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SRC60R160BSD88TR-G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 600V,贴片安装,±20V,PDFN8*8,160mΩ@Vg=10V
供应商型号: SRC60R160BSD88TR-G PDFN8*8-4
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
SANRISE-TECH/尚阳通 场效应管(MOSFET) SRC60R160BSD88TR-G

SRC60R160BSD88TR-G概述

    # SRC60R160BS:高性能超级结N沟道功率MOSFET

    产品简介


    Sanrise SRC60R160BS 是一款高性能的超级结N沟道功率MOSFET,由先进超级结技术制造而成。该产品具有极低的导通电阻、低栅极电荷及快速开关时间等特点,特别适用于需要高功率密度和卓越效率的应用场景。产品具有600V的击穿电压,并具备出色的雪崩特性,非常适合用于各种高要求的应用环境。

    技术参数


    - 额定参数
    - 漏源电压 (VDSS):600 V
    - 栅源电压 (VGSS):±30 V
    - 连续漏极电流 (ID):
    - TC=25ºC 时:25.0 A
    - TC=100ºC 时:15.8 A
    - TC=125ºC 时:11.2 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):76 A
    - 雪崩能量 (EAS):100 mJ
    - 热阻 (RthJC):0.7 ºC/W
    - 最大工作结温 (TJ):150 ºC
    - 存储温度范围 (TSTG):-55 至 150 ºC
    - 管脚温度 (TLEAD):260 ºC

    - 电气特性
    - 导通电阻 (RDS(ON)):160mΩ @ VGS = 10V
    - 栅极电荷 (Qg):40.4 nC
    - 输入电容 (CISS):1650 pF
    - 输出电容 (COSS):129.6 pF
    - 反向传输电容 (CRSS):10.1 pF
    - 开关时间
    - 开启延时时间 (td(on)):11 ns
    - 上升时间 (tr):10 ns
    - 关闭延时时间 (td(off)):76 ns
    - 下降时间 (tf):8 ns
    - 逆向二极管特性
    - 二极管正向电压 (VSD):0.90 ~ 1.1 V
    - 反向恢复时间 (trr):124 ns
    - 反向恢复电荷 (Qrr):0.59 uC

    产品特点和优势


    SRC60R160BS 在性能方面具备多个显著优势:
    - 极低的导通电阻:160mΩ @ VGS = 10V,有助于降低功耗并提高系统效率。
    - 高可靠性:具备出色的雪崩耐受能力,能够承受单次和重复的雪崩脉冲。
    - 快速开关能力:极低的栅极电荷(Qg = 40.4 nC),可以实现高效的电路切换。
    - 稳健的设计:具备优秀的能效和可靠性,适用于严苛的工作环境。

    应用案例和使用建议


    SRC60R160BS 广泛应用于多种电力电子领域,具体应用如下:
    - 电源管理:用于各类交流/直流电源转换器,例如计算机电源和服务器电源。
    - 太阳能逆变器:适用于光伏系统的能量转换环节,帮助提高逆变器效率。

    使用建议:
    - 为了最大限度地发挥其性能,建议在设计中优先考虑散热措施,如加装散热片或风扇。
    - 在应用时注意遵循绝对最大额定值,以避免器件因过压或过流而损坏。

    兼容性和支持


    - 封装类型:PDFN88-4,便于焊接安装。
    - 其他兼容性:由于其标准封装和广泛的应用范围,该产品与其他主流元器件具备良好的兼容性。
    - 支持和服务:供应商提供详尽的技术文档和客户支持,确保用户的使用体验。

    常见问题与解决方案


    1. Q:如何处理过高的电压导致的过载问题?
    - A:可以通过安装保险丝或限流电阻来限制电流,避免过载。
    2. Q:如何应对长期高温环境下的工作?
    - A:选择合适的散热方式,如添加散热器或采用强迫风冷,确保器件在正常工作温度范围内运行。

    总结和推荐


    SRC60R160BS 是一款具有卓越性能和可靠性的超级结N沟道功率MOSFET。其低导通电阻、快速开关能力和高耐受能力使其成为许多电力电子应用的理想选择。对于需要高效率和高可靠性的场合,强烈推荐使用此款产品。

SRC60R160BSD88TR-G参数

参数
最大功率耗散 178.6W
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1650pF@Vds=50V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 >600V
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
栅极电荷 40.4nC@Qg
Id-连续漏极电流 25A@25℃
Rds(On)-漏源导通电阻 160mΩ@Vg=10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.3V
通用封装 PDFN-8
安装方式 贴片安装

SRC60R160BSD88TR-G厂商介绍

SANRISE-TECH是一家高科技公司,专注于研发和生产先进的技术产品。公司主营产品分为三大类:智能硬件、软件解决方案和技术服务。

1. 智能硬件:SANRISE-TECH的智能硬件产品包括智能家居设备、工业自动化设备和智能穿戴设备。这些产品广泛应用于家庭、工业和个人健康监测等领域。

2. 软件解决方案:公司提供的软件解决方案涵盖大数据分析、人工智能算法和云计算服务。这些解决方案广泛应用于金融、医疗、教育和零售等行业,帮助企业提高效率和降低成本。

3. 技术服务:SANRISE-TECH还提供专业的技术服务,包括技术咨询、系统集成和定制开发等。这些服务帮助客户解决技术难题,实现业务创新。

SANRISE-TECH的优势在于其强大的研发实力、丰富的行业经验和卓越的客户服务。公司拥有一支由顶尖工程师和专家组成的研发团队,不断推出创新产品和解决方案。同时,公司与多家知名企业建立了战略合作关系,积累了丰富的行业经验和客户资源。此外,SANRISE-TECH始终以客户需求为导向,提供个性化的解决方案和优质的售后服务,赢得了客户的广泛赞誉。

SRC60R160BSD88TR-G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
SANRISE-TECH/尚阳通 场效应管(MOSFET) SANRISE-TECH/尚阳通 SRC60R160BSD88TR-G SRC60R160BSD88TR-G数据手册

SRC60R160BSD88TR-G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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50+ ¥ 6.175
200+ ¥ 5.244
2000+ ¥ 4.807
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