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TK62N60W

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N-Channel MOSFET Transistor
供应商型号: TK62N60W TO-247
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) TK62N60W

TK62N60W概述


    产品简介


    TK62N60W 是一款 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于开关电源和电压调节器等应用场合。它的主要功能是作为电子电路中的开关组件,实现电流的通断控制。由于其高耐压、低导通电阻等特性,TK62N60W 广泛应用于各种电力电子设备、工业控制系统和通信设备中。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 \( V{DSS} \): 600V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±30V
    - 连续漏极电流 \( ID \): 61.8A
    - 单脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 247A
    - 总耗散功率 \( PD \): 400W @ \( TC \) = 25℃
    - 最大结温 \( T{j(max)} \): 150℃
    - 存储温度范围 \( T{stg} \): -55~150℃
    - 热特性
    - 结至外壳热阻 \( R{th(ch-c)} \): 0.313℃/W
    - 电气特性
    - 漏源击穿电压 \( BVDSS \): 600V @ \( V{GS} \)=0V, \( ID \)=10mA
    - 栅阈电压 \( V{GS(th)} \): 2.7~3.7V @ \( V{DS} \)=10V, \( ID \)=3.1mA
    - 漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \): 38mΩ @ \( V{GS} \)=10V, \( ID \)=30.9A
    - 栅源泄漏电流 \( I{GSS} \): ±1μA @ \( V{GS} \)=±30V, \( V{DS} \)=0V
    - 漏源泄漏电流 \( I{DSS} \): 10μA @ \( V{DS} \)=600V, \( V{GS} \)=0V
    - 二极管正向电压 \( V{SDF} \): 1.7V @ \( I{DR} \)=61.8A, \( V{GS} \)=0V

    产品特点和优势


    TK62N60W 具备以下几个显著的优势:
    1. 低导通电阻:\( R{DS(on)} \) ≤ 38mΩ,这意味着在工作状态下能够显著降低损耗,提高能效。
    2. 增强模式操作:栅阈电压 \( V{GS(th)} \) 在 2.7~3.7V 之间,这使得器件可以方便地驱动,无需过高的栅极电压。
    3. 高可靠性:所有器件均经过雪崩测试,确保在极端条件下仍能可靠工作。
    4. 最小批次差异:通过严格的质量控制,确保各批次之间的性能一致性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    TK62N60W 主要用于各类开关电源中。例如,在开关电源设计中,可以将 TK62N60W 用作主控开关,利用其低导通电阻特性减少导通损耗,从而提高电源转换效率。
    使用建议
    为了最大限度地发挥 TK62N60W 的性能,建议:
    1. 注意散热:由于其高总耗散功率,需要确保良好的散热条件,避免因过热而导致器件损坏。
    2. 合理选择驱动电压:根据应用需求,合理选择栅极驱动电压,以确保器件能在最佳状态下工作。

    兼容性和支持


    TK62N60W 设计时充分考虑了与其他标准电子元器件的兼容性。厂商提供全面的技术支持和售后保障,用户可以在遇到问题时随时联系技术支持团队获取帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 工作过程中过热 | 确保良好散热,可加装散热片或外接风扇降温 |
    | 导通电阻异常高 | 检查驱动电压是否在合适范围内,适当调整驱动电路 |
    | 输出电流不足 | 检查电源输入和输出线路是否完好,必要时增加驱动电流 |

    总结和推荐


    综上所述,TK62N60W 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,具备低导通电阻、增强模式操作及高可靠性等特点。适用于多种电力电子应用,尤其适合开关电源设计。其广泛的适用性和优秀的性能使其成为市场上极具竞争力的产品。因此,强烈推荐在相关应用中使用 TK62N60W。

TK62N60W参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 -
FET类型 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 TO-247

TK62N60W厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

TK62N60W数据手册

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ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 TK62N60W TK62N60W数据手册

TK62N60W封装设计

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