处理中...

首页  >  产品百科  >  SI4803DY-T1-GE3

SI4803DY-T1-GE3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-20V,-8A,RDS(ON),16mΩ@4.5V,19.2mΩ@2.5V,15Vgs(±V);-0.6~-2Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: 14M-SI4803DY-T1-GE3 SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) SI4803DY-T1-GE3

SI4803DY-T1-GE3概述

    SI4803DY-T1-GE3-VB P-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    SI4803DY-T1-GE3-VB 是一款由 VBsemi 生产的 P 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),其在多种便携式设备中表现出色。该 MOSFET 具备极低的导通电阻和较高的耐压能力,能够提供可靠的电流控制,适用于负载开关、电池开关及充电开关等领域。

    技术参数


    以下是 SI4803DY-T1-GE3-VB 的主要技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - 20 | - | - | V |
    | 门源阈值电压 | VGS(th) | - 0.5 | - | -1.2 | V |
    | 导通状态漏源电阻 | RDS(on) | - | 0.015 | 0.040 | Ω |
    | 门电荷 | Qg | - | 50 | 75 | nC |
    | 静态最大连续漏电流 | ID | - | - | 8 | A |
    | 最大耗散功率 | PD | - | 12 | 19 | W |
    | 结温范围 | TJ | -55 | - | 150 | °C |

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:RDS(on) 为 0.015Ω(典型值),能够显著降低损耗,提高效率。
    2. 高耐压能力:最高耐压达 20V,保证在极端条件下稳定运行。
    3. 高可靠性:符合 RoHS 标准,无卤素材料,环保且适合大规模应用。
    4. 高效能:内置 TrenchFET® 技术,提高整体性能。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    SI4803DY-T1-GE3-VB 广泛应用于便携式设备中,如负载开关、电池开关及充电开关。这些应用中,它负责控制电路中的电流流动,确保设备在不同工作状态下稳定运行。
    使用建议
    - 在使用过程中,注意保持结温低于 150°C,以避免过热损坏。
    - 选择合适的散热方案,尤其是在大电流应用中,确保不会超过最大功率限制。
    - 注意安装时的焊接温度,避免使用手动焊锡方式,以免损坏器件。

    兼容性和支持


    - 本产品采用 SO-8 封装,适用于大多数表面贴装应用。
    - 厂商提供全面的技术支持和售后服务,可联系官方客服热线 400-655-8788 获取更多帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 导通电阻异常升高 | 检查 VGS 是否达到导通阈值电压,必要时调整驱动电压。 |
    | 器件过热损坏 | 确保散热措施有效,避免长时间大电流工作。 |
    | 开关速度缓慢 | 检查门电荷和门电阻设置,确保合适。 |

    总结和推荐


    SI4803DY-T1-GE3-VB 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET,在便携式设备中表现卓越。它具备低导通电阻、高耐压能力和高可靠性,适用于多种应用场景。总体来说,这是一款值得推荐的产品,无论是从性能还是可靠性方面都具有很高的价值。如果您需要在项目中实现高效的电流控制,SI4803DY-T1-GE3-VB 是一个不错的选择。

SI4803DY-T1-GE3参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个P沟道
配置 -
栅极电荷 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

SI4803DY-T1-GE3厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

SI4803DY-T1-GE3数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 SI4803DY-T1-GE3 SI4803DY-T1-GE3数据手册

SI4803DY-T1-GE3封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.7748
库存: 100
起订量: 5 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 3.87
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504