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2SK2611

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 34W 3V@ 680uA 64nC@ 10V 800V 390mΩ@ 10V,7.1A 10.8A 1.6nF@ 100V TO-3PN
供应商型号: 2SK2611 TO-3PN
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) 2SK2611

2SK2611概述


    产品简介


    产品名称:2SK2611 N-Channel MOSFET Transistor
    产品类型:
    2SK2611是一款N沟道MOSFET晶体管,适用于各种高速开关和电压调节应用。
    主要功能:
    - 高速开关能力
    - 低导通电阻(RDS(ON))
    - 耐高电压(900V)
    应用领域:
    - 开关电源(如开关调节器)
    - DC-DC转换控制
    - 一般电子设备

    技术参数


    绝对最大额定值(Ta=25℃):
    - VDSS(漏源击穿电压):900V
    - VGS(栅源电压):±30V
    - ID(连续漏极电流):9A @ 25℃
    - IDM(单脉冲漏极电流):27A
    - Ptot(总耗散功率):150W
    - Tj(最大工作结温):150℃
    - Tstg(存储温度范围):-55~150℃
    热特性:
    - Rth j-c(结到壳热阻):0.833℃/W
    - Rth j-a(结到环境热阻):50℃/W
    电气特性(TC=25℃):
    - V(BR)DSS(漏源击穿电压):900V
    - VGS(TH)(栅阈值电压):2.0~4.0V
    - RDS(ON)(漏源导通电阻):1.4Ω
    - IGSS(栅源泄漏电流):±10μA
    - IDSS(零栅压漏极电流):100μA
    - VSD(二极管正向电压):1.9V
    - Gfs(前馈跨导):3.0S

    产品特点和优势


    独特功能和优势:
    - 极低的漏源导通电阻(1.4Ω),确保了高效的功率传输。
    - 高耐压(900V),适合高压应用。
    - 快速开关速度,减少能量损耗。
    - 最小的批次差异,保证一致性和可靠性。
    重要性和市场竞争力:
    2SK2611 MOSFET凭借其卓越的性能和高可靠性,在电力电子系统中具有重要的应用价值。特别是在需要高效率和快速开关的场合,如开关电源和DC-DC转换器中表现出色。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 开关电源: 2SK2611广泛应用于各种开关电源中,提供高效的能量转换。
    - DC-DC转换器: 由于其高耐压和低导通电阻,2SK2611特别适合用于DC-DC转换器的设计。
    使用建议:
    - 在设计开关电源时,考虑到2SK2611的高耐压特性,确保电路能够承受峰值电压。
    - 使用散热片或冷却系统以提高散热效果,延长使用寿命。
    - 在实际应用中,应注意电源管理和负载管理,避免过载。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 2SK2611可与大多数标准驱动电路兼容,易于集成到现有系统中。
    支持和服务:
    - ISC提供详尽的技术文档和支持服务,帮助用户更好地了解和应用2SK2611。
    - 用户可以在ISC官网获取详细的产品资料和技术支持。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方法:
    - Q: 漏源电压超过额定值怎么办?
    - A: 确保电路设计正确,避免过压情况。必要时增加保护措施,如瞬态电压抑制器。

    - Q: 温度过高导致器件损坏怎么办?
    - A: 使用散热片或风扇进行散热。确保电路设计合理,避免过热。

    - Q: 开关速度不够快怎么办?
    - A: 检查电路布局和元件选型,优化驱动信号。必要时增加门极驱动器以提高开关速度。

    总结和推荐


    综合评估:
    2SK2611 N-Channel MOSFET是一款性能优越的电子元器件,具有低导通电阻、高耐压和快速开关等特点。在开关电源和DC-DC转换器中表现尤为出色。
    推荐使用:
    强烈推荐2SK2611用于需要高效能、可靠性的高压开关电源和转换器系统。其高性能和广泛的适用性使其成为电子工程师的理想选择。

2SK2611参数

参数
栅极电荷 64nC@ 10V
最大功率耗散 34W
Id-连续漏极电流 10.8A
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 680uA
FET类型 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 800V
Rds(On)-漏源导通电阻 390mΩ@ 10V,7.1A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.6nF@ 100V
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 TO-3PN

2SK2611厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

2SK2611数据手册

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ISC/无锡固电半导体 场效应管(MOSFET) ISC/无锡固电半导体 2SK2611 2SK2611数据手册

2SK2611封装设计

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