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C2M1000170D

产品分类: 碳化硅场效应管
厂牌: CREE
产品描述: 30nA 13nC 69W 191pF@ 1000V 1.7KV 69W 1 1Ω 4.9A 1.7KV 2.4V 10V,25V 独立式 1个N沟道 TO-247-3 通孔安装
供应商型号: C2M1000170D
供应商: 国内现货
标准整包数: 10
CREE 碳化硅场效应管 C2M1000170D

C2M1000170D概述

    C2M1000170D 硅碳化物功率MOSFET技术手册

    1. 产品简介


    C2M1000170D 是一款由Cree公司生产的硅碳化物(SiC)功率MOSFET。该产品属于高效率开关电源管理领域,主要用于辅助电源、开关模式电源供应器以及高压电容负载的应用场合。C2M1000170D采用了N通道增强型MOSFET技术,具备高速切换能力和低门极电容,使其成为现代电力电子系统中的理想选择。

    2. 技术参数


    - 主要参数:
    - 额定电压 (VDS): 1700 V
    - 连续漏电流 (ID @ 25˚C): 5.0 A
    - 导通电阻 (RDS(on)): 1.0 Ω
    - 门极阈值电压 (VGS(th)): 2.0 ~ 4.0 V
    - 最大持续栅极电压 (VGS(max)): ±25 V
    - 最大耗散功率 (PD): 69 W (TJ = 150 ˚C)
    - 电气特性:
    - 输入电容 (Ciss): 200 pF (VGS = 0 V)
    - 输出电容 (Coss): 12 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 1.3 pF
    - 开关能量 (EON): 40 μJ
    - 关断能量 (EOFF): 15 μJ
    - 转导电导 (gfs): 0.82 S
    - 拉曼门极电荷 (Qg): 13 nC
    - 热特性:
    - 结到外壳热阻 (RθJC): 1.7°C/W
    - 机械规格:
    - 包装形式: TO-247-3
    - 引脚编号: 3
    - 引脚分配: Pin 1 = Gate, Pin 2 & 4 = Drain, Pin 3 = Source

    3. 产品特点和优势


    - 高速切换:得益于低门极电容和高转导电导,C2M1000170D能够实现高速开关,从而提高系统的运行频率。
    - 高效能:通过降低导通电阻 (RDS(on)) 和冷却要求,可以显著提升系统的整体效率。
    - 增强可靠性:低的栅极泄漏电流 (IGSS) 和低反向恢复时间 (trr) 保证了长期运行的稳定性。

    4. 应用案例和使用建议


    - 辅助电源:C2M1000170D适合应用于各种高效率的辅助电源设计中,例如笔记本电脑和智能手机充电器。
    - 开关模式电源:作为开关模式电源的核心元件,C2M1000170D能帮助减少损耗,提高能源利用率。
    - 高压电容负载:适用于需要承受高压的负载情况,如电动汽车的充电系统。
    使用建议:
    - 为确保最佳性能,建议驱动电压范围在-5到+20V之间,以避免过高的栅极应力。
    - 使用适当的散热措施来控制温度,避免因过热导致的性能下降。

    5. 兼容性和支持


    C2M1000170D的设计旨在与其他主流的电子元器件兼容,包括栅极驱动器和辅助电路。此外,Cree公司提供了详细的技术文档和支持服务,帮助客户进行集成和测试。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:如何正确安装和固定?
    - 解决方案:使用螺丝扭矩不超过8.8 Nm(约6.5 lbf-in)以避免损坏。

    - 问题:如何优化驱动电压?
    - 解决方案:建议使用-5V到+20V的驱动电压范围,以确保最佳性能并延长使用寿命。

    7. 总结和推荐


    总体而言,C2M1000170D 是一款高性能、高可靠性的硅碳化物功率MOSFET,具有广泛的应用潜力。它在高效率、高速切换和低温升方面表现卓越,适用于多种高压应用场景。如果你正在寻找一种能提升系统性能和稳定性的解决方案,C2M1000170D是一个值得考虑的选择。
    推荐使用:基于其卓越的技术特性和广泛的适用性,强烈推荐将C2M1000170D用于高要求的电力电子设计中。

C2M1000170D参数

参数
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 191pF@ 1000V
栅极电荷 13nC
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.4V
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻
Idss-饱和漏极电流 30nA
Id-连续漏极电流 4.9A
最大功率 69W
击穿电压 1.7KV
Vds-漏源极击穿电压 1.7KV
Vgs-栅源极电压 10V,25V
最大功率耗散 69W
16.13mm(Max)
5.21mm(Max)
21.1mm(Max)
通用封装 TO-247-3
安装方式 通孔安装
包装方式 管装

C2M1000170D厂商介绍

CREE公司(现更名为Wolfspeed)是一家全球领先的半导体公司,专注于碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)技术。公司总部位于美国北卡罗来纳州的达勒姆。

主营产品分类:
1. 碳化硅(SiC)产品:包括SiC功率器件、SiC基底材料和SiC射频器件。
2. 氮化镓(GaN)产品:包括GaN射频器件和GaN功率器件。

应用领域:
1. 汽车:电动汽车、混合动力汽车和充电基础设施。
2. 工业:太阳能逆变器、工业电机驱动和电源管理。
3. 通信:基站、数据中心和**通信。
4. 消费电子:快充、无线充电和电源适配器。

CREE的优势:
1. 技术领先:CREE在SiC和GaN技术领域拥有深厚的技术积累和专利布局。
2. 产品性能:CREE的SiC和GaN产品在性能、可靠性和能效方面具有明显优势。
3. 垂直整合:CREE拥有从材料、器件到应用的完整产业链,能够提供一站式解决方案。
4. 客户认可:CREE的产品已被广泛应用于汽车、工业、通信等领域,获得众多客户的信赖和认可。

C2M1000170D数据手册

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CREE 碳化硅场效应管 CREE C2M1000170D C2M1000170D数据手册

C2M1000170D封装设计

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