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UT3401ZG-AE3-R

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: UTC/台湾友顺科技
产品描述: 1.4W 12V 9.4nC@ 4.5V 30V 50mΩ@ 10V 954pF@ 15V SOT-23
供应商型号: 14M-UT3401ZG-AE3-R SOT-23
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
UTC/台湾友顺科技 场效应管(MOSFET) UT3401ZG-AE3-R

UT3401ZG-AE3-R概述

    UTC UT3401Z Power MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    UTC UT3401Z是一款P沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高密度单元设计,具备快速开关速度、低导通电阻、优秀的热电特性,并且可以在低栅极电压下运行。该器件适用于负载开关或脉宽调制(PWM)应用。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 \( V{DSS} \):-30V
    - 栅源电压 \( V{GSS} \):±12V
    - 持续漏电流 \( ID \):-4.2A
    - 脉冲漏电流 \( I{DM} \):-30A
    - 功率耗散 \( PD \):1.4W
    - 静电放电 (ESD):±100V
    - 结温 \( TJ \):+150°C
    - 存储温度 \( T{STG} \):-55 ~ +150°C
    - 热特性:
    - 结到环境热阻 \( \theta{JA} \):65~90°C/W
    - 电气特性:
    - 关断特性
    - 漏源击穿电压 \( BVDSS \):-30V
    - 漏源漏电流 \( I{DSS} \):-1μA
    - 栅源漏电流 \( I{GSS} \):±5μA
    - 导通特性
    - 栅阈电压 \( V{GS(TH)} \):-0.7 ~ -1.3V
    - 漏源导通电阻 \( R{DS(ON)} \):53 ~ 120mΩ
    - 动态参数
    - 输入电容 \( C{ISS} \):954pF
    - 输出电容 \( C{OSS} \):115pF
    - 反向传输电容 \( C{RSS} \):77pF
    - 开关参数
    - 总栅极电荷 \( QG \):9.4nC
    - 栅源电荷 \( Q{GS} \):2nC
    - 栅漏电荷 \( Q{GD} \):3nC
    - 导通延迟时间 \( t{D(ON)} \):6.3ns
    - 导通上升时间 \( tR \):3.2ns
    - 关断延迟时间 \( t{D(OFF)} \):38.2ns
    - 关断下降时间 \( tF \):12ns
    - 源漏二极管参数
    - 最大连续漏源二极管正向电流 \( IS \):-2.2A
    - 漏源二极管正向电压 \( V{SD} \):-0.75 ~ -1V
    - 反向恢复时间 \( t{rr} \):20.2ns
    - 反向恢复电荷 \( Q{rr} \):11.2nC

    3. 产品特点和优势


    UTC UT3401Z具有以下特点和优势:
    - 快速开关:具有非常快的开关速度,能有效降低功耗。
    - 低导通电阻:具有低至53mΩ的导通电阻,确保较低的导通损耗。
    - 高热电性能:能够在高温环境下稳定运行,结到环境热阻在65~90°C/W范围内。
    - 低栅极电压驱动:可以使用低电压信号驱动,降低了对控制电路的要求。
    - 广泛应用:适用于负载开关和PWM应用,特别适合需要高效能、小体积的应用场合。

    4. 应用案例和使用建议


    UTC UT3401Z主要应用于负载开关和PWM应用。例如,在电机控制系统中,它可以作为开关器件来调节电压或电流。在电源转换器中,它可以用作降压转换器中的开关器件,以实现高效的能量转换。
    使用建议:
    - 在选择电源管理电路时,考虑其工作频率和峰值电流需求,确保所选器件能够满足应用要求。
    - 注意控制栅极驱动电压,避免超过栅源电压的最大额定值。
    - 使用适当的散热措施,特别是当器件工作在高电流状态下时,以防止过热损坏。

    5. 兼容性和支持


    UTC UT3401Z采用SOT-23封装,该封装适用于多种印刷电路板设计。厂商提供了详尽的技术支持和维护文档,帮助客户更好地理解和使用这款产品。此外,该产品在多个电气参数上都进行了严格的测试,确保其在实际应用中的可靠性和稳定性。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 为什么在高电流状态下UT3401Z的温度会升高?
    - 解决办法: 确保适当的散热措施,如增加散热片或采用散热板,以减少器件温度。
    - 问题: 如何选择合适的栅极驱动电压?
    - 解决办法: 查阅技术手册中的栅源电压额定值,并确保驱动电压不超过此范围,推荐使用-4.5V的驱动电压。
    - 问题: 如何优化UT3401Z的开关性能?
    - 解决办法: 调整栅极驱动电阻,减小栅极充电时间,从而加快开关速度。

    7. 总结和推荐


    UTC UT3401Z P沟道增强型功率MOSFET凭借其出色的电气特性和高效的开关性能,在负载开关和PWM应用中表现出色。其紧凑的设计、低导通电阻和快速开关速度使其在许多应用场景中成为理想选择。推荐在需要高效能、高可靠性的场合中使用这款产品。

UT3401ZG-AE3-R参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 954pF@ 15V
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 12V
配置 -
最大功率耗散 1.4W
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 -
Rds(On)-漏源导通电阻 50mΩ@ 10V
栅极电荷 9.4nC@ 4.5V
通用封装 SOT-23

UT3401ZG-AE3-R数据手册

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UTC/台湾友顺科技 场效应管(MOSFET) UTC/台湾友顺科技 UT3401ZG-AE3-R UT3401ZG-AE3-R数据手册

UT3401ZG-AE3-R封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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50+ ¥ 0.4889
150+ ¥ 0.4363
1500+ ¥ 0.3662
15000+ ¥ 0.3179
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