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SPD09N05

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 24W 20V 4V 7nC@ 10V 55V 100mΩ@ 10V 215pF@ 25V 通孔安装
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标准整包数: 0
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) SPD09N05

SPD09N05概述

    SPD 09N05 SIPMOS™ Power Transistor 技术手册解析

    产品简介


    SPD 09N05 SIPMOS™ Power Transistor(硅功率晶体管)是一款高性能的N沟道增强型场效应晶体管,具备雪崩击穿和dv/dt额定值。它主要应用于电源管理和控制等领域,适用于工业控制、汽车电子和通信设备等多种场合。SPD 09N05具有出色的温度适应性,能够在极端环境下稳定工作,其典型工作温度范围为-55°C到+175°C。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
    ||
    | 漏源电压 | VDS | 55 | V |
    | 漏源通态电阻 | RDS(on) | 0.1 | Ω |
    | 连续漏极电流 | ID | 9.2 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDpulse | 37 | A |
    | 雪崩能量单脉冲 | EAS | 35 | mJ |
    | 反向二极管反向dv/dt | dv/dt | 6 | kV/μs |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
    | 功率耗散 | Ptot | 24 | W |
    | 工作和存储温度 | Tj, Tstg | -55... +175 | °C |
    热特性
    | 参数 | 符号 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
    |
    | 热阻结-外壳 | RthJC | - | - | 6.25 | K/W |
    | 热阻结-环境(引线封装) | RthJA | - | - | 100 | °C/W |
    | 表面贴装版型(器件位于PCB上) | RthJA | @ 最小足迹
    @ 6 cm²散热面积 | - | 75
    50 | °C/W |
    电气特性
    | 参数 | 符号 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | - | 55 | V |
    | 栅阈值电压 | VGS(th) | 2.1 | 3 | 4 | V |
    | 零栅压漏电流 | IDSS | - | 1 | μA |
    | 栅源泄漏电流 | IGSS | - | 10 | 100 | nA |
    | 输入电容 | Ciss | - | 215 | 270 | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 75 | 95 | pF |
    | 逆转移电容 | Crss | - | 45 | 60 | pF |

    产品特点和优势


    1. 宽工作温度范围:能够承受-55°C到+175°C的工作环境,满足严苛的应用要求。
    2. 高可靠性:具备雪崩击穿和dv/dt额定值,确保在高压瞬态条件下仍能正常工作。
    3. 低通态电阻:RDS(on) 仅为0.1Ω,可有效降低功耗,提高转换效率。
    4. 卓越的散热能力:良好的热阻性能保证了在高功率运行下的稳定性。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    SPD 09N05常用于电动汽车充电桩、工业控制系统和通信设备中。例如,在电动汽车充电系统中,它可以作为主控开关,提供稳定的电流控制,确保充电过程的安全性。
    使用建议:
    1. 在使用过程中,建议进行充分的散热设计,尤其是在高电流和高电压环境下工作时。
    2. 注意保持栅源电压在安全范围内,避免超过±20V的极限值,防止器件损坏。
    3. 对于高频率应用,需要考虑电容特性的匹配,确保信号传输的稳定性和准确性。

    兼容性和支持


    SPD 09N05采用SIPMOS封装,可以轻松集成到各种电路板设计中。此外,供应商提供了详细的安装指南和技术支持文档,以帮助用户更好地理解和应用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:温度过高导致功耗增加。
    解决办法:加强散热设计,合理选择散热片或冷却装置。

    2. 问题:信号不稳定。
    解决办法:优化电容配置,减少寄生电容的影响,确保信号传输的稳定性和准确性。

    3. 问题:栅源电压超出限制。
    解决办法:使用稳压器或限流电阻来保护栅源电压,避免过压现象的发生。

    总结和推荐


    SPD 09N05 SIPMOS™ Power Transistor凭借其广泛的温度适应性、卓越的电气特性和可靠的性能表现,是工业控制、汽车电子和通信设备领域的理想选择。我们强烈推荐此款产品,特别是对于需要高可靠性和高效能的应用场景。

SPD09N05参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 100mΩ@ 10V
FET类型 -
栅极电荷 7nC@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 55V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V
最大功率耗散 24W
Id-连续漏极电流 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 215pF@ 25V
安装方式 通孔安装

SPD09N05厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

SPD09N05数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES SPD09N05 SPD09N05数据手册

SPD09N05封装设计

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