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G2R1000MT17J

产品分类: 碳化硅场效应管
产品描述: 54W(Tc) 139pF@1000V 1.2Ω@ 2A,20V 3A 1.7KV 4V@2mA 25V 1个N沟道 TO-263-7 贴片安装
供应商型号: 3598650
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
GENESIC SEMICONDUCTOR 碳化硅场效应管 G2R1000MT17J

G2R1000MT17J概述

    G2R1000MT17J 1700 V 1000 mΩ SiC MOSFET 技术手册

    产品简介


    G2R1000MT17J 是一款由 GeneSiC Semiconductor 生产的硅碳(SiC)MOSFET,属于 N 沟道增强型晶体管。该产品具有高电压耐受能力和低导通电阻,适用于多种电力转换应用,如辅助电源、太阳能逆变器、基础设施充电系统、工业电机驱动以及通用逆变器等领域。该 MOSFET 在 1700V 的耐压下提供了 1000mΩ 的导通电阻,能够承受最大 3A 的连续电流。

    技术参数


    - 额定电压:1700V
    - 导通电阻:1000mΩ(典型值)
    - 最大电流:3A(连续)
    - 脉冲电流:8A(脉冲宽度≤3µs,占空比≤1%)
    - 功耗:44W(在 25°C 下)
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压(V ):1700V
    - 栅源电压(动态):-10V / +25V
    - 栅源电压(静态):-5V / +20V
    - 最大连续正向电流:3A(在 100°C 下)

    产品特点和优势


    1. G2R™ 技术:提供更平滑的温度依赖性。
    2. LoRing™ 设计:电磁优化设计,减少振铃。
    3. 低损耗:低导通电阻和低电容,减少开关损耗。
    4. 低噪声:低栅极驱动电荷,减少开关尖峰。
    5. 高效能:优化封装,易于并联,提高系统可靠性。

    应用案例和使用建议


    G2R1000MT17J 主要应用于以下几个领域:
    - 辅助电源
    - 太阳能逆变器
    - 基础设施充电系统
    - 工业电机驱动
    - 通用逆变器
    - 脉冲电源
    - 驱动器
    - 离子束发生器
    在使用时,需要注意散热管理以避免热失控,特别是在高负载条件下。另外,为了确保可靠运行,建议使用符合要求的商业栅极驱动器。

    兼容性和支持


    该产品兼容现有的商业栅极驱动器,确保了易用性。此外,GeneSiC Semiconductor 还提供了丰富的技术支持,包括 SPICE 模型、PLECS 模型、CAD 模型以及评估板等,便于用户进行测试和验证。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:栅极驱动电压不足导致栅极-源极电压过高。
    - 解决方案:确保栅极驱动电压在规定的范围内,使用合适的栅极驱动器。
    - 问题2:高温环境下导通电阻增大。
    - 解决方案:在高负载条件下加强散热措施,确保 MOSFET 的温度不超过其额定范围。
    - 问题3:开关过程中出现过电压现象。
    - 解决方案:增加缓冲电路或使用外部箝位二极管来保护 MOSFET。

    总结和推荐


    G2R1000MT17J 作为一款高性能的 SiC MOSFET,在高电压和高功率的应用中表现出色。它具有低导通电阻、低电容和良好的开关特性,使得在各种电力转换应用中表现优异。特别是其卓越的鲁棒性和可靠性使其成为电力转换应用的理想选择。强烈推荐用于需要高效率和高可靠性的场合。
    更多技术文档和资源请访问 [GeneSiC Semiconductor 官网](https://www.genesicsemi.com/) 获取。

G2R1000MT17J参数

参数
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.2Ω@ 2A,20V
Id-连续漏极电流 3A
击穿电压 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 1.7KV
Vgs-栅源极电压 25V
最大功率耗散 54W(Tc)
Idss-饱和漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 139pF@1000V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@2mA
配置 -
通道数量 -
最大功率 -
通用封装 TO-263-7
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 管装

G2R1000MT17J厂商介绍

GeneSiC Semiconductor是一家领先的碳化硅(SiC)功率器件制造商,专注于为各种应用提供高效、可靠的半导体解决方案。公司主营产品包括碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET和碳化硅JFET等。这些产品广泛应用于工业、汽车、太阳能、风能、电力传输和分配等领域。

GeneSiC Semiconductor的优势在于其创新的碳化硅技术,这些技术能够提供更高的能效、更低的功耗和更长的使用寿命。公司的碳化硅器件能够在高温、高压和高频率的恶劣环境下稳定工作,满足严苛的应用需求。此外,GeneSiC Semiconductor的产品还具有优异的热性能和电气特性,有助于提高系统的整体性能和可靠性。通过不断的研发和技术创新,GeneSiC Semiconductor致力于为客户提供高质量的碳化硅功率器件,以支持全球能源效率和可持续性的发展。

G2R1000MT17J数据手册

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G2R1000MT17J封装设计

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