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YJQD12N03A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 12W 2个N沟道 30V 12.5mΩ@ 10V 12A DFN-3333
供应商型号: YJQD12N03A
供应商: 期货订购
标准整包数: 5000
YANGJIE/扬州扬杰电子 场效应管(MOSFET) YJQD12N03A

YJQD12N03A概述

    YJQD12N03A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 技术手册解析

    1. 产品简介


    YJQD12N03A 是一款由扬州扬杰电子科技有限公司(Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.)生产的 N 沟道增强型场效应晶体管(N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor)。该器件适用于高电流负载、开关电路及硬开关和高频电路等应用场景,广泛应用于不间断电源(Uninterruptible Power Supply)系统中。它采用先进的沟槽式低压 MOSFET 技术,具备出色的热耗散封装和高密度单元设计,使其具有较低的导通电阻(RDS(ON))。

    2. 技术参数


    - 基本规格
    - 漏源电压(VDS):30 V
    - 漏极电流(ID):12 A(在 TC=25℃时),7.6 A(在 TC=100℃时)
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):19 mJ
    - 总功耗(PD):12 W(在 TC=25℃时)
    - 结到外壳热阻(RθJC):6.0 ℃/W
    - 结到环境热阻(RθJA):40 ℃/W
    - 工作温度范围(TJ ,TSTG):-55~+150 ℃
    - 电气特性
    - 漏源击穿电压(BVDSS):30 V(在 VGS= 0V,ID=250μA时)
    - 零栅压漏电流(IDSS):1 μA(在 VDS=30V,VGS=0V时)
    - 栅体漏电流(IGSS):±100 nA(在 VGS= ±20V,VDS=0V时)
    - 栅阈电压(VGS(th)):1.0~2.5 V
    - 静态漏源导通电阻(RDS(ON)):
    - 在 VGS= 10V,ID=10A时,最大为 16 mΩ
    - 在 VGS= 4.5V,ID=8A时,最大为 30 mΩ
    - 二极管正向电压(VSD):0.85~1.2 V(在 IS=12A,VGS=0V时)
    - 动态参数
    - 输入电容(Ciss):3851 pF(在 VDS=15V,VGS=0V时)
    - 输出电容(Coss):444 pF
    - 反向传输电容(Crss):316 pF
    - 开关参数
    - 总栅极电荷(Qg):45.3 nC(在 VGS=4.5V,VDS=10V,ID=20A时)
    - 栅源电荷(Qgs):7.5 nC
    - 栅漏电荷(Qgd):11.1 nC
    - 反向恢复电荷(Qrr):6.9 nC
    - 反向恢复时间(trr):27 ns
    - 开启延迟时间(tD(on)):22 ns
    - 开启上升时间(tr):107 ns
    - 关断延迟时间(tD(off)):86 ns
    - 关断下降时间(tf):115 ns

    3. 产品特点和优势


    YJQD12N03A 具备以下显著特点和优势:
    - 沟槽式低压 MOSFET 技术:提供卓越的导通性能和低损耗。
    - 出色的热耗散封装:确保高可靠性和稳定性。
    - 高密度单元设计:实现较低的导通电阻(RDS(ON)),进一步降低功耗。
    - 100% UIS 和 ▽VDS 测试:保证了产品的可靠性和长期稳定性。

    4. 应用案例和使用建议


    YJQD12N03A 广泛应用于高电流负载的应用场景中,例如开关电源、不间断电源等。在实际使用中,需要考虑以下几点:
    - 散热管理:由于其较高的功耗和电流能力,需注意有效的散热措施,如合理布局散热片或风扇。
    - 电路设计:在设计电路时,确保符合其绝对最大额定值要求,避免过度应力对器件造成损害。
    - 并联应用:如果需要更高电流能力,可以通过多个 YJQD12N03A 并联来实现。

    5. 兼容性和支持


    YJQD12N03A 符合 RoHS 标准,可以方便地与其他兼容 RoHS 的电子元器件一起使用。厂商提供了详细的订购信息和技术支持,以确保用户能够获得最佳的产品体验。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题一:如何进行有效的散热管理?
    - 解决方案:建议使用大面积的铜散热板或者散热片,并配合风冷系统,以确保良好的热交换效率。

    - 问题二:当电路出现异常时,如何排查故障?
    - 解决方案:检查电路连接是否正确,参考技术手册中的典型性能图表和测试电路图进行测试和调试。

    7. 总结和推荐


    综上所述,YJQD12N03A 以其出色的性能、稳定的可靠性以及广泛的应用场景,在电子元件市场中具备较高的竞争力。它适用于高电流负载、开关电路及高频应用等领域,推荐用于对可靠性和性能要求较高的场合。对于需要高性能 MOSFET 的工程师和设计师来说,这是一个值得考虑的选择。

YJQD12N03A参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 12.5mΩ@ 10V
最大功率耗散 12W
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 12A
FET类型 2个N沟道
配置 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 DFN-3333

YJQD12N03A厂商介绍

YANGJIE公司是一家专注于工业自动化和智能制造领域的高科技企业。公司主营产品包括但不限于:

1. 工业机器人:提供多关节机器人、SCARA机器人等,广泛应用于汽车制造、3C电子、食品包装等行业。
2. 自动化生产线:定制化设计和制造,服务于医药、化工、物流等多个领域。
3. 智能控制系统:包括PLC、DCS等,用于实现工业过程的自动化控制和管理。
4. 传感器与执行器:提供各类传感器和执行器,用于监测和控制工业环境中的各种参数。

YANGJIE的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
- 定制化服务:根据客户需求提供个性化解决方案,满足不同行业的特定需求。
- 质量保证:严格的质量控制体系,确保产品的可靠性和稳定性。
- 全球网络:拥有广泛的国内外销售和服务网络,提供快速响应和优质服务。

YANGJIE致力于通过先进的技术和服务,推动工业自动化和智能制造的发展,为客户创造更大的价值。

YJQD12N03A数据手册

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YANGJIE/扬州扬杰电子 场效应管(MOSFET) YANGJIE/扬州扬杰电子 YJQD12N03A YJQD12N03A数据手册

YJQD12N03A封装设计

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