处理中...

首页  >  产品百科  >  WNM4001-3/TR

WNM4001-3/TR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
WILLSEMI/上海韦尔半导体 场效应管(MOSFET) WNM4001-3/TR

WNM4001-3/TR概述

    WNM4001 N-Channel Enhancement MOSFET 技术手册



    产品简介




    WNM4001 是一款由 Will Semiconductor Ltd. 生产的小信号 N 沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),其额定电压为 20V,最大连续电流为 0.5A。此产品采用先进的沟槽技术,旨在提供低导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷,非常适合用于小信号开关。WNM4001 是无铅标准产品。

    主要特点和功能


    - 先进的沟槽技术:WNM4001 使用先进的沟槽技术,具有极低的导通电阻和高密度单元设计。
    - 低导通电阻:具备出色的 RDS(ON) 和最大的直流电流能力。
    - 小型封装设计:采用 SOT-523 封装,适合便携式设备和电源转换电路。

    应用领域


    - 驱动器:继电器、电磁阀、灯、锤子等。
    - 电源转换电路:适配各种负载/功率开关。
    - 便携式设备:适用于各种负载/功率开关。


    技术参数




    绝对最大额定值


    - 漏源电压(VDSS):20V
    - 栅源电压(VGSS):±6.0V
    - 连续漏极电流(ID):0.5A
    - 脉冲漏极电流(ID):0.8A(在 t<300us 和 Duty<2% 条件下)
    - 最大功率耗散(PD):0.25W
    - 操作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C

    热阻


    - 结到环境热阻(RTJA):500°C/W 到 620°C/W

    电气特性


    - 导通电阻(RDS(on)):在 VGS=2.5V,ID=0.3A 条件下为 530mΩ;在 VGS=1.8V,ID=0.1A 条件下为 700mΩ
    - 输入电容(Ciss):67pF
    - 输出电容(Coss):10pF
    - 反向转移电容(Crss):8pF(在 VDS=10V,VGS=0V,F=1MHz 条件下)

    开关特性


    - 导通延迟时间(td(on)):5ns
    - 导通上升时间(tr):5ns
    - 关断延迟时间(td(off)):25ns
    - 关断下降时间(tf):11ns(在 VDD=10V,VGS=4.5V,ID=0.25A,RL=10Ω,RG=6Ω 条件下)


    产品特点和优势




    WNM4001 的主要优势在于其低导通电阻和高密度单元设计,这使得它在多种应用场景中表现出色。特别是在小信号开关应用中,其出色的电气特性和紧凑的封装使其在市场上具有很强的竞争优势。此外,其无铅特性也符合现代电子产品环保要求。


    应用案例和使用建议




    应用案例


    WNM4001 可用于各种需要高效开关的应用,如驱动器、电源转换电路和便携式设备。例如,在电磁阀控制中,WNM4001 能够快速响应并保持稳定的开关状态。

    使用建议


    - 在选择栅源电压时,确保 VGS 足够高以确保低 RDS(on),但也不要超过 VGSS 的绝对最大额定值。
    - 为了减少热效应,应合理选择散热措施,并注意功率耗散。
    - 在高速开关应用中,考虑寄生电容的影响,避免电压瞬态过冲。


    兼容性和支持




    WNM4001 支持 SOT-523 封装,可以方便地集成到现有电路板设计中。Will Semiconductor Ltd. 提供详尽的技术支持,包括样品请求、设计指南和技术文档。


    常见问题与解决方案




    常见问题


    1. 如何选择合适的 VGS?
    - 解决方案:根据具体应用需求选择合适的 VGS,确保其不超过绝对最大额定值。

    2. 如何处理热效应?
    - 解决方案:使用适当的散热片或 PCB 设计来降低热效应。

    3. 如何减少寄生电容的影响?
    - 解决方案:优化 PCB 布局,缩短引线长度,减少引线间的寄生电容。


    总结和推荐




    WNM4001 是一款高性能的小信号 N 沟道 MOSFET,其低导通电阻和高密度单元设计使其在多种应用场景中表现优异。其紧凑的 SOT-523 封装和无铅特性也增加了其适用性和环保性。总的来说,WNM4001 是一个值得推荐的产品,尤其适用于小信号开关、电磁阀驱动和其他便携式设备。

    对于需要高效开关控制且追求高性能的用户来说,WNM4001 将是一个理想的选择。

WNM4001-3/TR参数

参数
栅极电荷 -
配置 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通用封装 SOT-523

WNM4001-3/TR厂商介绍

WILLSEMI公司是一家领先的半导体公司,专注于提供高性能的模拟和混合信号集成电路。公司的产品主要分为以下几类:

1. 电源管理产品:包括电源管理IC、电池管理IC等,广泛应用于移动设备、消费电子和工业控制等领域。

2. 信号链产品:涵盖ADC/DAC、放大器、比较器等,服务于通信、医疗设备和汽车电子等行业。

3. 接口产品:包括各类串行接口、并行接口和总线接口芯片,应用于计算机、网络设备和物联网设备。

4. 传感器产品:提供温度、湿度、压力等多种传感器解决方案,服务于智能家居、环境监测和工业自动化。

WILLSEMI的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持技术领先。

- 品质保证:严格的质量控制流程,确保产品的高可靠性和稳定性。

- 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。

- 市场响应:快速响应市场变化,及时推出符合市场需求的新产品。

- 供应链管理:拥有强大的供应链体系,确保产品的稳定供应和快速交付。

WNM4001-3/TR数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
WILLSEMI/上海韦尔半导体 场效应管(MOSFET) WILLSEMI/上海韦尔半导体 WNM4001-3/TR WNM4001-3/TR数据手册

WNM4001-3/TR封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
库存: 0
起订量: 0 增量: 0
交货地:
最小起订量为:0
合计: $ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504