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C3M0025065K

产品分类: 碳化硅场效应管
厂牌: CREE
产品描述: Trans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 4-Pin(4+Tab) TO-247
供应商型号: C3M0025065K
供应商: 国内现货
标准整包数: 10
CREE 碳化硅场效应管 C3M0025065K

C3M0025065K概述

    硅碳(SiC)功率MOSFET技术手册:C3M0025065K

    1. 产品简介


    C3M0025065K是Cree公司生产的一种硅碳(SiC)功率MOSFET。它属于N沟道增强型产品,采用C3M™ SiC MOSFET技术。此产品特别适用于电动汽车充电器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、工业开关电源(SMPS)及直流/直流转换器等应用领域。由于采用了先进的材料和设计,这款MOSFET能够提供优异的性能和可靠性。

    2. 技术参数


    - 电压参数
    - 最大漏源电压(VDS):650V
    - 额定漏极电流(ID):97A(25°C),70A(100°C)
    - 脉冲漏极电流(ID(pulse)):251A
    - 电阻参数
    - 导通电阻(RDS(on)):25mΩ
    - 温度参数
    - 工作结温范围(TJ, Tstg):-40°C 至 +175°C
    - 焊接温度(TL):260°C(10秒)
    - 其他参数
    - 最大功耗(PD):326W(25°C时)
    - 热阻(RθJC):0.46°C/W
    - 热阻(RθJA):404°C/W

    3. 产品特点和优势


    C3M0025065K的优势主要体现在以下几个方面:
    - 减少损耗和栅极振铃:低导通电阻和高速开关能力降低了系统损耗并减少了振铃现象。
    - 提高系统效率:优异的电气特性和低热阻使得整个系统的效率得到提升。
    - 减少冷却要求:较高的耐热性能减少了对散热器的需求,从而节省了空间和成本。
    - 增加功率密度:出色的电气特性和结构设计使得器件体积更小但功能更强。
    - 提高系统开关频率:快恢复二极管降低了反向恢复电荷(Qrr),适合高频率工作。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电动汽车充电器:该器件的高耐压和低损耗使其适用于充电器的设计,提高能效并减少热量产生。
    - 太阳能逆变器:由于需要在高效率下运行,C3M0025065K的低损耗特性非常适合于此类应用。
    - 工业SMPS:高可靠性与低损耗使其成为工业开关电源的理想选择。

    建议在使用过程中注意散热设计,以确保长期稳定运行。同时,可结合SPICE模型进行仿真,以便更好地了解器件在不同工作条件下的表现。

    5. 兼容性和支持


    C3M0025065K与现有标准的封装兼容,便于集成到现有电路中。Cree公司提供了详尽的技术支持文档、评估板参考设计和SPICE模型下载链接,帮助工程师进行设计和测试。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:在高温环境下RDS(on)值变化较大。
    - 解决办法:在设计时考虑使用热管理措施,如良好的散热器设计和强制风冷。
    - 问题:器件在高电流脉冲条件下发生故障。
    - 解决办法:在电路设计时适当调整驱动电阻(RG)以控制电流脉冲幅度。

    7. 总结和推荐


    C3M0025065K凭借其高耐压、低损耗、快速开关和优秀的热管理性能,在众多应用领域表现出色。它不仅提高了系统整体效率,还显著减少了散热需求,适用于各种高性能电源转换应用。强烈推荐在高可靠性要求的工业和消费电子产品中使用该器件。
    通过上述详细的分析,可以看出C3M0025065K是一款高性能、高可靠性的SiC MOSFET器件。无论是从技术指标还是应用表现来看,它都具备极大的市场潜力和应用价值。

C3M0025065K参数

参数
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -
FET类型 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Idss-饱和漏极电流 -
最大功率 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
包装方式 管装

C3M0025065K厂商介绍

CREE公司(现更名为Wolfspeed)是一家全球领先的半导体公司,专注于碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)技术。公司总部位于美国北卡罗来纳州的达勒姆。

主营产品分类:
1. 碳化硅(SiC)产品:包括SiC功率器件、SiC基底材料和SiC射频器件。
2. 氮化镓(GaN)产品:包括GaN射频器件和GaN功率器件。

应用领域:
1. 汽车:电动汽车、混合动力汽车和充电基础设施。
2. 工业:太阳能逆变器、工业电机驱动和电源管理。
3. 通信:基站、数据中心和**通信。
4. 消费电子:快充、无线充电和电源适配器。

CREE的优势:
1. 技术领先:CREE在SiC和GaN技术领域拥有深厚的技术积累和专利布局。
2. 产品性能:CREE的SiC和GaN产品在性能、可靠性和能效方面具有明显优势。
3. 垂直整合:CREE拥有从材料、器件到应用的完整产业链,能够提供一站式解决方案。
4. 客户认可:CREE的产品已被广泛应用于汽车、工业、通信等领域,获得众多客户的信赖和认可。

C3M0025065K数据手册

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CREE 碳化硅场效应管 CREE C3M0025065K C3M0025065K数据手册

C3M0025065K封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 104.7058
3000+ ¥ 102.8526
10000+ ¥ 100.0728
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