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WNM3060-6/TR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
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WILLSEMI/上海韦尔半导体 场效应管(MOSFET) WNM3060-6/TR

WNM3060-6/TR概述

    WNM3060: Single N-Channel Power MOSFET

    产品简介


    WNM3060 是由 Will Semiconductor Ltd. 生产的一款高性能单个 N-通道增强型 MOS 场效应晶体管(MOSFET)。此产品适用于直流-直流转换器、电源开关电路及便携设备负载/功率切换。具有极低导通电阻、高密度单元设计和低阈值电压等特点。该型号无铅,符合环保要求。

    技术参数


    - 最大耐压值:VDS = 30V
    - 最大栅源电压:VGS = ±20V
    - 连续漏极电流:TA=25°C时为14.3A,TA=70°C时为11.4A
    - 脉冲漏极电流:IDM = 74A
    - 最大功耗:TA=25°C时为1.9W,TA=70°C时为1.2W
    - 热阻:
    - 瞬态热阻 (RθJA):在不同条件下测量值分别为27°C/W 和 82°C/W
    - 存储温度范围:-55°C 到 +150°C
    - 开关特性:包括开通延迟时间(td(ON))、上升时间(tr)等
    - 典型值:如导通电阻(RDS(on))@ VGS=10V, ID=14A 为4.4mΩ;@ VGS=4.5V, ID=10A 为6.6mΩ

    产品特点和优势


    - 先进的沟槽技术:通过先进的沟槽技术提供优异的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷。
    - 超高的密度单元设计:实现了高效能和小型化设计。
    - 低导通电阻:在各种条件下保持出色的导通电阻,确保高效的电力传输。
    - 极低的阈值电压:使得控制更为简单且易于驱动。

    应用案例和使用建议


    - 应用场景:适用于直流-直流转换器、电源开关电路及便携设备负载/功率切换。
    - 使用建议:根据不同的应用需求,可选择合适的栅源电压(VGS)来调节漏极电流(ID)。建议进行热管理设计以确保安全运行,尤其是在高功耗状态下。

    兼容性和支持


    - 封装信息:采用DFN2x2-6L封装形式,体积小巧,便于集成。
    - 制造商支持:公司提供详尽的技术文档和专业的技术支持,以确保用户能够充分利用其性能优势。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何确定适当的栅源电压?
    - 解答:参考数据表中的典型值,根据具体应用场景选择合适的VGS。
    - 问题2:在高温环境下如何避免过热?
    - 解答:采用良好的热管理措施,如增加散热片或选择合适的散热材料,确保设备正常运行。

    总结和推荐


    WNM3060凭借其出色的性能、便捷的使用方法以及广泛的适用范围,在多种电力应用场合中表现出色。它具有显著的优势,尤其是在需要高效率和小型化解决方案的应用中。我们强烈推荐使用这款产品,尤其是对于追求卓越性能和可靠性的用户来说。
    以上是对WNM3060 N-Channel Power MOSFET的详细介绍。希望这份技术手册能帮助您更好地理解和利用这一高性能的产品。

WNM3060-6/TR参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
配置 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -

WNM3060-6/TR厂商介绍

WILLSEMI公司是一家领先的半导体公司,专注于提供高性能的模拟和混合信号集成电路。公司的产品主要分为以下几类:

1. 电源管理产品:包括电源管理IC、电池管理IC等,广泛应用于移动设备、消费电子和工业控制等领域。

2. 信号链产品:涵盖ADC/DAC、放大器、比较器等,服务于通信、医疗设备和汽车电子等行业。

3. 接口产品:包括各类串行接口、并行接口和总线接口芯片,应用于计算机、网络设备和物联网设备。

4. 传感器产品:提供温度、湿度、压力等多种传感器解决方案,服务于智能家居、环境监测和工业自动化。

WILLSEMI的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持技术领先。

- 品质保证:严格的质量控制流程,确保产品的高可靠性和稳定性。

- 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。

- 市场响应:快速响应市场变化,及时推出符合市场需求的新产品。

- 供应链管理:拥有强大的供应链体系,确保产品的稳定供应和快速交付。

WNM3060-6/TR数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
WILLSEMI/上海韦尔半导体 场效应管(MOSFET) WILLSEMI/上海韦尔半导体 WNM3060-6/TR WNM3060-6/TR数据手册

WNM3060-6/TR封装设计

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