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WPM3005-3/TR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: WPM3005-3/TR
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
WILLSEMI/上海韦尔半导体 场效应管(MOSFET) WPM3005-3/TR

WPM3005-3/TR概述

    # WPM3005 P-Channel Enhancement MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本信息
    WPM3005 是一款单极P沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),专为高密度应用而设计。它采用了先进的沟槽技术,具有出色的低阈值电压和较高的直流电流能力,适用于多种电子系统。
    主要功能
    - 高密度单元设计:实现低导通电阻(RDS(on))和高电流承载能力。
    - 低阈值电压:简化驱动电路的设计。
    - 小型封装:SOT-23-3L,适合紧凑布局。
    应用领域
    - 继电器、电磁阀、电机、LED 等驱动电路
    - DC-DC 转换器电路
    - 功率开关
    - 负载开关
    - 充电电路

    技术参数


    绝对最大额定值
    | 参数 | 符号 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 结温至环境热阻 | RșJA | 90 | 125 | °C/W |
    | 结温至最小引脚热阻 | RșJC | 40 | 60 | °C/W |
    | 漏源电压 | VDS | -30 V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 V |
    工作参数
    | 参数 | 符号 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 持续漏极电流 | ID | -4.1 | -3.4 | A |
    | 最大耗散功率 | PD | 0.9 | 0.6 | W |
    | 冲击漏极电流 | IDM | -25 A |
    | 工作结温 | TJ | 150 °C |
    | 引线温度 | TL | 260 °C |
    | 存储温度范围 | Tstg | -55 | 150 | °C |
    电气特性
    | 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 关断特性 |
    | 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS = 0 | -30 V |
    | 零栅电压漏极电流 | IDSS | VDS = -24 ±100 | nA |
    | 栅源漏电流 | IGSS | VDS = 0 ±100 nA |
    | 导通特性 |
    | 栅阈值电压 | VGS(TH) | VGS = VDS | -1.5 | -2.0 | -2.5 | V |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | VGS = -4.5 0.083 Ω |
    | 开启延时时间 | td(ON) 6.8 ns |
    | 关闭延时时间 | td(OFF) 25.2 ns |

    产品特点和优势


    - 高密度单元设计:确保了优秀的RDS(on),同时保持较低的导通电阻。
    - 低阈值电压:降低了驱动电路的要求,提升了系统的能效。
    - 小型封装(SOT-23-3L):适合紧凑型设计和大规模生产应用。
    - 出色的温度稳定性:即使在极端温度条件下也能保持稳定的性能。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 在继电器驱动电路中作为控制开关,可以实现高效可靠的控制。
    - 在DC-DC转换器电路中用于电流调节,确保稳定输出。
    - 在负载开关中实现高效的电源管理,提升系统效率。
    使用建议
    - 选择合适的驱动电路以确保良好的开启和关闭速度。
    - 在高温环境下使用时,应注意散热,避免过热损坏。
    - 对于复杂的电路设计,建议参考实际测试结果进行调整。

    兼容性和支持


    - 兼容性:WPM3005 采用标准 SOT-23-3L 封装,易于与各种电路板集成。
    - 支持和服务:Will Semiconductor Ltd. 提供全面的技术支持和客户服务,包括详尽的技术文档和售后支持。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方法
    1. 温度过高导致设备失效
    - 解决方案:加强散热措施,使用适当的散热片和风扇。
    2. 无法达到预期的工作电流
    - 解决方案:检查驱动电路,确保电压和电流符合要求,重新校准。
    3. 设备在使用过程中出现异常波动
    - 解决方案:检查周围环境是否有干扰源,尽量远离可能的干扰源。

    总结和推荐


    WPM3005是一款高性能的P沟道增强型功率MOSFET,具有出色的导通特性和温度稳定性。其紧凑的SOT-23-3L封装使其非常适合紧凑型电路设计。无论是继电器驱动、DC-DC转换器还是其他需要高效电源管理的应用,WPM3005都是理想的选择。
    综上所述,强烈推荐WPM3005用于各种高要求的电子系统设计中。

WPM3005-3/TR参数

参数
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
通道数量 -
通用封装 SOT-23-3L

WPM3005-3/TR厂商介绍

WILLSEMI公司是一家领先的半导体公司,专注于提供高性能的模拟和混合信号集成电路。公司的产品主要分为以下几类:

1. 电源管理产品:包括电源管理IC、电池管理IC等,广泛应用于移动设备、消费电子和工业控制等领域。

2. 信号链产品:涵盖ADC/DAC、放大器、比较器等,服务于通信、医疗设备和汽车电子等行业。

3. 接口产品:包括各类串行接口、并行接口和总线接口芯片,应用于计算机、网络设备和物联网设备。

4. 传感器产品:提供温度、湿度、压力等多种传感器解决方案,服务于智能家居、环境监测和工业自动化。

WILLSEMI的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持技术领先。

- 品质保证:严格的质量控制流程,确保产品的高可靠性和稳定性。

- 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。

- 市场响应:快速响应市场变化,及时推出符合市场需求的新产品。

- 供应链管理:拥有强大的供应链体系,确保产品的稳定供应和快速交付。

WPM3005-3/TR数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
WILLSEMI/上海韦尔半导体 场效应管(MOSFET) WILLSEMI/上海韦尔半导体 WPM3005-3/TR WPM3005-3/TR数据手册

WPM3005-3/TR封装设计

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