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UTT25P10L-TN3-R

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: UTC/台湾友顺科技
产品描述: 100W 20V 70nC@ 10V 100V 150mΩ@ 10V 3.7nF@ 25V TO-252-2
供应商型号: UTT25P10L-TN3-R
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
UTC/台湾友顺科技 场效应管(MOSFET) UTT25P10L-TN3-R

UTT25P10L-TN3-R概述

    # UTT25P10 Power MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    UTT25P10 是一款由 UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 生产的P通道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),其主要应用于电机驱动器、开关调节器、转换器和继电器驱动器等领域。这款MOSFET使用了先进的技术,能够提供高切换速度和低导通电阻,同时还能承受高能量的雪崩。

    2. 技术参数


    以下是UTT25P10的技术规格和性能参数:
    - 最大耐压值(Drain-Source Voltage):-100V
    - 连续漏极电流(Continuous Drain Current):-25A
    - 脉冲漏极电流(Pulsed Drain Current):-60A
    - 单脉冲雪崩能量(Single Pulsed Avalanche Energy):70mJ
    - 导通电阻(On-State Resistance, RDS(ON)):小于0.15Ω(当VGS = -10V,ID = -25A时)
    - 输入电容(Input Capacitance, CISS):3700pF
    - 输出电容(Output Capacitance, COSS):302pF
    - 反向转移电容(Reverse Transfer Capacitance, CRSS):126pF
    - 总门级电荷(Total Gate Charge, QG):70nC
    - 开关时间参数:
    - 开启延迟时间(tD(ON)):6.4ns
    - 上升时间(tR):8.3ns
    - 关闭延迟时间(tD(OFF)):80ns
    - 下降时间(tF):34.9ns
    工作环境温度范围:-55°C 到 +150°C

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:RDS(ON) 小于0.15Ω,保证了在高电流下的低损耗。
    - 高开关速度:开关时间参数表现出色,适应高速应用需求。
    - 大电流能力:可以处理高达25A的连续漏极电流,适用于高功率应用。
    - 高可靠性:能承受高达70mJ的单脉冲雪崩能量,具有很好的耐用性和稳定性。

    4. 应用案例和使用建议


    UTT25P10 可以广泛应用于多种场合,例如电机驱动器、开关调节器、转换器和继电器驱动器等。以下是一些具体的应用场景和建议:
    - 电机驱动器:适合用于控制电机的运行,如电动工具、家用电器中的马达。
    - 开关调节器:可用于电源管理电路中,提高系统效率。
    - 转换器:在电力电子系统中用于电压转换,实现高效能的电能转换。
    使用建议:
    - 在设计电路时,要确保电源电压和负载匹配,以充分利用MOSFET的性能。
    - 考虑散热问题,尤其是在连续工作情况下,合理选择散热措施。

    5. 兼容性和支持


    UTT25P10采用标准封装形式(TO-220、TO-220F、TO-252、TO-263),与其他标准封装的电子元件具有良好的兼容性。制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 提供详细的安装和使用指南,并提供全面的技术支持服务。

    6. 常见问题与解决方案


    根据技术手册中的信息,这里列出一些常见的问题及相应的解决办法:
    - 问题:无法达到预期的电流。
    - 解决方案:检查电路连接是否正确,确认是否符合额定的工作条件。
    - 问题:器件过热。
    - 解决方案:改善散热措施,考虑使用散热片或风扇来增强散热效果。
    - 问题:器件损坏。
    - 解决方案:确保不超出额定的最大耐压值和电流限制,避免电压波动导致的过载。

    7. 总结和推荐


    UTT25P10 P通道功率MOSFET 是一款高性能的电子元器件,具备优秀的电气特性和可靠性。它适用于多种高要求的应用场景,如电机驱动器、开关调节器、转换器等。该器件在市场上的竞争力较强,非常适合需要高效能、高可靠性的应用场合。
    综合来看,UTT25P10是一款值得推荐的产品。无论是从性能还是从性价比角度来看,都表现出了显著的优势,适合大多数电子设计项目使用。

UTT25P10L-TN3-R参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 150mΩ@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 100W
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 70nC@ 10V
FET类型 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.7nF@ 25V
配置 -
通用封装 TO-252-2
包装方式 卷带包装

UTT25P10L-TN3-R数据手册

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UTC/台湾友顺科技 场效应管(MOSFET) UTC/台湾友顺科技 UTT25P10L-TN3-R UTT25P10L-TN3-R数据手册

UTT25P10L-TN3-R封装设计

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