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WNM01N11-6/TR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Single N-Channel, 110V, 1.8A, Power MOSFET
供应商型号: WNM01N11-6/TR
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
WILLSEMI/上海韦尔半导体 场效应管(MOSFET) WNM01N11-6/TR

WNM01N11-6/TR概述

    # WNM01N11 N-Channel Enhancement MOSFET 技术手册

    产品简介


    WNM01N11 是一种由威尔半导体有限公司生产的N-通道增强型MOS场效应晶体管。它采用了先进的沟槽技术和设计,以提供卓越的RDS(on)电阻并具备低栅极电荷。WNM01N11 适用于直流转换、电源开关和充电电路等多种应用场景,具有无铅和无卤素的优点。

    技术参数


    以下是WNM01N11的主要技术参数:
    - 最大漏源电压(VDS): 110 V
    - 典型RDS(on):
    - VGS = 10 V时: 0.230 Ω
    - VGS = 4.5 V时: 0.250 Ω
    - 连续漏极电流 (ID):
    - TA = 25°C时: 2.13 A
    - TA = 70°C时: 1.80 A
    - 最大功率耗散 (PD):
    - TA = 25°C时: 2.50 W
    - TA = 70°C时: 1.78 W
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 7 A
    - 工作结温 (TJ): -55°C 至 150°C
    - 热阻:
    - 瞬态热阻 (RθJA): 最大值为 100°C/W (稳态)
    - 结至外壳热阻 (RθJC): 最大值为 70°C/W (稳态)

    产品特点和优势


    - 沟槽技术: 高密度单元设计,实现了卓越的导通电阻和较低的栅极电荷。
    - 小封装: SOT-23-6L封装,节省空间,适合紧凑型设计。
    - 高密度单元设计: 可以处理更高的直流电流,适用于需要高性能的应用场合。
    - 兼容性: 支持多种应用场景,如继电器驱动、电磁阀控制、电机驱动、LED驱动等。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 直流转换电路:用于提高直流电压转换效率。
    2. 电源开关:可实现高效能的开关控制。
    3. 负载开关:用于控制电流路径,保护电路免受过载损害。
    4. 充电电路:适用于各种充电设备,提升充电速度和稳定性。
    使用建议
    - 在选择驱动电路的栅极电阻时,可以参考建议值RG = 3.3Ω,以确保快速且稳定的开关操作。
    - 确保散热良好,特别是在高电流运行时,避免热关断导致的损坏。
    - 注意温度范围限制,在极端环境下使用时可能需要额外的冷却措施。

    兼容性和支持


    - 兼容性: WNM01N11 可以与多种电路和其他电子元件无缝集成,适用于各种工业标准的应用环境。
    - 支持与维护: 威尔半导体有限公司提供全面的技术支持和服务,确保客户能够充分利用该产品的功能和优势。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 开关延迟时间过长?
    - A: 检查栅极电阻值是否合理,通常建议值为RG = 3.3Ω。也可以考虑更换驱动电路的其他参数,以达到最优效果。

    2. Q: 导通电阻过高?
    - A: 检查是否在正确的工作条件下使用(如正确的栅极电压),以及是否需要进一步改善散热措施。

    3. Q: 无法正常启动?
    - A: 检查电源电压是否稳定,确保电路连接正确,无短路或断路情况。

    总结和推荐


    综合评估
    WNM01N11 N-通道增强型MOSFET 在多个方面表现出色。它具有优异的导通电阻、较低的栅极电荷以及高可靠性。SOT-23-6L的小封装使其特别适合于空间受限的应用。
    推荐
    我们强烈推荐 WNM01N11 用于需要高效率和高可靠性的直流转换、电源开关和充电电路中。威尔半导体有限公司提供的全面技术支持也增加了该产品的吸引力。

WNM01N11-6/TR参数

参数
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通用封装 SOT-6

WNM01N11-6/TR厂商介绍

WILLSEMI公司是一家领先的半导体公司,专注于提供高性能的模拟和混合信号集成电路。公司的产品主要分为以下几类:

1. 电源管理产品:包括电源管理IC、电池管理IC等,广泛应用于移动设备、消费电子和工业控制等领域。

2. 信号链产品:涵盖ADC/DAC、放大器、比较器等,服务于通信、医疗设备和汽车电子等行业。

3. 接口产品:包括各类串行接口、并行接口和总线接口芯片,应用于计算机、网络设备和物联网设备。

4. 传感器产品:提供温度、湿度、压力等多种传感器解决方案,服务于智能家居、环境监测和工业自动化。

WILLSEMI的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持技术领先。

- 品质保证:严格的质量控制流程,确保产品的高可靠性和稳定性。

- 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。

- 市场响应:快速响应市场变化,及时推出符合市场需求的新产品。

- 供应链管理:拥有强大的供应链体系,确保产品的稳定供应和快速交付。

WNM01N11-6/TR数据手册

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WILLSEMI/上海韦尔半导体 场效应管(MOSFET) WILLSEMI/上海韦尔半导体 WNM01N11-6/TR WNM01N11-6/TR数据手册

WNM01N11-6/TR封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 0.5488
9000+ ¥ 0.5392
15000+ ¥ 0.5249
42000+ ¥ 0.501
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