处理中...

首页  >  产品百科  >  VMK90-02T2

VMK90-02T2

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 380KW 20V 4V@3mA 450nC@ 10V 2个N沟道 200V 25mΩ@ 500mA,10V 83A 15nF@25V TO-240AA 底座安装 92mm*20.8mm*30mm
供应商型号: ZT-VMK90-02T2
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) VMK90-02T2

VMK90-02T2概述

    VMK 90-02T2 双功率MOSFET模块技术手册

    产品简介


    VMK 90-02T2 是一款高性能的双功率MOSFET模块,适用于多种高电流和高电压应用。其内部包含两个N沟道增强型MOSFET,并通过公共源极连接,具有紧凑的国际标准封装(JEDEC TO-240 AA)。这种设计不仅提高了系统的可靠性,还显著降低了寄生电感,有助于提高高速开关的应用效果。其典型应用包括推挽逆变器、开关电源和不间断电源(UPS)等。

    技术参数


    - 电气特性
    - 最大漏源电压(VDSS):200 V
    - 漏极电流(ID25):83 A(TC = 25°C)
    - 漏极电流(ID80):62 A(TC = 80°C)
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):330 A
    - 最大耗散功率(PD):380 W
    - 导通电阻(RDS(on)):25 mΩ(VGS = 10 V, ID = 0.5 ID25)
    - 开关特性
    - 互导(gfs):60 S(VDS = 10 V, ID = 0.5 ID25 脉冲)
    - 输入电容(Ciss):9000 至 15000 pF
    - 输出电容(Coss):1600 至 4500 pF
    - 反馈电容(Crss):600 至 1500 pF
    - 开关时间(td(on)):70 ns
    - 上升时间(tr):80 ns
    - 关断时间(td(off)):200 ns
    - 下降时间(tf):100 ns
    - 总栅极电荷(Qg):380 至 450 nC
    - 热阻
    - 结到外壳热阻(RthJC):0.33 K/W
    - 结到散热器热阻(RthJK):0.53 K/W
    - 隔离特性
    - 绝缘电压(VISOL):50/60 Hz, t = 1 min 时 2500 V~
    - 隔离电流(ISOL):≤ 1 mA, t = 1 s 时 3000 V~

    产品特点和优势


    1. 双MOSFET设计:通过公共源极连接,实现高效能的双通道控制。
    2. 直接铜焊陶瓷底板:提供更好的热传导效率。
    3. 低导通电阻:采用HDMOS工艺,确保低损耗。
    4. 低寄生电感:有利于高速开关操作。
    5. 开尔文源接触点:减少高频噪声干扰。
    6. 键控双插头:简化安装过程,提升可靠性。

    应用案例和使用建议


    - 推挽逆变器:VMK 90-02T2 在推挽逆变器中的应用广泛,可提高转换效率并降低发热。建议通过降低栅极驱动电阻来进一步优化开关速度。
    - 开关电源:在开关电源中使用该模块可以实现更高效的能量转换。建议选择适当的冷却措施以保持最佳工作温度。
    - 不间断电源(UPS):在UPS系统中,确保良好的散热管理是关键,建议选用高效散热器。

    兼容性和支持


    VMK 90-02T2 与其他标准的TO-240封装的元件兼容。制造商提供详细的安装指南和技术支持服务,包括安装扭矩、热界面材料的选择建议等。

    常见问题与解决方案


    - 问:如何测量导通电阻(RDS(on))?
    - 答:将VGS设置为10 V,同时使漏极电流ID达到0.5 ID25,并记录此时的电压降。

    - 问:如何避免过高的漏极电流?
    - 答:选择适当的外部电阻限制栅极驱动电流,确保电路安全运行。

    总结和推荐


    总体而言,VMK 90-02T2 是一款非常适合于高电流和高电压应用的MOSFET模块。其独特的双通道设计和优秀的电气特性使其在市场上具备很强的竞争优势。建议在需要高可靠性、高效能和快速开关的应用场合中使用。鉴于其出色的性能和广泛的适用范围,强烈推荐在设计新的电子设备时考虑使用此产品。

VMK90-02T2参数

参数
配置 -
FET类型 2个N沟道
通道数量 -
Id-连续漏极电流 83A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 15nF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 25mΩ@ 500mA,10V
栅极电荷 450nC@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@3mA
最大功率耗散 380KW
Vds-漏源极击穿电压 200V
长*宽*高 92mm*20.8mm*30mm
通用封装 TO-240AA
安装方式 底座安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 盒装

VMK90-02T2厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

VMK90-02T2数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS VMK90-02T2 VMK90-02T2数据手册

VMK90-02T2封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 97.5948 ¥ 817.8441
库存: 0
起订量: 1 增量: 36
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504