处理中...

首页  >  产品百科  >  WNM6006-8/TR

WNM6006-8/TR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: WNM6006-8/TR
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
WILLSEMI/上海韦尔半导体 场效应管(MOSFET) WNM6006-8/TR

WNM6006-8/TR概述

    WNM6006 单片 N-通道 60V 100A 功率 MOSFET 技术手册

    产品简介


    WNM6006 是一款由 Will Semiconductor Ltd. 生产的单片 N-通道增强型 MOS 场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用先进的沟槽技术和设计,提供了出色的 RDS(ON)(导通电阻)和低栅极电荷。主要用于直流-直流转换器、电源开关电路和便携式设备的负载/功率切换。符合 RoHS 标准,适用于多种应用领域。

    技术参数


    - 额定电压(VDS):60V
    - 最大漏源电流(连续)(ID):
    - TC=25°C:100A
    - TC=100°C:63A
    - 脉冲漏源电流(IDM):310A
    - 总栅极电荷(QG(TOT)):42nC
    - 导通电阻(RDS(on)):
    - VGS=10V,ID=15A:2.5-3.4mΩ
    - VGS=6V,ID=10A:4.2-6.0mΩ
    - 输出电容(COSS):1720pF
    - 零门电压漏极电流(IDSS):1μA
    - 热阻(RθJA):稳态 41-50°C/W
    - 存储温度范围(TSTG):-55至150°C
    - 工作结温(TJ):-55至150°C

    产品特点和优势


    1. 先进的沟槽技术:确保了优异的 RDS(ON),并有效降低功耗。
    2. 高密度单元设计:提升器件效率,减少尺寸。
    3. 低导通电阻:提高能效,减少发热。
    4. 标准封装:PDFN5x6-8L 封装形式,便于装配。
    5. 适用于多种应用:包括直流-直流转换器、电源开关电路及便携式设备。

    应用案例和使用建议


    - DC/DC 转换器:利用低 RDS(on) 和低栅极电荷特性,提高系统效率。
    - 便携式设备电源开关:利用小型封装和高密度设计,适合便携设备。
    使用建议:
    - 在使用时应注意不要超过绝对最大额定值,如 VDS 最大为 60V。
    - 根据具体应用场景选择合适的驱动条件,例如 VGS=10V 时 RDS(on) 较低。

    兼容性和支持


    - 产品兼容标准电路板设计,便于集成。
    - 制造商提供详细的技术支持和文档资料,确保用户能够快速上手。

    常见问题与解决方案


    1. 如何避免过热损坏?
    - 解决方案:确保散热良好,不超载使用,根据热阻参数合理设计散热方案。
    2. 漏极电流过高怎么办?
    - 解决方案:检查电路设计是否合理,确保漏极电流不超过额定值。
    3. 导通电阻较高?
    - 解决方案:确保正确的驱动条件,例如 VGS=10V 时 RDS(on) 较低。

    总结和推荐


    WNM6006 是一款高性能的 N-通道增强型 MOSFET,具有先进的技术特性和广泛的应用场景。其优秀的低导通电阻和高密度设计使其成为直流-直流转换器和电源开关电路的理想选择。尽管价格稍高,但其卓越的性能和可靠性使它在市场上具有很高的竞争力。推荐用于需要高效率和紧凑设计的应用场合。

WNM6006-8/TR参数

参数
Id-连续漏极电流 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
FET类型 -
栅极电荷 -
通用封装 DFN-8

WNM6006-8/TR厂商介绍

WILLSEMI公司是一家领先的半导体公司,专注于提供高性能的模拟和混合信号集成电路。公司的产品主要分为以下几类:

1. 电源管理产品:包括电源管理IC、电池管理IC等,广泛应用于移动设备、消费电子和工业控制等领域。

2. 信号链产品:涵盖ADC/DAC、放大器、比较器等,服务于通信、医疗设备和汽车电子等行业。

3. 接口产品:包括各类串行接口、并行接口和总线接口芯片,应用于计算机、网络设备和物联网设备。

4. 传感器产品:提供温度、湿度、压力等多种传感器解决方案,服务于智能家居、环境监测和工业自动化。

WILLSEMI的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持技术领先。

- 品质保证:严格的质量控制流程,确保产品的高可靠性和稳定性。

- 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。

- 市场响应:快速响应市场变化,及时推出符合市场需求的新产品。

- 供应链管理:拥有强大的供应链体系,确保产品的稳定供应和快速交付。

WNM6006-8/TR数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
WILLSEMI/上海韦尔半导体 场效应管(MOSFET) WILLSEMI/上海韦尔半导体 WNM6006-8/TR WNM6006-8/TR数据手册

WNM6006-8/TR封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 3.1395
6000+ ¥ 2.8119
库存: 50000
起订量: 3000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:3000
合计: ¥ 9418.5
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N50E-VB ¥ 3.498
06N06L ¥ 0.253
06N60E-VB ¥ 3.498
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
10N80L-T3P-T-VB ¥ 12.5579
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831