = -15V, VGS = 0V, f = 1MHz)
    - 输出电容(Coss):80pF
    - 反向传输电容(Crss):63pF
    - 总栅极电荷(Qg):5.1nC 至 15nC
    - 热阻
    - 最大结到环境热阻(RthJA):55°C/W (最大值)
    - 最大结到引脚(漏)热阻(RthJF):34°C/W (最大值)

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻(RDS(on)):得益于TrenchFET技术,SI3443BDV-T1-E3-VB实现了非常低的导通电阻,降低了功耗并提高了效率。
    - 高可靠性:通过卤素无害设计和严格的质量控制标准,确保长期稳定运行。
    - 优异的电气性能:包括快速开关速度、低输入电容和输出电容,适合高频开关应用。
    - 耐高温环境:能够在宽广的工作温度范围内(-55°C至150°C)保持稳定的性能。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:该产品广泛应用于电源管理、电机驱动和负载开关等领域。例如,在一个典型的电源管理电路中,SI3443BDV-T1-E3-VB可用作开关元件来调节电压。
    - 使用建议:
    - 在高功率应用中,确保电路的散热设计良好,以避免过热导致损坏。
    - 使用适当的栅极驱动器,确保栅极电荷和驱动电流符合要求。
    - 为减少噪声干扰,建议使用旁路电容器和滤波电感。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:SI3443BDV-T1-E3-VB与多种标准电路板设计兼容,特别是在TSOP-6封装下更容易集成。
    - 支持和维护:VBsemi公司提供详尽的技术文档和在线技术支持,客户可以访问公司网站或联系客服热线(400-655-8788)获取更多帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q:在高温环境下,MOSFET的性能如何?
    - A: 在高温条件下,可以通过降低工作电流或增加散热来保证其正常运行。
    - Q:在高频开关应用中,如何减小噪声?
    - A: 使用旁路电容器和滤波电感可以有效减小噪声。
    - Q:如何正确选择栅极驱动器?
    - A: 确保栅极驱动器的驱动电流和电压范围与MOSFET的要求匹配。

    7. 总结和推荐


    综上所述,SI3443BDV-T1-E3-VB是一款性能卓越、可靠耐用的P沟道功率MOSFET。其低导通电阻、高可靠性及优异的电气性能使其成为各种电力管理和控制电路的理想选择。强烈推荐用于需要高性能和高可靠性的应用场合。
    联系方式:
    - 服务热线:400-655-8788
    - 官网:www.VBsemi.com

SI3443BDV-T1-E3参数

参数
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个P沟道
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
通用封装 SOT-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

SI3443BDV-T1-E3厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

SI3443BDV-T1-E3数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 SI3443BDV-T1-E3 SI3443BDV-T1-E3数据手册

SI3443BDV-T1-E3封装设计

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