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WCM2001-6/TR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 180mΩ@4.5V,550mA;85mΩ@4.5V,3.1A DFN-6L-EP
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供应商:
标准整包数: 0
WILLSEMI/上海韦尔半导体 场效应管(MOSFET) WCM2001-6/TR

WCM2001-6/TR概述

    WCM2001 N-和P-通道互补MOSFET产品技术手册

    产品简介


    WCM2001 是由 Will Semiconductor Ltd. 生产的一款N-和P-通道互补增强型MOS场效应晶体管,适用于直流-直流转换器或负载开关的应用。该器件采用先进的沟槽技术制造,具备极低的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷,非常适合高效率电源管理和开关控制应用。WCM2001 的标准产品为无铅封装,符合RoHS环保标准。

    技术参数


    - 电压范围:
    - N-通道:20V
    - P-通道:-20V
    - 电流范围:
    - N-通道:
    - 持续电流:0.65A
    - 脉冲电流:1.4A
    - P-通道:
    - 持续电流:-3.1A
    - 脉冲电流:-4.1A
    - 导通电阻(RDS(ON)):
    - N-通道:
    - 在4.5V时:180mΩ
    - 在2.5V时:225mΩ
    - 在1.8V时:280mΩ
    - P-通道:
    - 在-4.5V时:85mΩ
    - 在-2.5V时:110mΩ
    - 在-1.8V时:150mΩ
    - 阈值电压(VGS(th)):
    - N-通道:
    - 在4.5V时:310mV
    - 在2.5V时:360mV
    - 在1.8V时:460mV
    - P-通道:
    - 在-4.5V时:-120mV
    - 在-2.5V时:-150mV
    - 在-1.8V时:-200mV
    - 工作温度范围:-55°C 到 150°C
    - 封装形式:DFN2x2-6L

    产品特点和优势


    - Trench Technology:先进的沟槽技术提供了更低的导通电阻和更高的密度单元设计。
    - 低栅极电荷:优异的导通电阻和大电流能力,确保了高效且快速的开关性能。
    - 小型封装:采用DFN2x2-6L封装,具有体积小、重量轻的优点,适合便携式设备和空间受限的应用。

    应用案例和使用建议


    WCM2001 主要应用于驱动器、电源转换电路和便携式设备中的负载/功率切换。例如:
    - 驱动器:可以用于控制继电器、电磁铁、灯泡和冲击锤等。
    - 电源转换电路:在需要高效转换的电源系统中表现优异。
    - 便携式设备:适用于电池供电的设备,通过高效的功率切换减少功耗。
    使用建议:
    - 确保驱动信号的VGS在安全范围内,以避免损坏MOSFET。
    - 使用散热片或其他冷却措施以提高热稳定性,特别是在高电流环境下工作。

    兼容性和支持


    WCM2001 与大多数现有的驱动器和电源转换电路兼容。制造商 Will Semiconductor Ltd. 提供详细的技术支持和售后服务,包括产品文档、测试报告和应用指南。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:MOSFET过热
    解决方法:增加散热措施,如散热片或散热风扇,确保良好的热管理。
    - 问题2:驱动电压不稳定
    解决方法:检查电源和接地连接,确保稳定的供电条件。
    - 问题3:开关速度慢
    解决方法:优化驱动电路,选择合适的栅极电阻(RG),并确保驱动信号的上升和下降时间足够快。

    总结和推荐


    WCM2001 N-和P-通道互补MOSFET凭借其先进的沟槽技术和低导通电阻,在众多应用中表现出色。其小巧的封装、优异的性能和可靠性使其成为现代电源管理和开关控制领域的理想选择。我们强烈推荐WCM2001作为高性能、高效能的电子元器件。
    此篇文章详细介绍了WCM2001 N-和P-通道互补MOSFET的各项技术参数、应用案例及使用建议,并提供了兼容性信息和支持资源。希望本文能够帮助工程师和技术人员更好地理解和应用这款高性能的电子元器件。

WCM2001-6/TR参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 -
Rds(On)-漏源导通电阻 180mΩ@4.5V,550mA;85mΩ@4.5V,3.1A
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 DFN-6L-EP

WCM2001-6/TR厂商介绍

WILLSEMI公司是一家领先的半导体公司,专注于提供高性能的模拟和混合信号集成电路。公司的产品主要分为以下几类:

1. 电源管理产品:包括电源管理IC、电池管理IC等,广泛应用于移动设备、消费电子和工业控制等领域。

2. 信号链产品:涵盖ADC/DAC、放大器、比较器等,服务于通信、医疗设备和汽车电子等行业。

3. 接口产品:包括各类串行接口、并行接口和总线接口芯片,应用于计算机、网络设备和物联网设备。

4. 传感器产品:提供温度、湿度、压力等多种传感器解决方案,服务于智能家居、环境监测和工业自动化。

WILLSEMI的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持技术领先。

- 品质保证:严格的质量控制流程,确保产品的高可靠性和稳定性。

- 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。

- 市场响应:快速响应市场变化,及时推出符合市场需求的新产品。

- 供应链管理:拥有强大的供应链体系,确保产品的稳定供应和快速交付。

WCM2001-6/TR数据手册

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WILLSEMI/上海韦尔半导体 场效应管(MOSFET) WILLSEMI/上海韦尔半导体 WCM2001-6/TR WCM2001-6/TR数据手册

WCM2001-6/TR封装设计

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