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SPD30P06P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 125W(Tc) 20V 4V@1.7mA 48nC@ 10 V 1个P沟道 60V 75mΩ@ 21.5A,10V 1.535nF@25V DPAK 贴片安装 6.5mm(长度)*6.22mm(宽度)
供应商型号: SPD30P06PINTR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) SPD30P06P

SPD30P06P概述


    产品简介


    SPD30P06P 和 SPU30P06P 是由 Infineon Technologies AG 生产的高性能 N 沟道增强型 MOSFET 电子元器件。它们被广泛应用于电源管理、电机控制和驱动电路等众多领域。这两款产品均采用了 SIPMOS® 技术,具备卓越的性能和可靠性。

    技术参数


    以下是 SPD30P06P 和 SPU30P06P 的主要技术参数:
    - 最大额定值:
    - 连续漏极电流(TC=25°C): -30 A
    - 脉冲漏极电流(TC=25°C): -120 A
    - 雪崩能量(单脉冲): 250 mJ
    - 雪崩能量(周期): 12.5 mJ
    - 反向二极管 dv/dt: -6 kV/µs
    - 栅源电压: ±20 V
    - 功率耗散(TC=25°C): 125 W
    - 工作温度范围: -55°C 到 +175°C
    - 热特性:
    - 结壳热阻(最小/典型/最大): 1.2 K/W
    - 结到环境热阻(最小/典型/最大): 铅型封装 100 K/W,SMD 版本 75 K/W(最小足迹),50 K/W(6 cm² 散热面积)
    - 电气特性:
    - 漏源击穿电压(VGS=0, ID=-250µA): -60 V
    - 栅阈电压(VGS=VDS, ID=-1.7mA): -2.1 V 至 -4 V
    - 零栅电压漏极电流(VDS=-60V, VGS=0, Tj=25°C): -0.1 µA 至 -100 µA
    - 栅源漏电流(VGS=-20V, VDS=0): -10 nA 至 -100 nA
    - 漏源通态电阻(VGS=-10V, ID=-21.5A): 0.066 Ω 至 0.075 Ω

    产品特点和优势


    SPD30P06P 和 SPU30P06P 具有以下特点和优势:
    - P沟道增强模式:适用于各种开关和逆变器电路。
    - 宽工作温度范围:能够在极端环境下稳定运行(-55°C 到 +175°C)。
    - 雪崩耐受能力:在高电压冲击下仍能保持稳定。
    - 快速开关速度:转导电容和充电电荷低,有助于提高整体电路效率。

    应用案例和使用建议


    这些 MOSFET 在多种应用场合中表现出色,例如:
    - 电源管理:作为开关电源的开关元件。
    - 电机控制:用于电机驱动器中的高频开关。
    - 电池管理系统:用于电池保护和控制电路。
    使用建议:
    - 确保散热良好,尤其是在高功率应用中,可以通过增加散热片来改善散热效果。
    - 选择合适的栅极驱动器以确保快速和可靠的开关。
    - 遵循手册中的连接指南,确保正确的接线以避免损坏。

    兼容性和支持


    SPD30P06P 和 SPU30P06P 与大多数标准电路板兼容。Infineon Technologies AG 提供全面的技术支持和售后服务,确保用户能够充分利用这些产品的性能。

    常见问题与解决方案


    以下是一些常见的问题及其解决方案:
    - 问题:漏极电流不足
    - 解决方法: 检查接线是否正确,确认驱动信号强度足够,或者尝试减小负载。

    - 问题:栅源电压超出限制
    - 解决方法: 使用合适的栅极驱动器,确保输入电压在规定范围内。

    - 问题:器件过热
    - 解决方法: 改善散热措施,如增加散热片或改进散热路径。

    总结和推荐


    总体而言,SPD30P06P 和 SPU30P06P 是出色的 N 沟道增强型 MOSFET,具备卓越的性能和可靠性。它们适合各种电源管理和电机控制应用。考虑到其优异的特性和强大的技术支持,我们强烈推荐这些产品给需要高性能 MOSFET 的设计者和工程师们。

SPD30P06P参数

参数
配置 独立式
栅极电荷 48nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 -
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.535nF@25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@1.7mA
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个P沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 75mΩ@ 21.5A,10V
最大功率耗散 125W(Tc)
长*宽*高 6.5mm(长度)*6.22mm(宽度)
通用封装 DPAK
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

SPD30P06P厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

SPD30P06P数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES SPD30P06P SPD30P06P数据手册

SPD30P06P封装设计

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